🔍 Поиск готовых работ

🔍 Поиск работ

РАЗРАБОТКА МЕТОДА И ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ ДЛЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ

Работа №28918

Тип работы

Диссертации (РГБ)

Предмет

технология машиностроения

Объем работы182
Год сдачи2003
Стоимость500 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
485
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Введение 5
1. Состояние вопроса о технологии сверхпроводящих
туннельных переходов субмикронных размеров. 14
1.1. Системы материалов для электродов и барьера
сверхпроводящих туннельных переходов 14
1.1.1. ’’Свинцовый проект” IBM и другие ’’ранние” попытки создания сверхпроводящих туннельных структур 18
1.1.2. Технологии на основе композиционной пленки Nb/Al - AlOx/Nb 23
1.2. Анализ современных методов изготовления Nb/Al —
AlOx/Nbтуннельных переходов субмикронных размеров 35
1.2.1. Методы формирования туннельного барьера
с разрывом вакуума (еж situ) 40
1.2.2. Методы формирования туннельного барьера
в едином вакуумном цикле (in situ) 47
1.3. Выводы и постановка задачи исследования 70
2. Экспериментальное исследование структуры границ раздела в композиционной пленке Nb/Al —
AlOx/Nb 72
2.1. Технологические аспекты формирования композиционной пленки Nb/Al — AlOx/Nb 73
2.1.1. Напыление ниобия 73
2.1.2. Напыление алюминия 80
2.1.3. ’’Сборка” Nb/Al — AlOx/Nbмногослойной структуры 82
2.1.4. Вольт-амперные характеристики полученных туннельных переходов 87
2.2. Выбор метода исследования структуры границ раздела в композиционной пленке Nb/Al — AlOx/Nb . 88
2.3. Физические основы метода спектроскопии энергетических потерь отраженных электронов 91
2.4. Результаты исследования границ раздела в композиционной пленке Nb/Al — AlOx/Nb 97
2.5. Выводы 101
3. Разработка технологии получения сверхпроводящих туннельных переходов субмикронных размеров 105
3.1. Формирование области туннельного перехода .... 106
3.1.1. Маска для травления туннельных переходов 106
3.1.2. Режим травления туннельных переходов . . 107
3.2. Создание верхнего и нижнего электродов Nb/Al —
AlOx/Nbпереходов 110
3.3. Формирование межслойной изоляции 112
3.4. Удаление резистной маски по окончании процесса травления 115
3.5. Этапы технологического процесса 120
3.6. Электрические характеристики сверхпроводящих туннельных переходов субмикронных размеров ... 122
3.6.1. Вольт-амперные характеристики при температуре жидкого гелия (4 К) 122
3.6.2. Результаты измерений при температурах <100 мК 126
3.6.3. Зависимость тока от сверхпроводящей фазы и измерение величин малых критических токов 129
3.7. Выводы 132
4. Исследование применения субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов в качестве датчика температуры в диапазоне ниже 1К 134
4.1. Современная температурная шкала и датчики температур 134
4.1.1. Принципы международной температурной шкалы МТШ-90 134
4.1.2. Датчики температур ниже 77 К 137
4.2. Физические основы измерения температуры с помощью металлических туннельных переходов 139
4.3. Опыт применения датчика температуры в субкельвинном диапазоне 144
4.4. Оценка метрологических характеристики датчика
температуры в субкельвинном диапазоне 150
4.4.1. Точность измерения 150
4.4.2. Работа в условиях магнитного поля 152
4.4.3. Помехоустойчивость 153
4.5. Выводы 158
Заключение 160
Литература 163


В последние годы интенсивное развитие получила физика и технология туннельных сверхпроводниковых структур, прогресс в которой неразрывно связан с последними достижениями в области высоких технологий.
Важными результатом этого стало создание таких информационно-измерительных приборов и их элементов, как:
Джозефсоновский эталон напряжения, характеризующийся относительной погрешностью на уровне 10-9 [1-4];
СКВИДы (от англ. Superconductive QUantum Interference Device, SQUID) -датчики магнитного поля, самые чувствительные из существующих, а также системы на их основе для измерения тока и напряжения, датчики смещения, магнитной восприимчивости [5-7];
Детекторы частиц и излучений [8];
Датчики температуры в диапазоне от нескольких десятков Кельвин до нескольких десятков миллиКельвин [9-11] - прототипы первичного и вторичного эталонов температуры в указан¬ном диапазоне;
Одноэлектронные устройства [12-14] - транзисторы [15], ловушки [16] и другие, манипулирующие одиночными зарядами, устройства [17,18]. На сегодняшний день, одноэлектронные транзисторы - наиболее чувствительные датчики заряда (чувствительность « 10-5e/x/Hz[19-21]).
