Объем информации, генерируемой человечеством, стремительно растет с каждым годом. За последние 10 лет человечество почти вдвое увеличило количество информационных данных, поэтому в настоящее время особо острой является проблема поиска более емких носителей информации и способов увеличения плотности записи данных.
Одним из способов повышения плотности записи на магнитные диски является переход от классической параллельной записи информации, в которой магнитные домены располагаются параллельно плоскости носителя, к перпендикулярной записи, при которой векторы намагниченности магнитных доменов направлены перпендикулярно к ее плоскости. Кроме высокой плотности такой способ записи обладает дополнительными преимуществами, такими как высокая стабильность, высокое отношение полезного сигнала к шуму и высокой мощностью считываемого сигнала.
В связи с этими достоинствами перпендикулярной записи особое внимание в последнее время уделяется поиску новых материалов, для производства магнитных дисков. К таким перспективным материалам можно отнести тонкие пленки, проявляющие перпендикулярную магнитную анизотропию [23]. В работе [6] пленки, демонстрирующие перпендикулярную анизотропию, получали методом химического осаждения из газовой фазы, а в работе [21] с помощью магнетронного распыления.
Вместе с тем особый интерес вызывает метод ионно-стимулированного осаждения, при котором во время нанесения пленки на подложку используется пучок ионов, стимулирующих рост пленки. Причем пленка может наноситься любым доступным методом. Наличие дополнительного источника энергии с независимым и регулируемым уровнем воздействия ионного пучка на поверхность растущей пленки, позволяет получать пленки в необычных
Объектом наших исследований в данной работе являлись тонкие пленки железа полученные методом ионно-стимулированного осаждения, при разной энергии стимулирующих ионов. Для исследования свойств полученных экспериментальных образцов использовалась мёссбауэровская спектроскопия конверсионных электронов. Целью нашей работы являлось выяснение магнитных свойств и механизмов возникновения вертикальной магнитной анизотропии в тонких пленках железа, полученных методом ионно- стимулированного осаждения.
Основные задачи, поставленные в работе:
1. Изучение фазового состава полученных пленок методом мёсбауэровской спектроскопии конверсионных электронов.
2. Исследование влияния материала подложки на свойства полученных пленок
3. Изучение особенностей возникновения вертикальной магнитной анизотропии, в зависимости от энергии стимулирующих ионов.
1. В нашей работе впервые были проведены мёссбауэровские исследования тонких пленок железа, полученные методом ионно- стимулированного осаждения на подложки из стекла и монокристаллического кремния, при энергии стимулирующих ионов ксенона 0,7 и 1,3 кэВ.
2. Было обнаружено, что при стимулировании роста низкоэнергетическими ионами пленки в основном состоят из кристаллитов металлического железа и межкристаллитного аморфного железа. Так же в пленках, вероятно, присутствуют мелкие частицы железа находящиеся в суперпарамагнитном состоянии.
3. Материал подложки не оказывает влияния на свойства осаждаемых пленок. Вероятно, это связанно с большой толщиной полученных экспериментальных образцов.
4. Было выяснено, что при использовании метода ионно- стимулированного напыления, с низкой энергией ионов полученные пленки проявляют перпендикулярную магнитную анизотропию, причем, чем ниже энергия ионов, тем выраженнее перпендикулярная анизотропия. Вероятно, это связано с возникновением в пленках сильных сжимающих напряжений, обусловленных зависимостью отношения потока ионов стимулирующих рост пленки к потоку, осаждаемых атомов железа от энергии ионов. Чем выше скорость осаждения пленки, тем меньше может быть величина напряжений в пленке, что подтверждается экспериментальными данными.
1. Nakagawa, S. Highly (001) oriented FePt ordered alloy thin films fabricated from Pt(100)/Fe(100) structure on glass disks without seed layers [Text] / S. Nakagawa, T. Kamiki // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - 2005. - Vol. 287. - P. 204-208.
2. Гуляев, А. П. Металловедение: учебник для вузов [Текст] // 6-е изд., перераб. и доп. М.: Металлургия. - 1986. - 405 c.
3. Гинзбург, И. Ф. Введение в физику твердого тела. Основы квантовой механики и статистической физики с отдельными задачами физики твердого тела[Текст] // Лань - М. - 2007. - T. 2. - 544 c.
4. Антонец, И. В. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов // ЖТФ. -2004. -Т. 74. - Вып. 11. - С. 102-104.
5. Антонец, И. В. Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов // ЖТФ. - 2004. - Т. 74. - Вып. 3. - С. 24-27.
