Тема: Оптимальные параметры реакции для скорости травления кремниевых пластин

Хорошо известно о широком применении плазменной обработки материалов в промышленной микроэлектроники. Плазму низкого давления используют для травления топологических элементов микронных размеров при изготовлении микросхем и дискретных полупроводниковых приборов, а так же различных сенсоров и микромеханических устройств. За рубежом устройства, создаваемые в результате совместного применения технологий микроэлектроники и микропрофелирования кремния, получили название микроэлектромеханических систем, и, соответственно, сама технология кратко обозначается как МЕМS - технология (наиболее развитое направление в области микросистемной техники). Эта технология позволяет создавать микроприборы и функционально интегрированные микросхемы с интегрированными микромеханическими структурами, применение которых наиболее перспективно в электронно-вычислительных устройствах, оптоэлектронике, а также в сенсорных микроэлектронных системах регулирования и управления.
Известно, что эффективность ПХТ характеризуется такими важными параметрами, как анизотропность и скорость травления. Сравнительно высокие анизотропность и скорость травления – результат хорошего подбора типа установки, рабочих реагентов и режима процесса. При таком развитии ПХТ можно с успехом использовать для решения таких задач, как удаление фоторезиста, травление эпитаксиальных пленок и глубинное профилирование полупроводниковых пластин для целей микромеханики.
Следует так же учитывать процесс, который позволил бы исключить контактирование с едкими растворами щелочей и кислот, а так же растворителями в случае удаления уже не нужной маски с поверхности подложки, т.к. эти вещества, особенно щелочи и кислоты, очень неблагоприятно воздействуют на поверхностные элементы и могут вывести их из строя, либо привести к деградации их характеристик.
Согласно с многочисленными исследованиями скорость ПХТ в диффузионной области напрямую зависит от доставки ХАЧ (химически активных частиц) и скорости диффузии к поверхности подложки, концентрации и распределения свободных радикалов атомов у поверхности. Лимитирующей стадией является доставка свободных атомов и радикалов. В топокинетической же области главную роль играют: суммарная площадь поверхности пластин, температура и ионное облучение. Лимитирующая стадия – химическая реакция между свободными атомами (радикалами) и поверхностными атомами материала.
Целью настоящей работы является исследование перехода диффузионной стадии в топокинетическую, что позволит глубже понять процесс ПХТ и найти оптимальные параметры реакции, при которых скорость травления кремниевых пластин будет наилучшей.


Купить