Логические элементы - работающие на рекордно высоких частотах и обладающие при этом рекордно низким тепловыделением (до 770 ГГц и 1.5 мкВт). Сравнимые полупроводниковые устройства обладают по крайней мере на порядок более низким быстродействием и рассеивают примерно в 105 раз большую мощность [22-27];
Практически для всех перечисленных выше типов приборов и устройств весьма актуальный интерес представляют структуры с использованием сверхпроводящих (ниобиевых) туннельных пере-ходов размером не более сотен нанометров.
Так, снижение размеров переходов приводит к повышению собственной энергетической чувствительности Е СКВИДОВ [28], которая повышается вместе с уменьшением линейного размера (корня квадратного из площади) перехода. Попутно, применение методов формирования элементов структур субмикронных размеров, с необходимостью сопровождающее изготовление субмикронных переходов, позволяет добиться еще ряда существенных преимуществ. Переход на субмикронной ширины линии при изготовлении входных катушек позволяет существенно снизить внешний размер кольца СКВИДа, что существенно упрощает работу последнего во внешнем магнитном поле. С другой стороны, общее уменьшение размеров элементов снижает их паразитную емкость и, вследствие этого, снижает уровень шума устройств, построенных на основе СКВИДов.
Широкополосность детекторов излучений возрастает с уменьшением емкости туннельного перехода. Однако, для согласования импедансов детектора и микроволновых трактов сопротивление первого должно находиться в определенных пределах (несколько десятков Ом). Поэтому одновременно с уменьшением размеров перехода требуется пропорционально повышать прозрачность туннельного барьера. При этом, необходимо сохранить высоким качество туннельного барьера, определяющее уровень шума, а значит, чувствительность детекторов излучений.
Субмикроскопический размер туннельных переходов для за¬дачи измерения температуры является необходимым условием [9-11]. Применение ниобиевых субмикронных туннельных пере¬ходов позволит сделать туннельные термометры практическими приборами, обеспечив им долговечность и стабильность свойств.
Быстродействие сверхпроводниковых логических элементов также напрямую связано с размером переходов [23,29-31]. В первом приближении, максимально достижимая тактовая частота fc таких устройств обратно пропорциональна размеру перехода a[30] fc~ ^Gm] Как и в случае СКВИДов, но в еще большей степени, важен сопутствующий переход всего технологического процесса на субмикронные размеры. Уменьшение размеров резисторов (а в некоторых случаях и возможность избежать их использования [31,32]) и индуктивностей само по себе повышает характерные частоты цифровых устройств.
Кроме того, по-прежнему, существует ряд фундаментальных научных задач, для решения которых необходимы сверхпроводящие (ниобиевые) туннельные переходы размером не более сотен нанометров. Примерами таких задач может быть изучение процессов резонансного туннелирования, включающие одновременно и одиночные Ку перовские пары, и одиночные электроны - так называемые ”джозефсоновские квазичастичные циклы” [33], а так¬же изучение зависимости между током и сверхпроводящей фазой в сверхпроводниковых структурах [37,38,41].
К сожалению, до настоящего времени не было возможности реализовать все преимущества, которые обещает использование сверхпроводящих туннельных переходов субмикронного размера в устройствах низкотемпературной электроники. Причиной этого является недостаточный уровень разработки технологии изготовления таких переходов. Существующие технологические процессы либо не обеспечивают требуемого качества туннельных переходов, либо очень сложны и недоступны для большинства лабораторий.
Целью диссертационной работы является поиск и разработка метода и технологии получения сверхпроводящих туннельных переходов субмикронного размера и опробование ее путем создания датчика температуры на основе субмикронных туннельных переходов для работы в субкельвинном диапазоне.
