Введение
1. Обзор литературы 11
1.1 Физико-химические свойства и синтез CdTe 11
1.2 Влияние примесей на электрофизические характеристики CdTe 10
1.3 Краевое оптическое поглощение в А2В6 14
1.4 Люминесценция монокристаллов А2В6 21
2. Методика 29
3.Экспериментальные результаты 33
4. социальная ответственность 40
Монокристаллы типа А2В6 широко применяются при производстве полупроводниковых лазеров с поперечной и продольной накачкой .
Изменение физических свойств полупроводниковых кристаллов при облучении ионизирующей радиацией определяется накоплением стабильных дефектов - результатом сложной совокупности протекающих во времени процессов генерации, взаимодействия и распада электронно-дырочных возбуждений и первичных структурных дефектов. В связи с этим, исследования закономерностей формирования импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) необходимы как для разработки способов отбраковки, так и для оптимизации технологии роста монокристалла CdTe.
Цель данной работы является экспериментальным изучением импульсной катодолюминесценции монокристаллов теллурида кадмия при импульсном электронном возбуждении при изменении плотности энергии и схем регистрации.