Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


Особенности роста пористого кремния под действием электрохимического анодного травления

Работа №70805

Тип работы

Дипломные работы, ВКР

Предмет

материаловедение

Объем работы32
Год сдачи2018
Стоимость4760 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
113
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Введение 5
1. Литературный обзор 6
1.1. Получение пористого кремния методом анодного травления 6
1.2. Рост пористого кремния при внешней подсветке 9
1.3. Теория порообразования 14
1.4. Химический состав пористого кремния 15
2. Методика проведения эксперимента 18
3. Результаты исследований и их обсуждение 21
3.1. Анодная обработка кремния в темноте 21
3.1.1. Снятие поляризационных кривых 21
3.1.2. Состав и топология формируемого пористого кремния 22
3.2 Влияние освещения на рост пористого кремния 24
3.2.1. Снятие поляризационных кривых 24
3.2.2. Состав и топология формируемого пористого кремния 26
3. 3. Гидрофобные свойства пористого кремния 27
Заключение 29
Список литературы

Работа посвящена исследованию особенностей порообразования в кремнии
при его анодной обработке в спиртовом растворе на основе плавиковой кислоты.
Работа представлена в рамках трех глав.
В первой главе представлен аналитический обзор литературы по методике
получения пористого кремния и его применениях в различных областях, выявлены преимущества и недостатки анализируемых работ и согласно этому поставлена задача. Во второй главе представлена методика проведения эксперимента по
анодной обработке кремния, схема экспериментальной установки и электрохимической ячейки, описание методов определения элементного состава и топологии
формируемых слоев. В третьей главе приводятся результаты по формированию
слоев пористого кремния и влиянию освещения на его структуру. Методом инфракрасной спектроскопии определен молекулярный состав формируемых слоев.
По средствам атомно-силовой микроскопии показана структура формируемых
слоев пористого кремния.

Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Таким образом, в данной работе были рассмотрены основные особенности
формирования и роста пористого слоя на поверхности кремния под действием
электрохимической анодной обработки в растворе электролита на основе плавиковой кислоты. Наличие пористого слоя было подтверждено результатами атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхности покрыта множеством пор
глубиной порядка 260-300 нм.
Установлено, что введение освещения повлияло на характер порообразования. Рост пор происходил преимущественно в тангенциальном направлении за
счет уменьшения сопротивления, стенок пор под действием внешнего освещения.
Методами ИК-спектроскопии был определен элементный состав образующихся пористых слоев. Помимо частот, относящихся к исходному состоянию
кремния (601 см–1 - Si-Si; 612 см–1 - Si-H; 1107 см–1 - межузельный кислород в кристаллическом кремнии) были зафиксированы линии, отвечающие соединениям
кремния с кислородом и гидроксильными группами (Si-O-Si и O-Si-O – 1100-1200
см-1; Si-OH – 800-950 см-1).
Выявлено, что полученные образцы ПК обладают свойствами гидрофобности. Гидрофобность полученного пористого кремния обоснована развитой структурой, а также присутствием в структуре ПК гидроксильных групп.