6. Антонец, И. В. Наноструктура, проводящие и отражающие свойства тонких пленок железа и Fex(BaF2)y [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, П.А. Макаров // ЖТФ. - 2010. - Т. 80. -Вып. 9. - С. 134-140.
7. Kneller, E. In: Magnetism and Metallurgy [Text] // N. Y.: Acad. Press. - 1969. - Vol.1. - 365 p.
8. Гусева, М.Б. Ионная стимуляция в процессе образования тонких пленок на поверхности твердого тела [Текст] // Соросовский образовательный журналю. - 1998. - Т. 10. - С. 106-112.
9. Радаев, А.В. HDD будущего: перпендикулярная запись и не только [Текст] // Журнал компьютерных технологий. - 2005. - Вып. 77. - С. 156-168.
10. Антоненко, С.В., Технология тонких пленок [Текст] // Учебное пособие М.: МИФИ. - 2008. - 104 с.
11. Петухов, В.Ю. Ионно-лучевые методы получения тонких пленок [Текст] / В.Ю. Петухов , Г.Г. Гумаров // Учебное пособие для студентов физического факультета. - 2010. - 87 с.
12. Григорьянц, А.Г. Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме [Текст] / А.Г. Григорьянц, А.И. Мисюров, В.В. Макаров // ЖЛТ. - 2003. - T. 1. - С. 35-47
13. Finzel, A.; High-fluence hyperthermal ion irradiation of gallium nitride surfaces at elevated temperatures [Text] / Finzel, A.; Gerlach, J.W.; Lorbeer, //J. Appl. Surf. Sci. - 2014. - Vol. 317. - P. 811-817.
14. Greene, J.E. Low-energy ion/surface interactions during film growth from the vapor phase. In Ion Beam Assisted Deposition/ J.E. Greene, Barnett,
S. A.; Sundgren, J.E.; [Text] // Itoh, T., Ed.; Elsevier: Amsterdam,The Netherlands. - 1989. - Vol. 5. - P. 105-152.
15. Вертхейм, Г. Эффект Мёссбауэра. Принципы и применения [Текст] / Г. Вертхейм - М.: Мир. - 1996. - 169 с.
16. Mossbauer R. Recoilless nuclear resonance absorption of gamma radiation [Text] // Mossbauer R. Nobel Lecture. - 1961. -18 p.
17. Herr, U. Investigation of nanocrystalline iron materials by Mossbauer spectroscopy [Text] / U. Herr, J. Jing, U. Gonser // Applied Physica Letters - 1987. - Vol. 50. - P. 8 -13.
18. Казаков В.Г. Тонкие магнитные пленки [Текст] // Соровский образовательный журнал. - 1997. - Т. 1. - С. 107-114
19. Файзрахманов, И.А. Влияние ионной имплантации на адгезионную прочность и механические напряжения текстурированных пленок алюминия [Текст] / И. А. Файзрахманов, В. А. Шустов, И.Б. Хайбуллин // Поверхность. - 1989. - Т. 9. - С. 114-119.
20. Файзрахманов И.А., Хайбуллин И.Б. Исследование методом оптической спектроскопии микроструктуры пленок а-С, полученных ионно-стимулированным осаждением [Текст] // Поверхность. - 1996. -
T. 5. - С. 88-96.
21. Фабричный П.Б., Похолок К.В. Мессбауэровская спектроскопия и ее применение для химической диагностики неорганических материалов [Текст]: конспект лекций // Издательский Дом МГУ. - 2012. - 142 с.
22. Ким, П.Д. Перпендикулярная магнитная анизотропия в монокристаллических пленках Cos0Pts0/MgO(100) [Текст] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74. - Вып. 4. - С. 53-57
23. Iwasaki, L. An analysis for the magnetization mode for high density magnetic recording [Text] / L. Iwasaki, S. Nakamura // Y. IEEE Trans. Magn. - 1977. - Vol. 13. - P. 1272-1277
24. Стогний, А.И. Получение тонких пленок ионно-лучевым методом с использованием низкоэнергетичного ионного ассистирования [Текст] / А.И. Стогний, В.Т. Свирин, С.Д. Тушина // ЖТФ. - 2003г. - Т. 4. - C. 304-307
25. Se-Young Choi. Preparation and characterization of Al-doped Zinc Oxide films deposition by ion beam assisted molecular beam epitaxy [Text] / Se- Young Choi, Kyoon Choi, Sung Jin Kim // IJAREEIE. - 2013. - Vol. 2. - P. 6382-6394