Тема: РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ПОТЕНЦИАЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdHgTe
Характеристики работы
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 4
1. ТВЕРДЫЙ РАСТВОР CdxHgi-xTe 5
1.1 Зонная структура 5
1.2 Подвижность 6
1.3 Оптические свойства 7
1.4 Контроль состава 8
1.5 Дефекты 9
1.6 Детекторы первого поколения 11
1.7 Детекторы второго поколения 15
1.8 Эпитаксиальные слои 26
2. АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ 29
2.1 Принцип работа СЗМ 29
2.2 Устройство АСМ 30
2.3 Система регистрации сигнала 31
2.4 Система обратной связи 31
2.5 Система перемещения образца /иглы - пьезосканер 32
2.6 Режимы работы АСМ 33
2.7 Достоинства и недостатки АСМ 36
3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 37
3.2 Метод зонда Кельвина 38
3.2 Облучение поверхности материала 40
4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА 41
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 51
📖 Введение
✅ Заключение
Результаты исследования показали, что облучение объемным наносекундным разрядом МДП структур на основе n-CdHgTe практически не влияет на величину и распределение КРП в области V-дефекта.
Облучение объемным наносекундным разрядом МДП-структур на основе p-CdHgTe приводит к существенному изменению распределения КРП:
1. Увеличился диапазон отклонения величины КРП отдельных кристаллитов по отношению к КРП эпитаксиальной пленки CdHgTe;
2.Образование потенциального гало по периферии V-дефекта;
3. Распределение КРП в области V-дефекта более плавное, без проявления потенциального барьера по периферии отдельных кристаллитов.
Совместный анализ распределения КРП и электрофизических характеристик исследованных МДП-структур показал, что либо происходит формирование тонкого (толщиной в несколько нанометров) диэлектрического слоя с высокой диэлектрической проницаемостью, либо на границе раздела полупроводник-диэлектрик образуется некомпенсированный объемный заряд. При этом АСМ данные позволяют локализовать область наибольших изменений.
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
