📄Работа №192743
Тема: МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО РАССЕЯНИЯ НА ТРЁХОСНОМ ИМПЕДАНСНОМ ЭЛЛИПСОИДЕ
Характеристики работы
Тип работы
Дипломные работы, ВКР
Предмет
Информатика и вычислительная техника
Объем:
35 листов
Год:
2025
Просмотров:
55
3700
руб.
🛒 Купить работу
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.
📋 Содержание
Аннотация
ВВЕДЕНИЕ 7
1 Постановка задачи 8
2 Решение задачи 10
3 Определение координат точек коллокации, точек размещения диполей, а
также направлений, по которым ставятся граничные условия и ориентируются диполи 19
4 Решение системы линейных алгебраических уравнений 22
5 Контроль точности решения задачи 24
6 Характеристики рассеянного поля 25
7 Описание компьютерной программы 26
8 Численные результаты 28
8.1 Влияние расположения вспомогательной поверхности на величину
относительной нормы невязки граничных условиях 28
8.2 Влияние отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на
его бистатические сечения рассеяния 30
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 35
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 36
ВВЕДЕНИЕ 7
1 Постановка задачи 8
2 Решение задачи 10
3 Определение координат точек коллокации, точек размещения диполей, а
также направлений, по которым ставятся граничные условия и ориентируются диполи 19
4 Решение системы линейных алгебраических уравнений 22
5 Контроль точности решения задачи 24
6 Характеристики рассеянного поля 25
7 Описание компьютерной программы 26
8 Численные результаты 28
8.1 Влияние расположения вспомогательной поверхности на величину
относительной нормы невязки граничных условиях 28
8.2 Влияние отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на
его бистатические сечения рассеяния 30
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 35
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 36
📖 Аннотация
Работа посвящена моделированию электромагнитного рассеяния на трёхосном импедансном эллипсоиде. Актуальность исследования обусловлена необходимостью оценки погрешностей, возникающих при аппроксимации тел произвольной формы осесимметричными моделями в задачах радиолокации и дефектоскопии. В качестве основного метода использован метод дискретных источников, на основе которого получены расчётные соотношения и разработана компьютерная программа для определения компонент рассеянного поля с контролем точности по критерию невязки граничных условий. Численно исследовано влияние отклонения формы от осесимметричной на бистатические сечения рассеяния для различных типов поверхностного импеданса. Установлено, что наименьшие изменения происходят в областях, прилегающих к направлению прямого рассеяния, а наибольшие — в окрестностях минимумов диаграмм; показано, что для эллипсоидов с чисто ёмкостным импедансом изменения существенно меньше, чем для случаев с комплексным или чисто индуктивным импедансом. Полученные результаты и алгоритм, развивающий подходы, описанные в работах Sebak A.A. и Shafai L., а также Дмитренко А.Г. и Мукомолова А.И., могут быть использованы при проектировании радиолокационных систем и в задачах неразрушающего контроля для более точного моделирования рассеяния на объектах сложной формы.
📖 Введение
Изучение электромагнитных полей, рассеянных телами различной формы и природы, имеет большое значение для решения ряда практически важных проблем, возникающих в радиолокации, дефектоскопии и других областях. Одним из таких тел является так называемая “импедансное тело”. Такое тело, в частных случаях, является моделью металлического тела, покрытого тонким слоем диэлектрика.
К настоящему времени имеется достаточно много работ, посвященных рассеянию электромагнитных волн на импедансных телах, обладающих симметрией вращения (см., например, работы ). Поэтому во многих случаях при оценке характеристик рассеяния реальных тел тело произвольной формы стараются аппроксимировать подходящим телом вращения. Однако при этом встаёт вопрос о том, насколько при этом изменяются характеристики рассеяния. Одним из тел, позволяющих исследовать этот вопрос, является трёхосный эллипсоид.
Целью данной работы является исследование влияния отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его бистатические сечения рассеяния при различных типах импеданса поверхности.
Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:
1) решение задачи рассеяния электромагнитной волны на импедансном эллипсоиде методом дискретных источников;
2) реализация полученного решения в виде программы для расчёта компонент рассеянного поля;
3) использование разработанной программы для расчёта бистатических сечений рассеяния эллипсоидов, характеризующихся различными типами импеданса поверхности, при различных величинах отклонений его формы от осесимметричной;
4) анализ полученных результатов.
К настоящему времени имеется достаточно много работ, посвященных рассеянию электромагнитных волн на импедансных телах, обладающих симметрией вращения (см., например, работы ). Поэтому во многих случаях при оценке характеристик рассеяния реальных тел тело произвольной формы стараются аппроксимировать подходящим телом вращения. Однако при этом встаёт вопрос о том, насколько при этом изменяются характеристики рассеяния. Одним из тел, позволяющих исследовать этот вопрос, является трёхосный эллипсоид.
Целью данной работы является исследование влияния отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его бистатические сечения рассеяния при различных типах импеданса поверхности.
Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:
1) решение задачи рассеяния электромагнитной волны на импедансном эллипсоиде методом дискретных источников;
2) реализация полученного решения в виде программы для расчёта компонент рассеянного поля;
3) использование разработанной программы для расчёта бистатических сечений рассеяния эллипсоидов, характеризующихся различными типами импеданса поверхности, при различных величинах отклонений его формы от осесимметричной;
4) анализ полученных результатов.
✅ Заключение
В данной работе метод дискретных источников использован для
моделирования электромагнитного рассеяния на трехосном импедансном
эллипсоиде. Получены необходимые расчеты соотношения, реализованные в
виде компьютерной программы для определения компонент рассеянного поля
и контроля точности полученного решения по критерию невязки граничных
условий. С помощью этой программы исследованы зависимость нормы
невязки граничных условий от положения вспомогательной поверхности, а
также влияние отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его
бистатические сечения рассеяния при различном характере импеданса
поверхности. Установлено, что наименьшие изменения при отклонении
формы эллипсоида от осесимметричной испытывают сечения рассеяния в
областях, прилегающих к направлению прямого рассеяния. Наибольшие
изменения испытывают сечения рассеяния в окрестностях минимумов
диаграмм рассеяния. Установлено также, что при одинаковых отклонениях
формы эллипсоида от осесимметричной изменение сечения рассеяния для
эллипсоидов с чисто емкостным импедансом существенно меньше, чем для
эллипсоидов с комплексными или чисто индуктивными импедансами (в
случае равенства модулей импедансов).
моделирования электромагнитного рассеяния на трехосном импедансном
эллипсоиде. Получены необходимые расчеты соотношения, реализованные в
виде компьютерной программы для определения компонент рассеянного поля
и контроля точности полученного решения по критерию невязки граничных
условий. С помощью этой программы исследованы зависимость нормы
невязки граничных условий от положения вспомогательной поверхности, а
также влияние отклонений формы эллипсоида от осесимметричной на его
бистатические сечения рассеяния при различном характере импеданса
поверхности. Установлено, что наименьшие изменения при отклонении
формы эллипсоида от осесимметричной испытывают сечения рассеяния в
областях, прилегающих к направлению прямого рассеяния. Наибольшие
изменения испытывают сечения рассеяния в окрестностях минимумов
диаграмм рассеяния. Установлено также, что при одинаковых отклонениях
формы эллипсоида от осесимметричной изменение сечения рассеяния для
эллипсоидов с чисто емкостным импедансом существенно меньше, чем для
эллипсоидов с комплексными или чисто индуктивными импедансами (в
случае равенства модулей импедансов).
ИЛИ
Поиск аналога
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
🛒 Оформить заказ
⚡ Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.