Тема: Моделирование диодной системы с тонким полевым эмиттером в цилиндрической системе координат
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
1 Расчет диодной системы с тремя граничными условиями в
цилиндрической системе координат 5
1.1 Метод разделения переменных в цилиндрической системе координат 5
1.2 Моделирование диодной системы 10
1.2.1 Физическая модель 10
1.2.2 Математическая модель 10
1.2.3 Решение граничной задачи 11
1.2.4 Результаты численных расчетов 14
1.2.5 Результаты 16
2 Расчет диодной системы с четырьмя граничными условиями 17
2.1 Физическая модель 17
2.2 Математическая модель 17
2.3 Решение задачи 18
2.4 Результаты численных расчетов 21
2.5 Результаты 23
Выводы 23
3 Моделирование диодной системы с конечным полевым острием 24
3.1 Физическая модель 24
3.2 Математическая модель 25
3.3 Решение граничной задачи 25
3.4 Результаты 29
Заключение 30
Литература
📖 Введение
К основным преимуществам полевых эмиттеров можно отнести прежде всего их компактность, в связи с отсутствием дополнительных узлов для получения эмиссии, и экономичность, так как отсутствует расход на дополнительный нагрев и необходимы небольшие напряжения для обеспечения процесса эмиссии[3].Кроме того, следует также отметить, что непрерывно возрастающие требования к качеству проектируемых наноэлектронных приборов приводят к необходимости учета все более сложных элементов моделируемых систем. К настоящему времени в литературе представлено достаточно много методов расчета и моделирования подобных диодных систем на основе полевых эмиттеров [4]-[7].
Целью данной работы является построение математической модели тонкого полевого острия и нахождение распределения потенциала во всей области диодной системы.
✅ Заключение
2. Получено распределение электрического потенциала для модели диодной системы (2.1) с граничными условиями (2.2).
3. Построена физическая и математическая модели тонкого острия на плоской подложке. Найдено распределение электрического потенциала в аналитическом виде (3.3) — (3.4).
В ходе решения всех поставленных граничных задач был использован метод разделения переменных для уравнения Лапласа. Полученные численные значения соответствуют граничным условиям и совпадают с ожидаемым распределением потенциала.