Введение
Глава 1. Анализ электрофизических свойств пленки ПЭТФ, ионно-плазменных способов получения нанослоев на основе углерода и процессов электризации пленки под воздействием частиц газоразрядной плазмы 11
1.1. Пленка ПЭТФ - ее свойства и применение в
качестве материала электронной техники 11
1.2. Покрытия на основе углерода. Структура и ионно-плазменные способы получения 19
1.3. Образование электретного состояния в пленке ПЭТФ
под действием потоков заряженных частиц 33
1.4. Постановка задачи 40
Глава 2. Объекты и методы исследования 42
2.1. Объекты исследования и способы их получения 42
2.1.1. Получение наноразмерного покрытия на основе
углерода на поверхности пленки ПЭТФ 45
2.2. Методы исследования химического состава, структуры и электрофизических свойств пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода, сформированным на ее поверхности 48
2.3. Выводы по главе 2 61
Глава 3. Исследование электрофизических свойств пленки
ПЭТФ, модифицированной осаждением наноразмерных
покрытий на основе углерода 62
3.1. Модификация поверхности пленки ПЭТФ под воздействием пучка положительных ионов 62
3.2. Исследование состава и структуры наноразмерного покрытия на основе углерода, полученного из циклогексана 72
3.3. Влияние наноразмерного покрытия на основе углерода на электрофизические свойства ПЭТФ 78
3.4. Образование электретного состояния в пленке ПЭТФ под воздействием ионных пучков и в процессе осаждения наноразмерного покрытия на основе углерода 102
3.5. Выводы по главе 3 110
Глава 4. Применение пленки ПЭТФ с наноразмерным
покрытием на основе углерода в приборах
электронной техники 113
4.1. Использование пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода в качестве
диэлектрического материала в приборах электронной техники 113
4.2. Использование пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода в качестве электретного материала 119
4.2.1. Пленка ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода как
активный элемент электроакустического преобразователя 119
4.2.2. Биологически активный электретный материал - пленка ПЭТФ с наноразмерным
покрытием на основе углерода 127
4.3. Выводы по главе 4 130
Заключение 131
Список литературы 134
Приложения 154
Полимеры широко применяются на практике в качестве диэлектрических и электретных материалов. Хорошие диэлектрические характеристики (удельное электрическое сопротивление, электрическая прочность) полимеров позволяют использовать их в качестве изоляционных материалов в электронных приборах, конденсаторах, машинах высокого напряжения, генераторах, а также в составе применяемых для этих целей композитов. Многообразие полимерных композиций и возможность получать на их основе материалы с широким диапазоном физико-химических свойств привели к успешному использованию их в микроэлектронике и радиотехнике в качестве конструкционного материала. Так, например, для микросистемной техники требуются конденсаторы различных типов с высокой удельной емкостью, что достигается за счет увеличения рабочих напряжений и диэлектрической проницаемости полимерных пленочных изоляторов между обкладками.
Основными требованиями, предъявляемыми к диэлектрическим материалам на основе полимеров, являются: высокая электрическая и механическая прочность, устойчивость к тепловым и электрическим полям, химическая и радиационная стойкость, низкая себестоимость.
Электретные свойства полимерных материалов широко используются в электроакустических устройствах (пьезоэлектрические преобразователи), в воздухоочистительных устройствах (электретные фильтры), в ксерографии (электрографические материалы) и т.д. Основными характеристиками электретного материала является величина электрического заряда и его стабильность. Широкое применение электретные материалы нашли в электроакустических преобразователях - устройствах, преобразующих энергию акустических волн в электрическую энергию, в которых электрет выступает в роли мембраны - основного элемента преобразователя, определяющего его чувствительность. Следует отметить, что высокой
6
чувствительностью, обладают электретные электроакустические преобразователи на основе пьезоэлектрической керамики и полимерных пьезоэлектриков. В то же время, представляет интерес замена выпускаемых, в связи с технологическими трудностями, в малых количествах и потому дорогостоящих материалов на более дешевые, выпускаемые промышленностью в больших объемах.
