В последние годы интенсивно развиваются не дисплейные применения жидких кристаллов, в частности модуляторы света (ЖКМС). Наиболее широкими функциональными возможностями обладают пространственно¬временные модуляторы света (ПМС) с электрическим или оптическим управлением. Их особенность состоит в том, что они дополнительно содержат светочувствительный слой фотопроводника, позволяющий осуществлять управление световым сигналом.
Поскольку такие приборы находят применение при обработке оптической информации, необходимо улучшать их функциональные возможности, создавая новые свойства.
В основе большинства применений лежат жидкокристаллические модуляторы света, работающие в видимой и ИК областях спектра и имеющие низкие рабочие напряжения.
Изменения электрических параметров кремния и ориентации молекул жидкого кристалла необходимы для расширения функциональных возможностей жидкокристаллических модуляторов света. Например, изменение порогов светочувствительности в плоскости модулятора, получение гомеотропной или планарной ориентации нематика.
С этой целью в работе исследовалась принципиальная возможность пленки окиси цинка ZnO, которые наносились на поверхности монокристаллического кремния магнетронным методом для вариации пороговых напряжений светочувствительности и начальной ориентации молекул жидкого кристалла. Поэтому актуальность выбранной темы исследований не вызывает сомнений.
Исходя из актуальности данной темы целью работы было:
1. Исследование возможности получить планарную и гомеотропную ориентацию молекул жк на пленках ZnO напыляемых магнетронным способом.
2. Исследование влияния пленок ZnO на поверхностную проводимость Si в структуре Si/ZnO/нематик/прозрачный электрод.
Исходя из цели магистерской диссертации, вытекают следующие задачи:
1. Показать, что в структуре Si/ZnO/нематик/прозрачный электрод с плёнками ZnO, которые получены магнетронным способом, пороговое напряжение светочувствительности структуры, зависит от толщины пленки ZnO. Смещение порога светочувствительности структуры обусловлено ионной адсорбцией на пленках ZnO.
2. Показать, что нормально напыленные пленки ZnO на поверхности кремния вызывают гомеотропную ориентацию молекул жидкого кристалла 5СВ.
3. Показать, что косо напыленные пленки ZnO на поверхности кремния вызывают планарную ориентацию молекул жидкого кристалла 5СВ.
4. Установить, что накопление ионных зарядов у поверхности кремния в структуре Si/ZnO/нематик/прозрачный электрод под действием постоянного напряжения вызывает смещение порога светочувствительности.
В ходе выполнения исследования были получены следующие результаты:
1. Показано, что в структуре Si/ZnO/нематик/прозрачный электрод с плёнками ZnO, которые получены магнетронным способом, пороговое напряжение светочувствительности структуры, зависит от толщины пленки ZnO. Смещение порога светочувствительности структуры обусловлено ионной адсорбцией на пленках ZnO.
2. Нормально напыленные пленки ZnO на поверхности кремния вызывают гомеотропную ориентацию молекул жидкого кристалла 5СВ.
3. Косо напыленные пленки ZnO на поверхности кремния вызывают планарную ориентацию молекул жидкого кристалла 5СВ.
4. Накопление ионных зарядов у поверхности кремния в структуре
Si/ZnO/нематик/прозрачный электрод под действием постоянного напряжения вызывает соответствующее смещение порога
светочувствительности.
