Тема: МЕТОДИЧЕСКОЕ И МУЛЬТИМЕДИЙНОЕ СОПРОВОЖДЕНИЕ ФАКУЛЬТАТИВНЫХ ЗАНЯТИЙ ПО ФИЗИКЕ НА ТЕМУ «НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ»

1. Адачи, Садао (1982). Msgstr "Материальные параметры двоичных файлов In1-xGaxAsyP1-y и связанных с ними". Журнал прикладной физики. 53 (12): 8775-8792. DOI: 10.1063 / 1.330480. ISSN 0021-8979.
2. Андерсон, Нил Г. (13 апреля 1995 года). «Идеальная теория солнечных элементов с квантовыми ямами». Журнал прикладной физики. 78 (3): 1850-1861. Bibcode: 1995JAP .... 78.1850A. DOI: 10.1063 / 1.360219. ISSN 0021-8979.
3. Андерсон, Р. Л. (1960)."Германо-галлиевые арсенидные
гетеропереходы [Письмо в редакцию]". Журнал IBM исследований и разработок.
4 (3): 283-287. DOI: 10.1147 / rd.43.0283. ISSN 0018-8646.
4. Асаи, Хиромитсу; О, Кунишиге (1983). «Сдвиг запрещенной зоны энергии с упругой деформацией в эпитаксиальных слоях GaxIn1 - xP на подложках (001) GaAs». Журнал прикладной физики. 54 (4): 2052-2056. DOI: 10.1063 / 1.332252. ISSN 0021-8979.
5. Барнхем, Кит; Баллард, Ян; Барнс, Дженни; Коннолли, Джеймс;
Гриффин, Пол; Kluftinger, Benjamin; Нельсон, Дженни; Цуй, Эрнест; Захариу Александр (1997-04-01).«Квантовые колодцы солнечных батарей».
Прикладная наука о поверхности. Материалы восьмой международной конференции по твердым пленкам и поверхностям. 113-114: 722-733.
Bibcode: 1997ApSS..113..722B. DOI: 10.1016 / S0169-4332 (96) 00876-8. ISSN 0169-4332.
6. Барнхем, К.; Захариу А. (1997). «Квантовые колодцы солнечных
батарей». Прикладная наука о поверхности. 113-114: 722-733. Bibcode:
1997ApSS..113..722B. DOI: 10.1016 / S0169-4332 (96) 00876-8.
7. Воронов В.К., Подоплелов А.В. Современная физика: Учебное пособие. - М.: КомКнига, 2005. - 512 с.
8. Гекельман, Стефан; Лакнер, Дэвид; Керхер, Кристиан; Димрот, Фрэнк; Бетт, Андреас В. (2015). «Исследования солнечных батарей AlxGal- xAs, выращенных MOVPE». IEEE Журнал Фотовольтаики. 5 (1): 446-453. DOI: 10,1109 / jphotov.2014.2367869.
9. Derkacs, D .; Chen, W. V .; Мэтью, П. М .; Lim, S.H .; Ю., П. К. Л .; Ю., Э. Т. (2008). «Рассеяние света, вызванное наночастицами, для улучшения характеристик солнечных элементов с квантовыми ямами». Письма по прикладной физике. 93 (9): 091107. Bibcode: 2008ApPhL..93i1107D. DOI: 10.1063 / 1.2973988.
10. Джайн, Нихил; Geisz, JohnF .; Франция, Райан М .; Норман, Андрей Г .; Штайнер, Майлз А. (2017). «Улучшенный сбор тока в солнечных элементах GaInAsP 1,7 эВ, выращенных на GaAs методом парофазной эпитаксии металлов». IEEE Журнал Фотовольтаики. 7 (3): 927-933. DOI: 10,1109 / jphotov.2017.2655035.
11. JohnWiley&Sons,«Квантовые провода и точки», Квантовые колодцы, Провода и точки, Ltd, 2006-01-27, с. 243-270, doi: 10.1002 / 0470010827.ch8, ISBN 978-0-470. -01082-2
12. Кинг Р., Лоу Д., Фетцер С., Шериф Р., Эдмондсон К., Курц С., ... и Карам Н. Х. (2005, июнь). Пути к 40% -эффективному концентратору фотовольтаики. В учеб. 20-я Европейская конференция по фотоэлектрической солнечной энергии (стр. 10-11).
13. Марк; Испасою, Раду (2017), Касап, Сафа; Кэппер, Питер,
"Квантовые скважины, сверхрешетки и разработка запрещенных зон", Справочник электронных и фотонных материалов Springer,
SpringerIntemationalPublishing, p. 1, дои: 10.1007 / 978-3-319-48933-9_40, ISBN 978-3-319-48931-5
14. Нельсон, Дж.; Paxman, M.; Barnham, K.W.J.; Робертс, J.S .; Баттон С.
(июнь 1993 года). «Устойчивый выход носителя из одиночных квантовых ям». IEEE журнал квантовой электроники.29 (6): 1460-1468. Bibcode:
1993IJQE ... 29.1460N. DOI: 10.1109 / 3.234396. ISSN 0018-9197.
15. Odoh, E.O., &Njapba, A. S. (2015). Обзор полупроводниковых приборов с квантовыми ямами.Adv. Phys. Теор. Appl, 46, 26-32...20

Купить