Известно, что полиэтилентерефталатная пленка (ПЭТФ) широко применяется в изделиях электронной техники как дешевый диэлектрический и электретный материал. Однако как электретный материал пленка ПЭТФ значительно уступает сегнетоэлектрическим материалам по способности к электризации объема, а как диэлектрический материал имеет достаточно высокое удельное сопротивление, но неустойчива к длительным электрическим нагрузкам в полях более 100 кВ/мм.
Одним из способов изменения электрофизических свойств пленочных материалов является использование тонких наноразмерных покрытий, сформированных методами осаждения в вакууме. В настоящее время большой научный и практический интерес вызывают наноразмерные покрытия на основе углерода, нанесенные на поверхность полимерных материалов различными методами. По сравнению с полимерами покрытия на основе углерода обладают значительно более высокой термической, химической и электрической стабильностью и имеют широкий диапазон электрофизических свойств, связанных с молекулярной структурой и содержанием атомов различных химических элементов (фтор, хлор, водород и т.д.). Специфика атома углерода состоит в его способности образовывать прочные межатомные связи, характеризующиеся различным типом гибридизации электронных орбиталей. Связи в решетке алмаза характеризуются Бр3-гибридизацией орбиталей, тогда как графиту соответствует sp -гибридизация, а карбину - sp-гибридизация. Варьируя содержание различных форм углерода в покрытии или вводя в его состав различные примеси, можно получить большое количество
7
углеродсодержащих соединений с широким набором химических, механических, электрофизических и оптических свойств. Это позволяет использовать наноразмерные слои на основе углерода, обладающие стабильными электрофизическими свойствами, в качестве модифицирующих покрытий.
Для получения покрытий на основе углерода толщиной от 2нм и более, имеющих высокую адгезию к полимеру, используют плазменные технологии. Формирование такого покрытия на полимере с помощью ионно- стимулированного осаждения из газовой фазы является одним из видов ионно-плазменных технологий, позволяющим работать при температурах <200°С, когда появляется текучесть ПЭТФ.
При обработке пучком ионов поверхность ПЭТФ подвергается воздействию заряженных частиц, что, как известно, должно приводить к возникновению электретного состояния в его объеме. В этой связи несомненный интерес представляет исследование величины и стабильности заряда, образующегося при нанесении наноразмерного покрытия на основе углерода на поверхность пленки ПЭТФ.
Цель работы - исследование влияния наноразмерного покрытия на основе углерода, нанесенного на поверхность пленки ПЭТФ ионно¬плазменным методом, на электрофизические свойства полимера.
Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:
• Изучение влияния ионных пучков на структуру и свойства поверхности пленки ПЭТФ.
• Исследование химического состава и структуры осажденного наноразмерного покрытия на основе углерода.
• Изучение влияния наноразмерного покрытия на основе углерода на электрофизические свойства пленки ПЭТФ (тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость, объемная и поверхностная проводимость образцов, объемный и поверхностный заряд, напряжение пробоя).
8
• Исследование возможности применения пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода в приборах электронной техники.
Решение поставленных задач потребовало использования, с одной стороны, комплекса современных физико-химических методов исследования структуры наноразмерных покрытий на основе углерода (ИК-спектроскопия, электронная спектроскопия для химического анализа, атомно-силовая микроскопия), с другой стороны, комплекса применяемых в мировой практике методик исследования электрофизических свойств полимеров (температурные зависимости электрической проводимости, тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости, а также термостимулированной деполяризации и методики для измерения величины поверхностного заряда).
Основные положения, выносимые на защиту:
• Результаты исследования химического состава и электрофизических свойств наноразмерного покрытия на основе углерода, сформированного ионно-стимулированным осаждением из паров циклогексана на поверхности пленки ПЭТФ.
• Изменение диэлектрических характеристик (тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость) и объемной электропроводности пленки ПЭТФ при нанесении наноразмерного покрытия на основе углерода и его влияние на величину и стабильность аккумулированного в пленке ПЭТФ гомозаряда.
