Реферат
Введение 5
1 Анализ режимов работы атомно-силового микроскопа 6
1.1 Общие представления работы атомно-силового микроскопа 6
1.2 Особенности анализа поверхности плёнок методами атомно-силовой микроскопии 12
2 Обзор свойств полупроводниковых оксидов 20
2.1 Физико-химические свойства диоксида олова 20
2.2 Электрические свойства диоксида олова 23
3 Особенности исследования плёнок полупроводниковых оксидов методом атомно-силовой микроскопии 27
4 Безопасность жизнедеятельности в химической лаборатории 37
4.1 Микроклимат 37
4.2. Шум 38
4.3 Освещенность 38
4.4. Работа с химическими веществами 38
4.5 Электробезопасность при работе с установками и ПЭВМ 39
4.6. Анализ вредных факторов, сопровождающих работу человека оператора
ПЭВМ 40
4.7. Пожарная профилактика 42
Заключение 44
Список использованных источников 45
Приложение А. Техническое задание на ВКР 47
Приложение Б Заявление и протокол проверки ВКР на оригинальность в системе «Антиплагиат.ВУЗ» 51
Приложение В. Презентация ВКР
В настоящее время существует целое семейство методов, объединенных на
званием «сканирующая зондовая микроскопия» (СЗМ). Сканирующими зондовы
ми микроскопами называют приборы, предназначенные для изучения свойств поверхности при помощи твердотельных заостренных зондов (игл) в процессе их
взаимного перемещения по заданным алгоритмам. Любой СЗМ-микроскоп состо
ит из твердотельного зонда, сканера, обеспечивающего относительное перемеще
ние зонда и образца по трем координатам, системы подвода зонда и образца, сис
темы регистрации аналитических сигналов, электронной системы управления и
считывания данных, системы записи обработки информации, системы виброзащиты. Одним из основных приборов СЗМ является атомно-силовой микроскоп
(ACM).
Достоинством атомно-силовой микроскопии является возможность неразрушающего контроля структуры поверхности тонких плёнок в трёх измерениях.
Настоящая работа посвящена исследованию тонких полупроводниковых плёнок
на основе оксидных материалов (SNO2, SO-SiO2) методом АСМ.
Сканирующая туннельная микроскопия возникла чуть более 20 лет, но за
это время стала одним из мощных методов анализа полупроводниковых материалов и структур и обусловила появление многочисленных методов сканирующей зондовой микроскопии.
В настоящее время нельзя представить современного инженера, незнающего принципов СЗМ. Без знания принципов действия этих приборов и их возможностей при решении задач микро- и наноэлектроники.
В настоящей работе проведено исследование структуры поверхности тонких полупроводниковых плёнок на основе диоксида олова, полученных золь-гель методом. Установлено влияние времени и температуры отжига на все виды параметров поверхности материала.
