Тема: ДИСПЕРСИОННЫЕ СООТНОШЕНИЯ В ДВУМЕРНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
Глава 1. Фотонные кристаллы 5
1.1. Основные характеристики 5
1.2. Создание и применение фотонных кристаллов 7
Глава 2. Решение уравнений Максвелла в общем случае 11
2.1. Решение уравнений Максвелла 11
2.2. Метод плоских волн 14
2.3. Разложение диэлектрической функции 19
Глава 3. Случай двумерного фотонного кристалла 21
3.1. Разложение диэлектрической функции для двумерного фотонного
кристалла. 21
3.2. Решение уравнений Максвелла для двумерного фотонного
кристалла. 23
3.3. Девятикомпонентное разложение 25
Результаты и выводы 30
Список литературы
📖 Введение
Фотонные кристаллы (ФК) - новый класс структур, с периодически меняющимся показателем преломления (диэлектрической проницаемостью) либо с неоднородностью, период которой сравним с длиной волны света [1]. Отличительной особенностью таких периодических структур является фотонная запрещенная зона [2] - интервал запрещенных энергий или частот, в пределах которого свет экспоненциально затухает. Такая зона является оптическим аналогом запрещенной зоны в полупроводниках.
Существование запрещенных зон объясняется рассеиванием излучения на кристалле, параметры решетки которого имеют тот же порядок, что и длина волны самого излучения, то есть запрещённые зоны обуславливают возникновение стоячих волн. Материалы, в которых имеется фотонная запрещенная зона, представляют собой класс диэлектриков, которые способствуют двум принципиально новым оптическим принципам, а именно локализации света и контролируемому ингибированию спонтанного излучения света от атомов и молекул. Польза таких материалов в основном обусловлена их способностью реализовывать эти две функции. [3]
Концепция фотонной запрещенной зоны порождает в фотонных кристаллах массу необычных квантово-электродинамических эффектов, таких как: изменение массы покоя электрона [4], локализация излучения вблизи края фотонных запрещенных зон и на дефектах [5], возможность управления спонтанным излучением и скоростью его испускания [6] и другие.
Указанные эффекты интересны как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения, поскольку в будущем позволят сконструировать устройства на новых принципах. Однако для исследований в этом направлении необходимо развитие методов определения свойств электромагнитного поля в фотонных кристаллах. В данной работе для решения этой проблемы была поставлена цель - исследование характеристик магнитного поля в двумерных фотонных кристаллах.
Таким образом, были поставлены следующие задачи:
1) Решить уравнения Максвелла для двумерного фотонного кристалла в случае девятикомпонентного приближения.
2) Построить дисперсионные соотношения для двумерного фотонного кристалла в случае девятикомпонентного приближения.
3) Получить зонную диаграмму для двумерного фотонного кристалла в случае девятикомпонентного приближения.
✅ Заключение
2) Построены дисперсионные соотношения для двумерного фотонного кристалла в случае девятикомпонентного приближения.
3) Получена зонная диаграмма для двумерного фотонного кристалла в случае девятикомпонентного приближения.
4) Рассмотренный метод расчета позволяет получить зонную структуру фотонного кристалла, что является необходимым для решения различных теоретических задач.
5) Полученные результаты могут быть использованы в качестве рекомендации при синтезе фотонных кристаллов для нужд в фотонике.



