📄Работа №2687
Тема: Выпрямительный диод (прототип КД221).
Характеристики работы
Тип работы
Курсовые работы
Предмет
Радиотехника, радиоэлектроника
Объем:
26 стр. листов
Год:
2011
Просмотров:
940
6700
руб.
🛒 Купить работу
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.
📋 Содержание
Содержание
1.Теоретические указания к курсовому проектированию полупроводниковых диодов. (Порядок расчёта выпрямительных диодов с резким р - n – переходом)……………………3
1.1 Выбор материала (Ge, Si, GaAs)………………………………………………………..3
1.2 Выбор структуры диода…………………………………………………………………4
1.3. Выбор площади p+-n- диода…………………………………………………………….4
1.4. Выбор толщины базы…………………………………………………………………...4
1.5. Определение концентрации примеси в базе…………………………………………..4
1.6. Определение концентрации примеси в подложке…………………………………….6
1.7. Определение удельного сопротивления материала базы для р+-n-структуры или подложки для р+-n-n+-структуры и выбор марки материала подложки…………..…………6
1.8. Выбор концентрации примеси в эмиттере……………………………………………9
1.9. Выбор конструкции корпуса………………………………………………………….10
1.10. Расчет прямой ветви вольт-амперной характеристики......................................10
1.11. Расчет обратной ветви вольт-амперной характеристики…………………………..12
1.12. Расчет предельной частоты…………………………………………………………..13
1.13. Конструкции корпусов диодов………………………………………………………14
2. Расчетная часть курсового проекта……………………………………..……………….…20
2.1. Выбор материала и структуры диода……………………………………………..….20
2.2. Выбор площади p+ - n –перехода и толщены базы…………………………………..20
2.3. Определение концентраций…………………………………………………………...21
2.4. Определение удельного сопротивления материала базы для р+-n-структуры и выбор марки материала………………………………………………………………………...21
2.5.Тепловой режим и выбор типа конструкции корпуса диода………………………...21
2.6. Вольт – амперная характеристика диода……………………………………………..21
2.7. Частотная характеристика диода……………………………………………………..25
Список литературы……………………………………………………………………………..26
1.Теоретические указания к курсовому проектированию полупроводниковых диодов. (Порядок расчёта выпрямительных диодов с резким р - n – переходом)……………………3
1.1 Выбор материала (Ge, Si, GaAs)………………………………………………………..3
1.2 Выбор структуры диода…………………………………………………………………4
1.3. Выбор площади p+-n- диода…………………………………………………………….4
1.4. Выбор толщины базы…………………………………………………………………...4
1.5. Определение концентрации примеси в базе…………………………………………..4
1.6. Определение концентрации примеси в подложке…………………………………….6
1.7. Определение удельного сопротивления материала базы для р+-n-структуры или подложки для р+-n-n+-структуры и выбор марки материала подложки…………..…………6
1.8. Выбор концентрации примеси в эмиттере……………………………………………9
1.9. Выбор конструкции корпуса………………………………………………………….10
1.10. Расчет прямой ветви вольт-амперной характеристики......................................10
1.11. Расчет обратной ветви вольт-амперной характеристики…………………………..12
1.12. Расчет предельной частоты…………………………………………………………..13
1.13. Конструкции корпусов диодов………………………………………………………14
2. Расчетная часть курсового проекта……………………………………..……………….…20
2.1. Выбор материала и структуры диода……………………………………………..….20
2.2. Выбор площади p+ - n –перехода и толщены базы…………………………………..20
2.3. Определение концентраций…………………………………………………………...21
2.4. Определение удельного сопротивления материала базы для р+-n-структуры и выбор марки материала………………………………………………………………………...21
2.5.Тепловой режим и выбор типа конструкции корпуса диода………………………...21
2.6. Вольт – амперная характеристика диода……………………………………………..21
2.7. Частотная характеристика диода……………………………………………………..25
Список литературы……………………………………………………………………………..26
📖 Введение
Выбор материала (Ge, Si, GaAs).
Выбор материала полупроводникового прибора определяется предельно допустимой температурой кристалла, падением напряжения при протекании прямого тока, величиной обратного напряжения, граничной частотой. Температура кристалла определяется мощностью, выделяемой в диоде при прохождении тока, и условиями теплоотвода.
Предельной считается температура, при которой концентрация собственных носителей достигает концентрации примесных. Она может быть определена после выбора концентрации примеси в базе диода по графику
Выбор материала полупроводникового прибора определяется предельно допустимой температурой кристалла, падением напряжения при протекании прямого тока, величиной обратного напряжения, граничной частотой. Температура кристалла определяется мощностью, выделяемой в диоде при прохождении тока, и условиями теплоотвода.
Предельной считается температура, при которой концентрация собственных носителей достигает концентрации примесных. Она может быть определена после выбора концентрации примеси в базе диода по графику
✅ Заключение
Частотная характеристика диода.
Частотные свойства диода определяются величинами барьерной, диффузионной емкостей, а также сопротивлений базы и нагрузки. Предельной считается частота, на которой выпрямленный ток уменьшается до уровня 0,707 своего значения при 50 Гц.
Для выпрямительных диодов спад частотной характеристики с ростом частоты обусловлен в основном диффузионной емкостью диода. Физически это проявляется в возвращении при смене прямой полярности приложенного к диоду напряжения на обратное части, введенных в базу носителей, которые не успели рекомбивировать (толстая база) или уйти из базы (тонкая базы), в область пространственного заряда. При этом происходит всплеск обратного тока, который уменьшает средний выпрямленный ток.
Рассчитанная граничная частота по равна 5.002*10^4
Частотные свойства диода определяются величинами барьерной, диффузионной емкостей, а также сопротивлений базы и нагрузки. Предельной считается частота, на которой выпрямленный ток уменьшается до уровня 0,707 своего значения при 50 Гц.
Для выпрямительных диодов спад частотной характеристики с ростом частоты обусловлен в основном диффузионной емкостью диода. Физически это проявляется в возвращении при смене прямой полярности приложенного к диоду напряжения на обратное части, введенных в базу носителей, которые не успели рекомбивировать (толстая база) или уйти из базы (тонкая базы), в область пространственного заряда. При этом происходит всплеск обратного тока, который уменьшает средний выпрямленный ток.
Рассчитанная граничная частота по равна 5.002*10^4
ИЛИ
Поиск аналога
📕 Список литературы
🛒 Оформить заказ
⚡ Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.