• Влияние наноразмерного покрытия на основе углерода на вероятность перехода металл-диэлектрик.
• Изменение электрической прочности пленки ПЭТФ модифицированной наноразмерным покрытием на основе углерода.
• Результаты исследования чувствительности электроакустического преобразователя на основе пленки ПЭТФ, модифицированной наноразмерным покрытием на основе углерода.
9
• Влияние технологии ионно-плазменной модификации поверхности ПЭТФ с помощью наноразмерного покрытия на основе углерода на антибактериальную активность пленки.
Диссертация состоит из четырех глав, введения, заключения и приложений. В первой главе рассматриваются свойства пленки ПЭТФ как полимерного диэлектрика и ее применение, проведен анализ структур на основе углерода и методов их получения, рассмотрены вопросы взаимодействия поверхности с заряженными частицами газоразрядной плазмы и ионного пучка. Показано, что под воздействием заряженных частиц в полимерном диэлектрике образуется электретное состояние, связанное с образованием в его поверхностном слое гомозаряда.
Вторая глава посвящена описанию объектов и методов исследования. Дано описание метода ионно-стимулированного осаждения из газовой фазы циклогексана, с помощью которого получают наноразмерное покрытие на основе углерода на поверхности пленки ПЭТФ, и методов исследования структуры и свойств полученных образцов.
На основании проведенной работы были сделаны следующие выводы:
1. Предварительная ионная обработка в смеси азота и кислорода поверхности пленки ПЭТФ вызывает разрушение карбонильных групп, приводящее к гидрофобизации образцов. Поверхность становится неполярной, наблюдается также изменение рельефа пленки, заключающееся в росте шероховатости.
2. Показано, что наноразмерное покрытие на основе углерода имеет неоднородную структуру, включающую полимерные линейные цепи (- СН2-)П, шестичленные циклогексановые кольца и кислородсодержащие (в т.ч. кетоновые) группы. Оно содержит также аморфную фазу углерода а¬С, характеризующуюся структурой с координационным числом 4, тем же что и у алмаза. Наноразмерное покрытие на основе углерода обладает полупроводниковыми свойствами; на кривой температурной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается максимум, связанный с подвижностью макромолекул в наноразмерном покрытии на основе углерода.
3. Показано, что после нанесения на поверхность пленки ПЭТФ наноразмерного покрытия на основе углерода происходит увеличение диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и рост объемной электропроводности образца в два раза в температурном интервале 20-200°С.
4. Установлено что, наноразмерное покрытие на основе углерода толщиной 10-40 нм приводит к росту интенсивности инжекции электронов, в результате чего наблюдается рост величины гомозаряда, образующегося в
132
поверхностных слоях пленки ПЭТФ. Однако, с ростом толщины покрытия увеличивается ширина потенциального барьера, разделяющего металл и диэлектрик, приводя к падению вероятности перехода металл-диэлектрик.
5. Методом термостимулированной релаксации заряда показано, что в ходе предварительной ионной обработки в смеси азота и кислорода поверхность пленки ПЭТФ приобретает положительный заряд ~400 нКл/см . В процессе последующего нанесения покрытия на основе углерода положительный заряд пленки значительно увеличивается и достигает значений порядка 2000 нКл/см . Образовавшийся заряд является стабильным и его релаксация наблюдается выше температуры 200°С.
6. Вынос образцов ПЭТФ на воздух сразу после нанесения наноразмерного покрытия на основе углерода приводит к адсорбции на поверхности отрицательных ионов из атмосферы, которые удерживаются в дальнейшем за счет сил электростатического взаимодействия и образуют компенсирующий заряд. В результате поверхность пленки состоит из отдельных положительно и отрицательно заряженных областей, заряд которых изменяется в пределах от +5 до -5 нКл/см2.
