Тема: Электрохимическая модификация кремния в эффекте памяти в структуре Si/нематик/прозрачный электрод

Жидкие кристаллы используются в многих отраслях фундаментальных исследований. Потребность в создании оптических компонентов, в основу которых входят жидкие кристаллы, стимулируют не только проблемы, возникающие в процессе исследований связанных с практическими приложениями, но и зачастую заставляют переосмысливать отношение к данному разделу науки в целом [3].
Созданные светоуправляемые модуляторы света на основе нематических и смектических жидких кристаллов нашли широкое применение в оптических схемах адаптивной оптики и голографии. На основе жидких кристаллов были разработаны электроуправляемые устройства, которые на данный момент используются в качестве аттенюаторов оптического сигнала и переключателей.
Технологии, в основе которых используются бистабильные жидкокристаллические дисплеи, привлекли большое внимание производителей и пользователей. Основанные на использовании эффекта физической памяти, бистабильные технологии используют в дисплее жидкокристаллические материалы без применения активных элементов [2].
Изображение на бистабильных жидкокристаллических дисплеях, будучи однократно записанное может сохраняться длительное время при этом, не требуя регенерации и подачи сигналов для поддержания эффекта «памяти». Благодаря этому свойству, можно значительно уменьшить потребляемую мощность жидкокристаллических дисплеев.
Цель работы: Исследование электрохимической модификации кремния в эффекте памяти в структуре Si/нематик/прозрачный электрод
Задачи:
1) исследовать свойства эффекта «памяти» в структуре
Si/нематик/прозрачный электрод с электрохимически
модифицированной поверхностью кремния;
2) установить роль примесей в жк материале в эффекте «памяти»;
3) установить влияние типа проводимости на протекание эффекта «памяти»;
4) провести электронно-микроскопические исследования поверхности кремния, применяемого в экспериментах.

Купить

В ходе выполнения работы получены следующие результаты:
1) исследован эффект «памяти», который заключается в переходе директора в гомеотропное состояние при действии на жидкокристаллическую ячейку (структура Si/нематик/прозрачный электрод) постоянного смещения с отрицательной полярностью, и долговременном, зависящем от величины смещения, нахождении директора в этом состоянии на кремниевой подложке;
2) смещение с положительной полярностью стабилизирует директор в состоянии «памяти» неограниченное время;
3) установлено, что как собственные так и привнесённые из вне примеси в жк материале неустановленной (на данном этапе исследований) природы являются необходимым условием реализации эффекта «памяти»;
4) темп перехода директора в гомеотропное состояние зависит от типа проводимости кремния;
5) установлено, что на свежетравленной поверхности кремния в окрестности первого контакта жидкого кристалла из класса цианобифенилов при впуске его в ячейку, может формироваться ориентация нематика с повышенным порогом эффекта Фредерикса;
6) установлен эффект электрохимического анодирования поверхности кремния в жк ячейке при положительном смещении.

Купить