Тема: Анализ параметров, влияющих на образование нанокластеров Si-Ge

В настоящее время электроника на основе полупроводниковых материалов занимает одно из ведущих мест. С каждым годом производители уменьшить габариты таких устройств, что приводит к изучению
размеры которых находятся в нанометровом диапазоне.
Нанокластеры, сформированные на поверхности подложки, близки к реальным структурам, используемых в электронике. Это и
актуальность исследования таких систем.
. Наноструктуры на основе гетеросистемы германий-на-кремнии привлекают внимание технологов благодаря значительному прогрессу в разработке новых приборов с квантовыми эффектами, несмотря на 4%-ую разницу между параметрами решетки Ge и Si. [5]
Так же в последнее время, нанокристаллы Si и Ge , встроенные в матрицу из
диоксида кремния, широко изучаются на предмет их люминесцентных и удерживающих заряд свойств микроэлектронных устройств полупроводник (МОП). Что
расположенный на туннелирующем расстоянии
используется в качестве плавающего затвора, чтобы уменьшить потерю бокового заряда, ограничивий обычную флэш-память. Инжекция более тонкого оксида в память нанокластеров позволяют увеличить надежность и выносливость, более быстрое время записи / стирания и пониженное рабочее напряжение. Слои SiO2 с внедренными нанокристаллами могут быть изготовлены с использованием нескольких методов, включая напыление [1], распыление [2] и методы ионной имплантации [3]. Благодаря высокой совместимости с современной технологией МОП, ионная имплантация с последующим отжигом представляется подходящим методом для изготовления нанокластеров памяти.[4]
Принимая во внимание, что исследования памяти нанокластеров были в основном сфокусированы на кластерах Si, Ge также представляет интерес из-за его меньшей ширины запрещенной зоны, вызывающей теоретически лучшее время удержание заряда и более быстрое время записи / стирания.
Так же интерес к нанокластерам Ge и Si связан с рядом следующих фактров:
1. Прогресс в разработке технологии получения массива нанокластеров Ge , который является достаточно однородным по размеру;
2. Размеры нанокластеров приведены к значениям,
обеспечивающих появлению квантовых эффектов и электрон-
электронного взаимодействия вплоть до комнатной температуры;
3. Совместимость разработанных методов с существующими кремниевыми технологиями для производства дискретных устройств.[5]
Таким образом, цель настоящей работы - анализ параметров влияющих на формирование нанокластеров Si-Ge.
Для достижения оставленной цели необходимо:
1. Проанализировать существующие методы формирования нанокластеров.
2. Выявить главные факторы, влияющие на образования и свойства кластеров.

Купить

В данной работе были детально исследована теория зарождения новой фазы, а так же какие параметры влияют на формирование нанокластеров Si-Ge, и свойства данной гетерогенной системы.
В результате выполненной работы были выявлены такие параметры как температура, чистота подложки, морфология поверхности, ориентация поверхности, а так же скорость осаждения и метод используемый для формирования кластеров.

Купить