1. Выбор источника и концентрации легирующей примеси, выбор схемы установки для процесса диффузии.
2. Расчет зависимости коэффициента диффузии легирующей примеси от температуры D(Т) (таблица и график вблизи заданной температуры).
3. Расчет распределения концентрации примеси по глубине N(x,t) (таблица и график, графики построить в линейном и полулогарифмическом масштабе).
4. Определение требуемого времени для формирования p-n-перехода на заданной глубине.
5. Выбор метода, схемы установки и определение параметров процесса нанесения пленки диоксида кремния заданной толщины (расчётным или графическим путём).
Методы осуществления диффузионных процессов.doc
Калинина2.bmp
Калинина1.bmp
ЗАДАНИЕ НА КР вар 2.doc
Диффузия.doc
График для курсовой работы2.xls
График для курсовой работы.xls
График.JPG
Выбор источника и концентрации легирующей примеси, выбор схемы установки для процесса диффузии.
Вид примеси указан в задании: бор. Концентрация примеси должна удовлетворять следующему условию , где , а , следовательно , из этого промежутка я выбрал . В качестве источника примеси я остановился на жидком источнике трехбромистого бора. В качестве установки для проведения процесса диффузии выбрана открытая труба протока газа-носителя. Диффузант вводят вместе с газом носителем в диффузионную зону.
В качестве газа-носителя используют предварительно очи¬щенные аргон или азот. При диффузии примесей в кремний в газ-носитель добавляют в небольших количествах кислород для предотвращения эрозии поверхности полупроводниковых пластин.
Процесс диффузии в потоке газа-носителя позволяет легко управлять такими технологическими параметрами, как состав парогазовой смеси, вводимой в рабочую зону, скорость потока газа и др. Это, в свою очередь, обеспечивает нужное распределение примеси в диффузионном слое.