Для достижения поставленной цели в диссертации решены следующие задачи:
1) Выполнен анализ состояния технологии сверхпроводящих туннельных переходов и определено направление разработки основ технологии субмикронных переходов;
2) Изучена взаимосвязь структуры границ раздела в композиционной пленке Nb/Al — AlOx/Nbи качества сверхпроводящих туннельных переходов, получаемых на ее основе;
3) Найден метод исследования границ раздела в Nb/Al — AlOx/Nbструктуре и выполнено измерение профилей концентрации Nb/Alи Al — AlOx/Nbграниц раздела в Nb/Al — AlOx/Nbпленке, из которой получены переходы, характеризующиеся высоким качеством туннельного барьера и сверхпроводящих берегов;
4) Сформулированы и реализованы метод и технология получения субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов; разработаны все его составные части: маска для травления области туннельных переходов, параметры напыления и травления слоев, параметры процесса формирования межслойной изоляции и, наконец, способ удаления масок после травления;
5) Опробована разработанная технология: изготовлен на основе цепи субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов датчик температуры в субкельвинном диапазоне и изучены его метрологические характеристики.
Структура и содержание диссертации.
Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.
Первая глава посвящена изучению состояния технологии субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbтуннельных переходов на основе анализа литературы. Анализ накопленного опыта позволил сделать вывод, что для получения качественных (то есть с низким током утечки (высоким соотношением Rj/ R^),’’большой'^ вертикальной щелью - рис. 1.1) необходимо формировать туннельный переход в едином вакуумном цикле (in situ)с последующим применением метода планаризации для формирования окна в межслойной изоляции над туннельным переходом. При этом, требуется избежать применения химико-механической полировки, являющегося при выполнении данной работы недоступным.
Вторая глава направлена на изучение взаимосвязи качества Nb/Al — AlOx/Nbпереходов и структуры границ раздела в ком¬позиционной пленке Nb/Al — AlOx/Nb.Необходимость изучения структуры такой границы осознана давно (например, [65,80]). Однако до настоящего времени не было надежного и доступного метода оценки этого структурного параметра. Такие методы исследования состава поверхности, как Оже-электронная спектроскопия и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, хотя и обладают необходимой чувствительностью, но их информационная глубина настолько мала, что для построения профилей концентрации требует применения ионного распыления. Однако возможная селективность распыления, а также стимулированные облучением изменения структуры делают сомнительной достоверность полученных результатов. Пожалуй, лишь просвечивающая электронная микроскопия косых шлифов в области границы Nb/Al позволяла непосредственно наблюдать ее структуру. Однако очевидно, что такая методика чрезвычайна трудоемка и малодоступна, а исследуемая этим методом область чрезвычайно мала в пространственном отношении и поэтому представительность полученной таким образом информации несколько сомнительна. В отличие от этих методик, примененная в данной работе спектроскопия энергетических потерь отраженных электронов отличается неразрушающим характером снятия профилей концентрации, высокой чувствительностью и, наконец, относительной аппаратурной простотой. Выполнен анализ структуры границ раздела в структуре Nb/Al — AlOx/Nbтуннельного контакта отличающегося высоким качеством туннельного барьера (Rj/Rn~ 50) и имеющим характерную особенность вблизи щелевого напряжения.
Третья глава посвящена собственно разработке технологического процесса изготовления субмикронных сверхпроводящих туннельных переходов. Субмикронный размер переходов потребовал применения электронной литографии для задания формы элементов структур. Применение электронной литографии вызвало необходимость разработки принципиально новой маски для травления области контакта. Субмикронный размеров переходов обусловило также применение планаризации для формирования окна в межслойной изоляции. Наконец, потребовалось решить вопрос об удалении остатков маски после травления области туннельного перехода, а также ниобиевых электродов. Электрофизические измерения, выполненные на изготовленных субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbпереходах и структурах, показали их высокое качество и отсутствие деградации свойств сверхпроводящих электродов и туннельного барьера, сопряженной с процессом изготовления.
В четвертой главе изучается датчик температуры в диапазоне ниже 1 К, выполненный на основе цепи последовательно соединенных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов субмикронных размеров. Дифференциальная проводимость такой системы имеет вблизи нулевого смещения колоколообразную особенность, полуширина и об¬ратная глубина которой линейно связаны с температурой [9-11].
Измерение температурных зависимостей полуширины и обрат¬ной глубины особенности проводимости вблизи нулевого смещения выполнено на цепочке из 6 последовательно соединенных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов размером 0.5 цт х 0.5цт каждый, изготовленных по разработанной в диссертации технологии. Реперные значения температуры были получены с помощью резистивного датчика температуры из оксида рутения, приведенного в тепловой контакт с пластиной, несущей образец. Достигнутая точность измерения температуры с помощью цепи субмикронных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов составила < ±0.003 Kв диапазоне ниже 0.5 К, что примерно в полтора раза превышает точность луч¬ших существующих практических датчиков. Показана возможность работы таких датчиков температуры в высоких магнитных полях и их высокая помехоустойчивость.