7. Наноразмерное покрытие на основе углерода, осажденнщое на поверхности пленки ПЭТФ (толщиной 20 мкм), оказывает значительное влияние на процесс пробоя пленки, приводя к росту критического значения электрического поля (напряженность поля в котором наблюдается пробой) в 1,5-1,7 раза с увеличением толщины покрытия от 10 до 120 нм соответственно. Это, в свою очередь, позволяет значительно увеличить номинальные параметры и срок службы электронных устройств, изготовленных на основе пленки ПЭТФ, например,
133
металлопленочных конденсаторов и изоляционных частей высоковольтных приборов.
8. Изготовленные на основе пленки ПЭТФ модифицированной наноразмерным покрытием на основе углерода электроакустические преобразователи имеют высокую чувствительность на уровне чувствительности преобразователей, работающих на основе известных пьезоэлектриков и в частности полимерных пьезоэлектриков, таких как поливинилиденфторид (ПВДФ). Применение в электронных приборах, принцип действия которых основан на преобразовании механической энергии в электрическую, модифицированной пленки ПЭТФ, позволит существенно снизить себестоимость этих приборов.
9. Высокое значение термически стабильного заряда, которое имеет электрет на основе пленки ПЭТФ с наноразмерным покрытием на основе углерода, позволяет использовать его в качестве материала с бактерицидными свойствами.
1. Пак В.М. Успехи в создании и применении композиционных материалов на основе полимерной пленки для изоляции вращающихся электрических машин/ Электротехника - 2001, №6, с.15-21.
2. Драчев А.И., Пак В.М., Гильман А.Б., Кузнецов А.А. К вопросу об увеличении длительной электрической прочности композиционного электроизоляционного материала с полиэтилентерефталатной пленкой ПЭТ-Э/ Электротехника - 2003, №4, с.35-39.
3. Энциклопедия полимеров. - М.: изд-во «Советская энциклопедия»,
1977, с.111-115.
4. Емельянов О.А. Электротепловая неустойчивость полярного полимерного диэлектрика за областью температуры стеклования/ Письма в журнал «Технической физики» - 2001, т.27, вып.16, с.32-
39.
5. Емельянов О.А. Особенности работоспособности металлопленочных конденсаторов в форсированных режимах/ Электротехника - 2002, №4, с.6-10.
6. T.A. Ezquerra, F.J. Balta-Calleja, H.G. Zachmann. Dielectric relaxation of amorphous random copolymers of poly(ethylene terephthalate) and poly(ethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate)/ Acta Polymerica - 1993, v.44, is.1, p.18-24.
7. Драчев А.И., Пак В.М., Гильман А.Б., Дорофеева Т.В., Шклярова Е.И., Кузнецов А.А. Влияние обработки в разряде на диэлектрические свойства пленки ПЭТФ/ Электротехника - 2002, №4, с.17-20.
135
8. Драчев А.И., Гильман А.Б., Пак В.М., Кузнецов А.А. Воздействие тлеющего низкочастотного разряда на пленки полиэтилентерефталата/ Химия высоких энергий - 2002, том 36, №2, с.143-147.
9. E. Ito, Y. Kobayashi. Effects of adsorbed water on physical properries of polyesters/ Jornal of Applied Polymer Science - 1980, v.25, is. 10, p.2145-2157.
10. Сесслер Г. Электреты. - М.: Мир, 1983, 486 с.
11. Лившиц И.М. О структуре энергетического спектра и состояниях неупорядоченных систем/ Успехи Физической Науки - 1964, т.83. №4, с.617-663.
12. Лившиц И.М. О структуре энергетического спектра и состояниях неупорядоченных систем./ Успехи физичекой науки - 1964, т.83, №4, с.617-663.
13. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. - М.: Наука, 1974, 363 с.
14. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М.: Наука, 1979, 416 с.
15. Лущейкин Г.А. Полимерные электреты.- М.: Химия, 1984, 184 с.
16. Драчев А.И. Образование полимерных электретов под воздействием низкотемпературной плазмы тлеющего разряда/ Химия высоких энергий - 2003, т.37, №5, с.342-347.
