Тема: МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО РАССЕЯНИЯ НА ТРЁХОСНОМ ИМПЕДАНСНОМ ЭЛЛИПСОИДЕ

Изучение электромагнитных полей, рассеянных телами различной формы и природы, имеет большое значение для решения ряда практически важных проблем, возникающих в радиолокации, дефектоскопии и других областях. Одним из таких тел является так называемая “импедансное тело”. Такое тело, в частных случаях, является моделью металлического тела, покрытого тонким слоем диэлектрика.
К настоящему времени имеется достаточно много работ, посвященных рассеянию электромагнитных волн на импедансных телах, обладающих симметрией вращения (см., например, работы ). Поэтому во многих случаях при оценке характеристик рассеяния реальных тел тело произвольной формы стараются аппроксимировать подходящим телом вращения. Однако при этом встаёт вопрос о том, насколько при этом изменяются характеристики рассеяния. Одним из тел, позволяющих исследовать этот вопрос, является трёхосный эллипсоид.
Целью данной работы является исследование влияния отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его бистатические сечения рассеяния при различных типах импеданса поверхности.
Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:
1) решение задачи рассеяния электромагнитной волны на импедансном эллипсоиде методом дискретных источников;
2) реализация полученного решения в виде программы для расчёта компонент рассеянного поля;
3) использование разработанной программы для расчёта бистатических сечений рассеяния эллипсоидов, характеризующихся различными типами импеданса поверхности, при различных величинах отклонений его формы от осесимметричной;
4) анализ полученных результатов.
Купить

В данной работе метод дискретных источников использован для
моделирования электромагнитного рассеяния на трехосном импедансном
эллипсоиде. Получены необходимые расчеты соотношения, реализованные в
виде компьютерной программы для определения компонент рассеянного поля
и контроля точности полученного решения по критерию невязки граничных
условий. С помощью этой программы исследованы зависимость нормы
невязки граничных условий от положения вспомогательной поверхности, а
также влияние отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его
бистатические сечения рассеяния при различном характере импеданса
поверхности. Установлено, что наименьшие изменения при отклонении
формы эллипсоида от осесимметричной испытывают сечения рассеяния в
областях, прилегающих к направлению прямого рассеяния. Наибольшие
изменения испытывают сечения рассеяния в окрестностях минимумов
диаграмм рассеяния. Установлено также, что при одинаковых отклонениях
формы эллипсоида от осесимметричной изменение сечения рассеяния для
эллипсоидов с чисто емкостным импедансом существенно меньше, чем для
эллипсоидов с комплексными или чисто индуктивными импедансами (в
случае равенства модулей импедансов).
Купить