В конце работы приводятся основные выводы.
Основные положения, выносимые на защиту:
1) Метод и технология изготовления Nb/Al — AlOx/Nbсверх-проводящих туннельных переходов размером до 0.2 х 0.2 цт , характеризующихся высоким качеством туннельного барьера и сверхпроводящих ниобиевых электродов - высоким отношением сопротивлений подщелевой и нормальной ветвей ВАХ Rj/Rn« 50, величиной щелевого напряжения Vg= 2А > 2.75 mVв пересчете на один переход, близкой к характерному для качественных Nb/Al — AlOx/Nbпереходов размером в несколько кв.мкм значению и резким скачком в области ще¬левой особенности на ВАХ AVg< 0.15 mV.Впервые технология изготовления Nb/Al — AlOx/Nbтуннельных переходов размером до 0.2 х 0.2 цт2 использует только процессы напыления и травления.
позиционной пленке Nb/Al — AlOx/Nbс помощью изучения спектров энергетических потерь отраженных электронов и ее взаимосвязь с качеством получаемых Nb/Al — AlOx/Nb сверхпроводящих туннельных переходов. Впервые выполнено исследование границ раздела в Nb/Al — AlOx/Nbструктуре с помощью изучения спектров энергетических потерь отраженных электронов. Показано, что граница Al — AlOx/Nbявляется резкой, a Nb/Al- размыта в переходный слой толщиной не более 3 нм. Неразрушающий характер исследования структуры границ раздела слоев Nb/Al — AlOx/Nbструктуры с по¬мощью изучения энергетических спектров отраженных электронов в сочетании с его высокой чувствительностью позволяет рекомендовать указанный метод для контроля качества туннельных переходов на ранних стадиях технологического процесса.
3) Создание прототипа датчика температуры в диапазоне ниже 1 К и результаты исследования его метрологических характеристик, продемонстрировавших точность < ±0.003 K, что в полтора раза превосходит точность лучших существующих практических датчиков, возможность работы таких датчиков температуры в высоких магнитных полях, что не допускает ни один из существующих практических датчиков в данном диапазоне, а также их высокую помехоустойчивость.
Результаты представленных в диссертации исследований докладывались на следующих научных конференциях: Всероссийская научно-техническая конференция '’Быстрозакаленные материалы и покрытия”, 29 ноября 2002, «МАТИ»- РГТУ, Москва;
International Symposium on Mesoscopic Superconductivity (MS2000), March 8 - 10, 2000, NTT Basic Research, Japan;
Tagung "Kryoelektronische Bauelemente 1999”, Koln, Oktober, 3-5, 1999;
European Conference on Applied Superconductivity (EuCAS-99), Barcelona, Spain, 14 - 17 September 1999;
Applied Superconductivity Conference (ASC’98) Desert Springs Re¬sort, Palm Desert, California, September 13 - 18, 1998;
European Conference on Applied Superconductivity (EuCAS-97), 30 June - 3 July, The Netherlands, 1997.
Основные результаты диссертационной работы отражены в 16 Российских и зарубежных публикациях [34-50].


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!
ДИПЛОМНЫЕ МАГИСТЕРСКИЕ ДИССЕРТАЦИИ
КУРСОВЫЕ СТАТЬИ ВКР

В результате проведенных в диссертационной работе исследований получены следующие основные результаты:
1) На основе анализа проблем, связанных с разработкой технологии сверхпроводящих Nb/Al — AlOx/Nbтуннельных пере¬ходов субмикронных размеров установлено, что требованиям технологии отвечают методы с in situформированием композиционной пленки Nb/Al — AlOx/Nbи планаризацией слоя межслойной изоляции.
2) Теоретически и экспериментально показана эффективность метода спектроскопии энергетических потерь отраженных электронов для исследования границ раздела в структуре Nb/Al — AlOx/Nb.Установлено, что граница Al — AlOx/Nb является резкой, а граница Nb/Al - размыта в переходный слой толщиной не более 3 нм.