1. Porous Semiconductors Science and Technology / Materials of the International Con¬ference//. - Mallorca, 1998. - C.19
2. 18. Unagami Т. Journal of the Electrochemical Society/ T. Unagami// Oxidation of porous silicon and properties of its oxide film. - 1980. - №2 - 127,406.
3. Биленко Д.И. Физика и техника полупроводников /Д. И. Биленко, Н.П. Абань- шин// Электрофизические и оптические свойства пористого кремния - 1983. - Т. 17, вып. 11- С.2090-2092
4. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon/ M.I.J. Beale [ и др.] // Crystal Growth. - 1985. - Vol.73. - С. 73,622.
5. Anderson, R.C. Chemical surface modification of porous silicon / R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias // Journal of the Electrochemical Society. - 1991. - №. 5. - C.138,3406.
6. Зимин, С. П. Соровский образовательный журнал. / С. П. Зимин// Пористый кремний — материал с новыми свойствами.—2004. — Т. 8, № 1. — С. 101-107.
7. Гаврилов, С.А. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлек¬троники. / С.А. Гаврилов, А.Н. Белов// Учебное пособие. —2009. —С.72, 73-74, 103-104.
8. Smith, R.L. Journal of Applied Physics / R.L. Smith, S.D Collins // Porous silicon formation mechanisms. —1992. — No.8. —С.15.
9. Разработка электрохимической ячейки для получения пористых слоев на пла-стинах монокристаллического кремния / В. А. Юзова [и др.] //Современные про¬блемы радиоэлектроники: сб. науч. тр. —2009. —С.270.
10. Формирование двухсторонней пористой структуры при электрохимическом травлении кремния методом Унно-Имаи / С.П. Зимин [и др.]// Письма в ЖТФ. — 2000. —том 26, вып. 1. — C.24-25.
11. Формирование двухсторонней пористой структуры при электрохимическом травлении кремния методом Унно-Имаи / С.П. Зимин [и др.]// Письма в ЖТФ. — 2000. —том 26, вып. 1. — C.27-29.
12. Кошевой, В. Л. Журнал «Молодой ученый» / В. Л. Кошевой // Исследование кристаллического пористого кремния, полученного методом электрохимического травления с использованием подсветки HeNe лазера - 2015. — №10. — С. 233¬236, 231.
13. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation/ P. Allongue [и др.]//Journal of the Electrochemical Society — 1993. —C.76.
14. Вещи и вещества/ Л. А. Головань [и др.]// журнал «Химия и жизнь» .— №4.— 2008.— С.4.
15. Levy-Clement, C. Macropore Formation on p-Type Silicon./С. Levy-Clement, A. Logoubi, M. Tomkiewicz// Journal of the Electrochemical Society .— 1994.— С. 141, 958.
16. Steiner, P. Current-induced light emission from a porous silicon device./ P Steiner, F. Kozlovski, W. Lang./ IEEE Electron Device Letters.—1993.— С. 14,317.
17. Эффективная электролюминесценция пористого кремния. / Л.В. Беляков [и др.] // Полупроводники.—1993. — Т. 27. — С. 27, 1078.
18. Горячев, Д.Н. О механизме образования пористого кремния / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников.—2000. —том 34, вып. 9—С. 1184.
19. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием. / Е.В. Астрова [и др.]// Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, вып. 10. - C. 1261-1268.
20. Горячев, Д.Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недоста¬точной концентрации неосновных носителей / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, вып. 6. - C. 739¬744.
21. Трегулов, В.В. Научное издание / В.В. Трегулов// Пористый кремний: техно¬логия, свойства, применение. - 2011. - С. 13-17.
22. Физика полупроводников. / Бонч-Бруевич, В.Л. [и др.]// журнал «Наука» . — 1977. — С.16—17.
23. Махмуд-Ахунов, М. Ю. Модификация поверхности металлов и полупроводников при токовой обработке в кислородосодержащих растворах: автореф. дис. / М. Ю. Махмуд-Ахунов.— Ульяновск, 2016.— С. 41.
24. Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращённых пластин / А.Г. Милехин [и др.]//Физика и техника полупроводников. — том 40, вып. 11//. — 2006 . — С.1341.
25. Чукин, Г.Д. / Г.Д. Чукин // Химия поверхности и строение дисперсного кремнезёма//. — 2008 . — С.48, 19.
26. Aryeh Ben-Na’im. Hydrophobic Interaction. / Aryeh Ben-Na’im // Plenum Press, N.Y. - 1980. - С. 311.
27. Gautier, G. Integration of porous silicon in microfuel cells: a review / G. Gautier, S. Kouassi // International Journal of Energy Research. - 2015. - Т. 39. - С. 1-25.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.



Подобные работы


©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