Одним из полупроводников, широко применяемым в микро- и оптоэлектронике является сульфид кадмия. При переходе из крупнокристаллического состояния в наноструктурное, как и у большинства веществ, у него существенно изменяются оптические свойства [1-3].
Большое разнообразие интересных свойств этого материала обусловливается тем, что это ширина запрещенной зоны достаточно велика и составляет 1,14 эВ. Благодаря этим свойствам данный полупроводник может быть использован в качестве люминофора, для изготовления фоторезисторов, в фотоприёмниках и в солнечных батареях. Для данного полупроводника характерно большое разнообразие способов получения тонких пленок на подложках, одним из таких методов является метод пиролиза. Качество пленок полученных пиролитически, не уступают пленкам, полученным другими методами, а иногда даже превосходит их [4].
Другим важнейшим представителем бинарных полупроводников типа АПВУ1 является селенид кадмия (С48е). Он находит широкое применение в устройствах оптоэлектроники и солнечных элементах. Это становится возможным благодаря фотовольтаическим и фотоэлектрохимическим свойствам, а также высокой светочувствительности в видимом диапазоне света. Ширина запрещенной зоны (0,57 эВ) [5].
Необходимость использования полупроводниковых нанострукрур С48х8е(1-Х) подтверждена широким кругом опубликованных в последние десятилетия научных работ [5], поэтому исследование полупроводниковых соединений С48Х8е(1-Х) - актуальная задача.
Цель: изучение устойчивости полупроводниковых соединений
С48Х8е(1-Х) различной морфологии.
Для достижения поставленной цели, необходимо решить ряд задач:
1. Построить модели частиц полупроводниковых соединений
Са8Х8е(1-Х) различной морфологии.
2. Методом нелокального функционала плотности рассчитать парные корреляционные потенциалы атомов, входящих в состав наночастиц: Са - 8, Са - 8е
3. Применить метод молекулярной механики для определения устойчивости частиц полупроводниковых соединений Са8Х8е(1-Х) различной морфологии..
4. Методом квантовой нанокинетики изучить релаксационные процессы в частицах полупроводниковых соединений Са8Х8е(1-Х) различной морфологии.
Из выполненных исследований можно сделать следующие выводы
1. При образование НЭМС энергия и межатомные расстояния в матрице сфалерита состава Сё8х8е(1.х), изменяются незначительно.
2. Межатомные потенциалы в наноэлектромеханических системах Сё8х8е(1.х) мало отличаются от кристаллических для Сё8х8е(1-х). При образовании в кристалле НЭМС, происходит перестройка пиков координационных сфер, соответствующего состава Сё8х8е(1-х).
3. Замещение атомов на анионной подрешетке достаточно хорошо подчиняется правилу Вегарда. Отклонения от правила Вегарда обусловлены трансформациями координационных сфер второго и третьего порядка при изменении концентрации серы в системе. В системах Сб8х8е(1.х)наблюдается дестабилизирующий по энергии линейный вклад.
4. При криогенных (Т = 77 К) и стандартных (Т = 298 К) условиях порядок координационных сфер выше первой разрушается больше с ростом температуры.