3) Теоретически и экспериментально обосновано применение метода спектроскопии энергетических потерь отраженных электронов в качестве метода неразрушающего контроля качества сверхпроводящих туннельных переходов на основе Nb/Al — AlOx/Nbна ранних стадиях технологического процесса их получения.
4) Разработаны метод и технология получения Nb/Al — AlOx/Nbсверхпроводящих туннельных переходов размером до 0.2 х 0.2 мкМ2 И характеризующих высокими показателями качества - отношение сопротивлений подщелевой и нормальной ветвей ВАХ Rj/Rn~ 50), величина щелевого напряжения Vg= 2А > 2.75 mV,размытие щелевой особенности на ВАХ AVg< 0.15 mV.
5) Экспериментально показана возможность создания сложных интегральных структур с помощью разработанной в диссертации технологии. Изготовлены опытные сверхпроводящие туннельные структуры субмикронных размеров с количеством переходов до 400 (одноэлектронные транзисторы, датчики температур, одноконтактые СКВИДы) для применения в физических исследованиях и в низкотемпературных информационно-измерительных приборах.
6) Теоретически и экспериментально установлено, что туннельные датчики температуры в диапазоне ниже 0.5 К характеризуются погрешностью измерения < ±0.003 K , что существен¬но ниже погрешности существующих датчиков.
7) Теоретически доказана возможность работы датчиков температуры на базе Nb/Al — AlOx/Nbтуннельных переходов в вы¬соких магнитных полях и их высокая помехоустойчивость.
В заключение, я хотел бы поблагодарить своего научного руководителя к.ф.-м.н Борисова А. М., заведующего кафедрой "Технологии обработки материалов потоками высоких энергий" «МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского профессора Суминова И.В. и к.т.н. Крита Б.Л., заведующего кафедрой "Технологии производства приборов и систем управления летательными аппаратами" «МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского профессора Суминова В. М., заведующего лабораторией физики наноструктур НИИ ядерной физики МГУ д.ф.-м.н Куприянова М.Ю., заведующего лабораторией Криоэлектроники физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова профессора Снигирева О. В. и сотрудников лаборатории к.ф.-м.н Преснова Д. Е., к.ф.-м.н Трифонова А. С., Савватеева М.Н., Прохорову И. Г., Лопатину Е.Е., к.ф.-м.н Лотхова С. В., к.ф.-м.н Крупенина Б.А. и к.ф.-м.н Богословского С. А., сотрудников кафедры Общей физики и ядерного синтеза Московского энергетического института д.ф.-м.н Афанасьева В. И., к.ф.-м.н Лубенченко А.В. и к.т.н. Федоровича С.Д., научного сотрудника Института прикладной физики, г. Нижний Новгород, Лапкина И. В., сотрудников Федерального физико¬технического института, г. Брауншвайг, ФРГ профессора Ю. Нимайера, доктора А. Б. Зорина и доктора Т. Вайманна, а также руководителя группы Технического Университета Чалмерса профессора В. Ю. Белицкого — и многих других — всех, кто в разное время оказывал помощь и поддержку в моей работе и мне лично.



[1] J. Niemeyer, J. H. Hinken, R. L. Kautz. Microwave induced constant-voltage steps at one volt from a series array of Joseph¬son junctions. — Applied Physics Letters, 1984, v. 45, No. 4, p. 478 - 480.
[2] J. Niemeyer, L. Grimm, W. Meier, J. H. Hinken, and E. Vollmer. Stable Josephson reference voltages between 0.1 and 1.3 V for high precision voltage standards. — Applied Physics Letters, 1985, v.47, No. 11, p. 1222 - 1223.
[3] C. A. Hamilton, R. L. Kautz, R. L. Steiner and F. L. Lloyd. A practical Josephson voltage standard at 1V. — IEEE Electron Device Letters, 1985, v. 6, p. 623 - 625.
[4] C. A. Hamilton. Josephson voltage standards. — Review of Sci¬entific Instruments, 2000, v. 71, No. 10, p. 3611 - 3623.
[5] В. В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников. Изд. второе, исправленное и дополненное В. В. Рязановым и М. В. Фейгельманом. — М.:МЦНМО, 2000, 398 с.
[6] Кларке Дж. Сверхпроводящие квантовые интерференционные приборы для низкочастотных измерений. //В сб.: Сла¬бая сверхпроводимость. Квантовые интерферометры и их применения. Под ред. Б. Б. Шварца и С. Фонера. — М.: Мир, 1980, с. 7 - 65.
