Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


МЕТОДИЧЕСКОЕ И МУЛЬТИМЕДИЙНОЕ СОПРОВОЖДЕНИЕ ФАКУЛЬТАТИВНЫХ ЗАНЯТИЙ ПО ФИЗИКЕ НА ТЕМУ «НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ»

Работа №151565

Тип работы

Бакалаврская работа

Предмет

физика

Объем работы58
Год сдачи2020
Стоимость4600 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
23
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 3
Цель и задачи бакалаврской работы 3
ГЛАВА 1. НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
1.1. Виды полупроводниковых низкоразмерных структур
1.1.1. Квантовые ямы 5
1.1.2. Квантовые нити 11
1.1.3. Квантовые точки 13
1.2. Технологии получения низкоразмерных полупроводниковых структур
1.2.1. Технологии производства квантовых ям 15
1.2.2. Технологии производства квантовых нитей 16
1.2.3. Технологии производства квантовых точек 17
1.3. Практическое использование низкоразмерных полупроводниковых структур в технике
1.3.1. Практическое использование квантовых ям в технике 19
1.3.2. Практическое использование квантовых нитей в технике 22
1.3.3. Практическое использование квантовых точек в технике 22
ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКОЕ СОПРОВОЖДЕНИЕ ФАКУЛЬТАТИВНЫХ ЗАНЯТИЙ ПО ФИЗИКЕ НА ТЕМУ «НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ»
2.1. Факультативное занятие на тему «Квантовые ямы и нити. Их
использование в технике» 27
2.2. Факультативное занятие на тему «Квантовые точки и их использование в
медицине и технике» 32
Глава 3. МУЛЬТИМЕДИЙНОЕ СОПРОВОЖДЕНИЕ ФАКУЛЬТАТИВНЫХ ЗАНЯТИЙ ПО ФИЗИКЕ НА ТЕМУ «НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ»
3.1. Разработка презентации на тему «Низкоразмерные полупроводниковыеструктуры » 38
3.2. Разработка презентации на тему использование низкоразмерных
полупроводниковых технологий в быту и технике 40
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 43
Приложение 1 46
Приложение 2 52


Изучению полупроводников уделяется в настоящее время большое внимание, как с точки зрения технологий, так и фундаментальных физических исследований. В последние годы физика конденсированного состояния смогла изучить полупроводниковые системы, свойства которых радикально отличаются от свойств массивных материалов. Основной областью роста было, без сомнения, изучение таких систем -слоистые структуры, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии или металл-органического химического осаждения из паровой фазы. Эти структуры состоят из полупроводниковых слоев с геометрией поверхности раздела, уровнем легирования и химическим составом, определенными с точностью атомного масштаба. Эти системы теперь обычно называют «низкоразмерными полупроводниковыми структурами» (НРПС). Основная причина необычных свойств НРПС - это квантово-механическое ограничение степеней свободы до двух, одного или даже нуля. Это изменение эффективной размерности с такими малыми масштабами длины (сравнимыми с длиной волны де Бройля), что квантово-размерные эффекты становятся легко наблюдаемыми, что приводит к захватывающим изменениям в электронном транспорте и оптических свойствах. Теперь с НРПС стало возможным заниматься «конструированием запрещенной зоны», чтобы транспортные и другие свойства электронов и дырок могли непрерывно и независимо изменяться, что приводит к интересной физике и новым классам полупроводниковых приборов. Также огромны достижения и успехи в практическом использовании НРПС в быту и технике. В связи с этим, бакалаврская работа, посвященная разработке методического и мультимедийного сопровождения факультативных занятий по физике на данную тематику является актуальной.
Цель бакалаврской работы заключается в формировании первоначальных знаний у школьников в области низкоразмерных полупроводниковых структур на факультативных занятиях по физике; разработка методического и мультимедийного сопровождения факультативных занятий по физике на тему «Низкоразмерные полупроводниковые структуры».
Исходя из цели работы, были поставлены следующие задачи:
1. Провести анализ учебно-методической литературы по теме исследования.
2. Разработать два факультативных занятия по физике для 10 класса на тему «Квантовые ямы и нити. Их использование в технике» и «Квантовые точки и их использование в медицине и технике».
3. Разработать мультимедийное сопровождение, в виде презентаций факультативных занятий по физике на тему «Низкоразмерные полупроводниковые структуры».


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Для обучающихся сам предмет физика - предмет открытия чего-то нового, подтверждение теории практикой, объяснение различных процессов экспериментом. И очень важно, чтобы занятия давали ученику возможность не только узнать интересную информацию, но и дать пищу для размышления, для творчества. Для этого и нужно вводить факультативные занятия с темами, которые не присутствуют в школьной программе. Это даст возможность расширить свой кругозор, возможно, приведет к открытиям юных исследователей.
К сожалению, не во всех школах есть возможность проводить эксперименты, в виду недостатка оборудования. Да и есть такие темы занятий, которые невозможно провести в рамках кабинета физики. Мы знаем, что привлечь ребенка лишь теорией трудно. Но мы живем в век новых технологий и интернета, благодаря чему мы можем создавать мультимедийное сопровождение любому уроку и факультативному занятию. Это позволяет нам привлечь внимание обучающегося, заинтересовать его в данной теме, наглядно объяснить тот или иной физический процесс.
В свою очередь, хочу сказать, что выбранная мною тема актуальна сейчас и будет актуальна еще много лет. Ведь наука не стоит на месте. А использование низкоразмерных полупроводниковых структур дает для исследователей неограниченную возможность новых открытий.
Поставленные в бакалаврской работе цели и задачи полностью выполнены.



