Тема: Оперативная память (ОЗУ) (Цифровая электроника, Университет «Дубна»)
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
2. Виды оперативной памяти, их назначение и основные характеристики 7
2.1 Динамическая память (DRAM) 7
2.2 Статистическая память (SRAM) 16
3. Увеличение объема памяти 21
Заключение 26
Список использованной литературы 27
✅ Заключение
В настоящее время разработано много видов оперативной памяти: высокоскоростной и более медленной, дорогой и подешевле. Какую память следует устанавливать на компьютер, должен решать сам пользователь, в зависимости от того, какие возможности ему нужны. Но следует помнить, что быстроразвивающаяся компьютерная отрасль, в том числе программное обеспечение, предъявляют все большие требования к компьютерам, в том числе и к оперативной памяти.
Итак, подведя итоги сравнения оперативной памяти:
• cамая быстродействующая на сегодняшний момент ОП, а также самая дорогостоящая - Rambus, её частота работы эквивалентна 800 MHz;
• память типа DRAM на порядок дешевле, чем SRAM, но при этом она медленнее;
• в связи с дороговизной память типа SRAM используется, в основном только как КЭШ L1 и L2.