Введение
ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Модель плазмохимического травления
1.2. Требования к рабочим газам
1.3. Классификация реакционных газов
1.4. Реакторные системы
1.5. Основные параметры ПХТ
1.5.1. Скорость
1.5.2. Селективность

1.5.3. Анизотропия
1.5.4. Равномерность

1.5.5. Температура
1.5.6. Легирование
1.5.7. Реакторные материалы
Литература
ПРИЛОЖЕНИЕ

Техника безопасности
Устройство и работа установки

Купить

Хорошо известно о широком применении плазменной обработки материалов в промышленной микроэлектроники. Плазму низкого давления используют для травления топологических элементов микронных размеров при изготовлении микросхем и дискретных полупроводниковых приборов, а так же различных сенсоров и микромеханических устройств. За рубежом устройства, создаваемые в результате совместного применения технологий микроэлектроники и микропрофелирования кремния, получили название микроэлектромеханических систем, и, соответственно, сама технология кратко обозначается как МЕМS - технология (наиболее развитое направление в области микросистемной техники). Эта технология позволяет создавать микроприборы и функционально интегрированные микросхемы с интегрированными микромеханическими структурами, применение которых наиболее перспективно в электронно-вычислительных устройствах, оптоэлектронике, а также в сенсорных микроэлектронных системах регулирования и управления.
Известно, что эффективность ПХТ характеризуется такими важными параметрами, как анизотропность и скорость травления. Сравнительно высокие анизотропность и скорость травления – результат хорошего подбора типа установки, рабочих реагентов и режима процесса. При таком развитии ПХТ можно с успехом использовать для решения таких задач, как удаление фоторезиста, травление эпитаксиальных пленок и глубинное профилирование полупроводниковых пластин для целей микромеханики.
Следует так же учитывать процесс, который позволил бы исключить контактирование с едкими растворами щелочей и кислот, а так же растворителями в случае удаления уже не нужной маски с поверхности подложки, т.к. эти вещества, особенно щелочи и кислоты, очень неблагоприятно воздействуют на поверхностные элементы и могут вывести их из строя, либо привести к деградации их характеристик.
Согласно с многочисленными исследованиями скорость ПХТ в диффузионной области напрямую зависит от доставки ХАЧ (химически активных частиц) и скорости диффузии к поверхности подложки, концентрации и распределения свободных радикалов атомов у поверхности. Лимитирующей стадией является доставка свободных атомов и радикалов. В топокинетической же области главную роль играют: суммарная площадь поверхности пластин, температура и ионное облучение. Лимитирующая стадия – химическая реакция между свободными атомами (радикалами) и поверхностными атомами материала.
Целью настоящей работы является исследование перехода диффузионной стадии в топокинетическую, что позволит глубже понять процесс ПХТ и найти такие параметры реакции, при которых скорость травления кремниевых пластин будет оптимальной.


Купить