1. Адачи, Садао (1982). Msgstr "Материальные параметры двоичных файлов In1-xGaxAsyP1-y и связанных с ними". Журнал прикладной физики. 53 (12): 8775-8792. DOI: 10.1063 / 1.330480. ISSN 0021-8979.
2. Андерсон, Нил Г. (13 апреля 1995 года). «Идеальная теория солнечных элементов с квантовыми ямами». Журнал прикладной физики. 78 (3): 1850-1861. Bibcode: 1995JAP .... 78.1850A. DOI: 10.1063 / 1.360219. ISSN 0021-8979.
3. Андерсон, Р. Л. (1960)."Германо-галлиевые арсенидные
гетеропереходы [Письмо в редакцию]". Журнал IBM исследований и разработок.
4 (3): 283-287. DOI: 10.1147 / rd.43.0283. ISSN 0018-8646.
4. Асаи, Хиромитсу; О, Кунишиге (1983). «Сдвиг запрещенной зоны энергии с упругой деформацией в эпитаксиальных слоях GaxIn1 - xP на подложках (001) GaAs». Журнал прикладной физики. 54 (4): 2052-2056. DOI: 10.1063 / 1.332252. ISSN 0021-8979.
5. Барнхем, Кит; Баллард, Ян; Барнс, Дженни; Коннолли, Джеймс;
Гриффин, Пол; Kluftinger, Benjamin; Нельсон, Дженни; Цуй, Эрнест; Захариу Александр (1997-04-01).«Квантовые колодцы солнечных батарей».
Прикладная наука о поверхности. Материалы восьмой международной конференции по твердым пленкам и поверхностям. 113-114: 722-733.
Bibcode: 1997ApSS..113..722B. DOI: 10.1016 / S0169-4332 (96) 00876-8. ISSN 0169-4332.
6. Барнхем, К.; Захариу А. (1997). «Квантовые колодцы солнечных
батарей». Прикладная наука о поверхности. 113-114: 722-733. Bibcode:
1997ApSS..113..722B. DOI: 10.1016 / S0169-4332 (96) 00876-8.
7. Воронов В.К., Подоплелов А.В. Современная физика: Учебное пособие. - М.: КомКнига, 2005. - 512 с.
8. Гекельман, Стефан; Лакнер, Дэвид; Керхер, Кристиан; Димрот, Фрэнк; Бетт, Андреас В. (2015). «Исследования солнечных батарей AlxGal- xAs, выращенных MOVPE». IEEE Журнал Фотовольтаики. 5 (1): 446-453. DOI: 10,1109 / jphotov.2014.2367869.
9. Derkacs, D .; Chen, W. V .; Мэтью, П. М .; Lim, S.H .; Ю., П. К. Л .; Ю., Э. Т. (2008). «Рассеяние света, вызванное наночастицами, для улучшения характеристик солнечных элементов с квантовыми ямами». Письма по прикладной физике. 93 (9): 091107. Bibcode: 2008ApPhL..93i1107D. DOI: 10.1063 / 1.2973988.
10. Джайн, Нихил; Geisz, JohnF .; Франция, Райан М .; Норман, Андрей Г .; Штайнер, Майлз А. (2017). «Улучшенный сбор тока в солнечных элементах GaInAsP 1,7 эВ, выращенных на GaAs методом парофазной эпитаксии металлов». IEEE Журнал Фотовольтаики. 7 (3): 927-933. DOI: 10,1109 / jphotov.2017.2655035.
11. JohnWiley&Sons,«Квантовые провода и точки», Квантовые колодцы, Провода и точки, Ltd, 2006-01-27, с. 243-270, doi: 10.1002 / 0470010827.ch8, ISBN 978-0-470. -01082-2
12. Кинг Р., Лоу Д., Фетцер С., Шериф Р., Эдмондсон К., Курц С., ... и Карам Н. Х. (2005, июнь). Пути к 40% -эффективному концентратору фотовольтаики. В учеб. 20-я Европейская конференция по фотоэлектрической солнечной энергии (стр. 10-11).
13. Марк; Испасою, Раду (2017), Касап, Сафа; Кэппер, Питер,
"Квантовые скважины, сверхрешетки и разработка запрещенных зон", Справочник электронных и фотонных материалов Springer,
SpringerIntemationalPublishing, p. 1, дои: 10.1007 / 978-3-319-48933-9_40, ISBN 978-3-319-48931-5
14. Нельсон, Дж.; Paxman, M.; Barnham, K.W.J.; Робертс, J.S .; Баттон С.
(июнь 1993 года). «Устойчивый выход носителя из одиночных квантовых ям». IEEE журнал квантовой электроники.29 (6): 1460-1468. Bibcode:
1993IJQE ... 29.1460N. DOI: 10.1109 / 3.234396. ISSN 0018-9197.
15. Odoh, E.O., &Njapba, A. S. (2015). Обзор полупроводниковых приборов с квантовыми ямами.Adv. Phys. Теор. Appl, 46, 26-32...20



Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