📄Работа №5375

Тема: Транзистор структуры p-n-p переключательный (прототип 2 T842A)

Характеристики работы

Тип работы Курсовые работы
Прочее
Предмет Прочее
📄
Объем: 24 листов
📅
Год: 2016
👁️
Просмотров: 553
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
ℹ️ Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.

📋 Содержание

Исходные данные 3
Введение 4
Расчёт прибора 5
Выбор материала 5
Расчёт структуры и топологии 6
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. 6
Расчет коэффициента передачи тока 10
Расчет емкостей и размеров переходов 11
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры 12
Расчёт характеристик и параметров 13
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот 13
Расчет обратных токов коллектора 16
Расчёт эксплутационных параметров 17
Выбор корпуса транзистора 18
Краткая технология изготовления кристалла 20
Заключение 23
Список литературы 24

📖 Введение

Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца XIX века. При изобретении радио был применен порошковый когерер, при этом использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1924 году Лосев обнаружил явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях и наличие отрицательного дифференциального сопротивления карбида кремния. В 1940 г. был изготовлен первый диод (точечный). В 1948 г. Дж. Бардии и Браштейн разработали, изготовили точечный контактный транзистор. В 1952 году были созданы образцы (промышленные) плоскостных транзисторов. В 1956 году начали производство транзисторов с базой, которая получена методом диффузии. В 1961 году была применена планарная технология изготовления транзисторов. На сегодняшнее время рабочие частоты изготовляемых транзисторов достигают порядка 50 ГГц.
Задачей данной работы есть разработка транзистор структуры p-n-p по аналогии с прототипом 2 T842A.

Возникли сложности?

Нужна качественная помощь преподавателя?

👨‍🎓 Помощь в написании

✅ Заключение

В данной работе перед нами ставилась задача: разработать транзистор структуры p-n-p по аналогии с прототипом 2T842A.
Для этого мы произвели расчёт прибора (выбор материала, расчёт структуры и топологии, расчёт характеристик и параметров).
В заключении произведен выбор корпуса транзистора и рассмотрена, кратко, технология изготовления кристалла проектируемого транзистора.
Данная работа имеет большое практическое значение при проведении подобных расчетов.
Работа выполнена в полном объеме на 24 страницах с использованием 4 рисунков и 13 литературных источников.

Нужна своя уникальная работа?
Срочная разработка под ваши требования
Рассчитать стоимость
ИЛИ

📕 Список литературы

1. Расчёт биполярных транзисторов: Уч. пособие/ В.К.Базылев РГРТА Рязань, 2004, 68 с.
2. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я.А. Федотова, М., Сов. Радио, 1973. - 336 с.
3. Н. М. Тугов, Б.А. Глебов Н.А.Чарыков Полупроводниковые приборы: М.: Энергоатомиздат, 1990.-576 с.
4. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под ред. Н. Д. Фёдорова, 1998. 560 с.
5. А. С. Березин, О.Р. Мочалкина Технология и конструирование интегральных микросхем - М.: Радио и связь, 1983. - 232 с.
6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. М.: Мир, 1984.
7. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ./ Под ред. И.В.Грехова -·Л.: Энергоатомиздат, 1986. - 248 с.
8. А. Л. Андреев, В.А.Миронов , Л.К.Чиркин. Расчёт биполярных транзисторов и тиристоров. Л: Энергия. 1990. - 72 с.
9. М .Г. Крутякова и др. Полупроводниковые приборы и основы их проектирования. 1983.
10. Н. Н. Горюнов. Коструирование корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1972. - 172 с,
11. Э. А. Матсон. Д.В.Крыжановский., В.И.Петкевич. Конструкции и расчёт микросхем и микроэлементов ЭВА. - Минск: Высшая школа, 1979. - 192 с.
12. А. Ф. Трутко. Методы расчёта транзисторов. 1971.
13. В.И. Торопчин, Расчет и проектирование маломощных биполярных транзисторов, Саратов, 1988г, 213 с

🖼 Скриншоты

🛒 Оформить заказ

Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.
Предоставляемые услуги, в том числе данные, файлы и прочие материалы, подготовленные в результате оказания услуги, помогают разобраться в теме и собрать нужную информацию, но не заменяют готовое решение.
Укажите ник или номер. После оформления заказа откройте бота @workspayservice_bot для подтверждения. Это нужно для отправки вам уведомлений.

©2026 Cервис помощи студентам в выполнении работ