[7] R. H. Koch, D. J. van Harlingen and J. Clarke. Quantum noise theory for the de SQUIDs. — Applied Physics Letters, 1981, v.38, p. 380 - 382.
[8] J. R. Tucker and M. J. Feldman. Quantum detection at millime¬ter wavelength. — Reviews of Modern Physics, 1985, v. 57, No. 4, p. 1055 - 1113.
[9] J.P. Pekola, K.P. Hirvi, J.P. Kauppinen, M.A. Paalanen. Ther¬mometry by arrays of tunnel junctions. — Physical Review Let¬ters, vol. 73, November 1994, p. 2903 - 2906.
[10] K.P. Hirvi, J.P. Kauppinen, A. N. Korotkov, M.A. Paalanen and
J.P. Pekola. Arrays of normal metal tunnel junctions in weak Coulomb blockade regime. — Applied Physics Letters, vol. 67, No. 14, 1995, p. 2096 - 2098.
[11] Sh. Farhangfar, K.P. Hirvi, J.P. Kauppinen, J.P. Pekola,
J.J. Toppari, D.V. Averin, and A.N. Korotkov. One dimen¬sion arrays and solitary tunnel junctions in the Weak Coulomb blockade regime: CBT Thermometry. — Journal of Low Temperature Physics, vol. 108, July 1997, p. 191 - 215.
[12] Д. В. Аверин, К. К. Лихарев. Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров. — Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики, ЖЭТФ, 1986, т. 90, номер 2, с.733 - 738.
[13] Т.А. Fulton and G.J. Dolan. Observation of single-electron charging effects in small tunnel junctions. — Physical Review Letters, 1987, v.59, No.l, p. 109 - 112.
[14] Л. С. Кузьмин, К. К. Лихарев. Непосредственное экспериментальное наблюдение дискретного коррелированного одноэлектронного туннелирования. — Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики, ЖЭТФ, 1987, т. 45, но¬мере, с.289 - 298.
[15] Р. Delsing, К. К. Likharev, L. S. Kuzmin, and Т. Claeson. Time - correlated single-electron tunneling in one-dimensional arrays of ultrasmall tunnel junctions. — Physical Review Letters, 1989, v.63, No. 17, p. 1861 -1866.
[16] M.W. Keller, J.M. Martinis, N.M. Zimmerman, and A. H. Steinbach. Accucracy of electron counting using a 7-junction electron pump. — Applied Physics Letters, 1996, v. 69, No. 12, p. 1804 - 1809.
[17] D. V. Averin and К. K. Likharev. Single-electronics: a correlated transfer of single electrons and cooper pairs in systems of small tunnel junctions — in Mesoscopic Phenomena in Solids, Edited by B. Al’tshuler, P.A. Lee, and R. Webb, Elsevier, Amsterdam, 1991, Chapter 6.
[18] P. Lafarge, H. Pothier, E. R. Williams, D. Esteve, C. Urbina, and M.H. Devoret. Direct observation of macroscopic charge quantization. — Zeitschrift fur Physik, 1991, В 85, p. 327.
[19] V. A. Krupenin, D.E. Presnov, M.N. Savvateev, H. Scherer, A. B. Zorin and J. Niemeyer. Noise in Al single electron tran¬sistors of stacked design. — Journal of Applied Physics, 1998, v.84, No. 6, p. 32 - 35 (1998).
[20] V. A. Krupenin, D.E. Presnov, A. B. Zorin and J. Niemeyer. Aluminum single electron transistors with islands isolated from a substrate. — Journal of Low Temperature Physics, 2000, v. 118, No. 5/6, p. 287 - 290.
[21] V. A. Krupenin, D.E. Presnov, A. B. Zorin and J. Niemeyer. A very low noise single electron electrometer of stacked-junction geometry. - Physica B, 2000, v. 284-288, p. 1800 - 1803.
[22] O.A. Муханов, В. К. Семенов. Новый способ способ цифро¬вой обработки информации устройствами с Джозефсоновскими переходами. — МГУ им. М.В. Ломоносова, Физический факультет, препринт 9/1985.
[23] К. К. Likharev and V. К. Semenov. RSFQ logic/memory fam¬ily: A new Josephson-j unction technology for sub-terahertz clock frequency digital systems. — IEEE Transactions on Applied Su¬perconductivity, 1991, v. 1, No. 1, p. 3 - 23.
