Исходные данные 3
Введение 4
Расчёт прибора 5
Выбор материала 5
Расчёт структуры и топологии 6
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 6
Расчет коэффициента передачи тока 10
Расчет емкостей и размеров переходов 11
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 12
Расчёт характеристик и параметров 13
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 13
Расчет обратных токов коллектора 16
Расчёт эксплутационных параметров 17
Выбор корпуса транзистора 18
Краткая технология изготовления кристалла 20
Заключение 23
Список литературы 24
Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца XIX века. При изобретении радио был применен порошковый когерер, при этом использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1924 году Лосев обнаружил явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях и наличие отрицательного дифференциального сопротивления карбида кремния. В 1940 г. был изготовлен первый диод (точечный). В 1948 г. Дж. Бардии и Браштейн разработали, изготовили точечный контактный транзистор. В 1952 году были созданы образцы (промышленные) плоскостных транзисторов. В 1956 году начали производство транзисторов с базой, которая получена методом диффузии. В 1961 году была применена планарная технология изготовления транзисторов. На сегодняшнее время рабочие частоты изготовляемых транзисторов достигают порядка 50 ГГц.
Задачей данной работы есть разработка транзистор структуры p-n-p по аналогии с прототипом 2 T842A.
В данной работе перед нами ставилась задача: разработать транзистор структуры p-n-p по аналогии с прототипом 2T842A.
Для этого мы произвели расчёт прибора (выбор материала, расчёт структуры и топологии, расчёт характеристик и параметров).
В заключении произведен выбор корпуса транзистора и рассмотрена, кратко, технология изготовления кристалла проектируемого транзистора.
Данная работа имеет большое практическое значение при проведении подобных расчетов.
Работа выполнена в полном объеме на 24 страницах с использованием 4 рисунков и 13 литературных источников.