17. Gerhard-Multhaupt R., Haardt M., Eisenmenger W., Sessler G.M. Electric-field profiles in electron-beam-charged polymer electrets/ Journal of physics: Applied Physics - 1983, v.16, p.2247-2255
18. Тюнхаут И. Термически стимулированный разряд электретов/ Электреты - М.: Мир, 1983, с.105-270.
19. Бойцов И.Г., Рычков А. А. Природа ловушек носителей заряда в полипропиленовых короноэлектретах/ Тезисы докладов Международной научной конференции по физике диэлектриков «Диэлектрики-97» - С.-Пб., 1997, с.85-87.
20. Ficher P. Electrical Condaction in Polyolefins/ Journal of Electrostatics -
1978, v.4, p.149-173.
21. Драчев А.И., Пак В.М., Гильман А.Б., Кузнецов А.А. Поляризация пленок полиэтилентерефталата в электрическом поле/ Электротехника - 2003, №4, с.39-41.
22. Рычков А.А., Бойцов В.Г. Электретный эффект в структурах полимер-металл. - С.Пб.: Изд-во РГПУ им. А.И. Герцена, 2000, 250 с.
23. Закревский В.А., Сударь Н.Т. Влияние объемного заряда на закономерности электрического разрушения полимеров/ Журнал технической физики - 1996, т.66, №4, с.105-113.
24. Закревский В.А., Сударь Н.Т. Влияние объемного заряда на напряженность электрического поля в полимерных диэлектриках/ Журнал технической физики - 1990, т.60, №2, с.66-71.
25. Durand-Drouhin O., Lejeune M., Benlahsen M. Growth and bonding structure of hard hydrogenated amorphous carbon thin films deposited from an electron cyclotron resonance plasma/ Journal of Applied Physics
- 2002, v.91, №2, p.867-873.
26. Khamchukov Yu.P., Bobrovskii V.V., Shashkob S.N., Sychev I.Yu., Pacuro J. Carbon-based coatings deposited by pulsed plasma source and processed by ionized gas fluxes/ IV International Conference Plasma Physics and Plasma Technology Contributed Papers - Minsk, Belarus, September 15-19, 2003, v.1, p.574-577.
27. Орлов М.Л., Кочурихин В.Е., Герасимович С.С., Слепцов В.В., Елинсон В.М. Пористая структура и свойствами пленок а-С:Н/ Поверхность, физика, химия, механика - 1989, № 6, с.65-67.
28. Сокол О.Ю., Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Елинсон В.М., Герасимович С.С. Пленки а-С:Н: размер графитных кластеров и электропроводность/ Микроэлектроника - 1990, №1, с.103-105.
29. Елинсон В.М. Создание искусственного потенциального рельефа и формирование многослойных квантоворазмерных структур на основе сверхтонких слоев а-С:Н/ Материалы симпозиума «Алмазные пленки и пленки родственных материалов» - Харьков,
2001, с.125-128.
30. Орлов М.Л., Слепцов В.В., Елинсон В.М., Кочурихин В.Е. Влияние условий получения пленок углерода, осажденных из углеродной плазмы на пористую структуру/ Материалы и приборы электротехники. Межвузовский сборник - М., 1988, с.99-103.
31. Слепцов В.В., Ивановский Г.Ф., Елинсон В.М., Кондрашов П.Е., Герасимович С.С., Баранов А.М., Поляков В.И. Пленки а-С:Н, полученные ионно-стимулированными методами: свойства и области применения/ Материалы международной конференции "Микроэлектроника-90" - Минск, 1990, с.21-23.
32. Oppedisano С, Tagliaferro A. Relationship between sp carbon content and E04 optical gap in amorphous carbon-based materials/ Applied Physics Letters - 1999, v.75, p.3650-3652.
33. Луцев Л.В., Яковлев С.В., Сиклицкий В.И. Электронный транспорт в наноразмерной кластерной структуре углерод-медь/ Физика твердого тела - 2000, т.42, вып.6, с.1105-1112.
138
34. Иванов-Омский В.И., Звонарева Т.К., Фролова Г.Ф.. Аномальное двухфотонное поглощение в нанокристаллах алмаза в среде аморфного углерода/ Физика твердого тела - 1999, т.41, вып.2, с.319-324.
35. Lacerda R.G., Marques F.C. Hard hydrogenated carbon films with low stress/ Applied Physics Letters - 1998, v.73, p.617-619.
36. Sattel S., Robertson J., Ehrhardt H. Effects of deposition temperature on the properties of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon/ Journal of Applied Physics - 1997, v.82, p.4566-4576.
37. Chhowalla M., Robertson J., Silva S.R.P., Amaratunga G.A.J., Milne W.I., Koskineen J. Influence of ion energy and substrate temperature on the optical and electronic properties of tetrahedral amorphous carbon (ta- C) films/ Journal of Applied Physics - 1997, v.81, p.139-145.
38. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. - М: Высшая школа, 1982, 521с.
39. Гусев М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В, и др. Электронная структура пленок а-С:Н/ Поверхность: Физика, химия, механика - 1987, №11, с.104-109.
40. Сокол О.Ю., Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В. и др. Пленка а-С:Н: размер графитных кластеров и электрофизические свойства/ Микроэлектроника - 1990, т.19, вып.1, с.103-105.
41. Buerki P.R., Leutwyler S. CO2-laser-indused gas-phase synthesis of micron-sized diamond powders: resent resalts and future developments/ Proceedings of the Third inference of the new diamond scie^e and technology (ICNOST-3) jointly with the 3 rd Europen conference on
diamond, diamond-like and related coatings - Heidelberg, Germany, 1992, p.174.
42. Слепцов В.В. Макромолекулярное строение пленок углерода/ Технология и конструирование в электронной аппаратуре - 1997, №1, с.10-14.
43. Elinson V.M., Sleptsov V.V., Polyakov V.V., Perov P.I. Heterostructures single - crystal semiconductor - diamond like film. Diamond and diamond like carbon coating/ 1st Europeon conf. Abstacts - Crans- Montana Switrerland, 1991, р.7-8.
44. Sleptsov V.V. Elinson V. M., Baranov A.M. et al. Phase composition modeling of а-С:Н films on their optical properties/ Physical status solidi(a) - 1990, v.122, p.139-142.
45. Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon/ Nature- 1991, v.354, №6348, p. 56-58.
46. Елецкий А.В. Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства/ Успехи физической науки - 2002, т.72, №4, с.401-438.
47. Bachmann P.K, Leers D., Lydtin H. Towards a general concept of diamond chemical vapour deposition. - Diamond and Rel. Mat., 1991, № 1, р. 1-12.
48. Kratachmer Wet al. Solid C6o: a new form of carbon/ Nature- 1990, v.347, №6291, p.354-358.
49. Федорчук Г.Г.. Кинетика парамагнитной релаксации катион- радикала С+60 в порошкообразном С60/ Физика твердого тела - 2000, т.42, вып.6, с.1147-1160.
50. Елецкий А.В., Смирнов Б.М. Фуллерены и структуры углерода/ Успехи физической науки - 1995, т.165, №9, с.997-1009.
51. Смолли Р.Е. Открывая фуллерены/ Успехи физической науки - 1998, т.168, №3, с.323-330.
52. Керл Р.Ф. Истоки открытия фуллеренов: эксперимент и гипотеза/ Успехи физической науки - 1998, т.168, №3, с.331-342.
53. Ricard A. Reactive plasmas. - Paris: SFV, 1996, р.176-180.
54. Maishev Y.P., Shevchuk S.L. Reactive ion-beam synthesis of thin films/ IV International Conference Plasma Physics and Plasma Technology Contributed Papers - Minsk, Belarus, September 15-19, 2003, v.1, р.483-486.
55. Герасимов Ю.А., Грачева Т.А., Лебедева Ю.А.. Применение СВЧ плазмы в химии (органические соединения)/ Экспериментальные и теоретические исследования плазмохимических процессов - М., 1984, с.68-93.