[24] V. K. Kaplunenko, M. I. Khabipov, V. P. Koshelets, К. K. Likharev, O. A. Mukhanov, V. K. Semenov, I. L. Serpuchenko and A. N. Vystavkin. Experimental study of the RSFQ logic el¬ements. — IEEE Transactions, on Magnetics, v. 25, p. 861 - 864.
[25] P. I. Bunyk, A. Oliva, V. K. Semenov, M. Bhushan, К. K. Likharev, J. E. Lukens, M. B. Ketchen, W. H. Mallison. — Ap¬plied Physics Letters, 1995, v. 66, No. 5, p. 646 - 648.
[26] W. Chen, A. V. Rylyakov, V. Patel, J. E. Lukens and К. K. Likharev. Superconductor digital frequency divider operating up to 750 GHz. — Applied Physics Letters, 1998, v. 73, No. 19, p. 2817 - 2819.
[27] W. Chen, A. V. Rylyakov, V. Patel, J. E. Lukens and К. K. Likharev. Rapid single flux quantum T-flip flop operating up to 770 GHz. — IEEE Transactions on Applied Superconductiv¬ity, 1999, v.9, No. 2, p. 3212 - 3215.
[28] М. В. Ketchen. Deep sub-pm low-Tc Josephson technology: the opportunities and the challenges. — IEEE Transactions on Ap¬plied Superconductivity, 1993, v. 3, No. 1, p. 2586 - 2593.
[29] A. W. Kleinsasser. High performance Nb Josephson devices for petaflop computing. — IEEE Transactions on Applied Super¬conductivity, 2001, v. 11, No. 1, p. 1043 - 1049.
[30] A. M. Kadin, C.A. Mancini, M.J. Feldman and D.K. Brock. Can RSFQ logic curcuits be scaled to deep submicron junction? — IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, v. 11, No. 1, p. 1050 - 1055.
[31] Y. Naveh, D.A. Averin, К. K. Likharev. Physics of high-jc Nb AlOx Nb Josephson junctions and prospects of their ap¬plications. — IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, v.ll, No.l, p. 1056 - 1060.
[32] V. Patel and J.E. Lukens. Self-shunted Nb/Al — AlOx/Nb Josephson junctions. — IEEE Transactions on Applied Super¬conductivity, 1999, v. 9, No. 2, p. 3247 - 3250.
[33] T. A. Fulton, P. L. Gammel, D.J. Bishop, L.N. Dunkleberger, and G. J. Dolan. Observation of combined Josephson and charg¬ing effects in small tunnel junction circuits — Physical Review Letters, 1989, v. 63, p. 1307 - 1310.
[34] В. П. Афанасьев, А.В. Лубенченко, С.Д. Федорович, А.В. Паволоцкий. Отражение электронов килоэлектронвольтных энергий от многослойных поверхностей. — Журнал технической физики, 2002, т. 72, вып. 11, с. 100 - 108.
[35] В.П. Афанасьев, А.В. Лубенченко, С.Д. Федорович, А.В. Паволоцкий, А. В, Солабуто. Диагностика послойного состава конструкционных материалов на основе спектра отраженных электронов. — Контроль. Диагностика, 2002, вып. 7, с. 41 - 44.
[36] Паволоцкий А. Б., Борисов А. М., Куприянов М.Ю. Межслойная изоляция для тонкопленочных сверхпроводящих туннельных устройств, выполненная методом планаризации // Всероссийская научно-техническая конференция " Быстрозакаленные материалы и покрытия"29 ноября 2002г. - М.: «МАТИ» - РГТУ им. К.Э. Циолковского, 2002, С.126-130.
[37] Е. Il’ichev, V. Zakosarenko, L. Fritzsch, R. Stolz, H.E. Hoenig, H.-G. Meyer, A.B. Zorin, V. Khanin, M. Gotz, A.B. Pavolotsky, and J. Niemeyer. Measuring of Small Supercurrents in Niobium SQUID Circuits — International Symposium on Mesoscopic Su¬perconductivity (MS2000), March 8-10, 2000, NTT Basic Res., Japan - Physica C: Superconductivity, vol. 352 (1-4), 2001, pp. 141-143.
[38] E. Il’ichev, V. Zakosarenko, L. Fritzsch, R. Stolz, H.E. Hoenig, H.-G. Meyer, M. Gotz, A.B. Zorin, V.V. Khanin, A.B. Pavolot¬sky, and J. Niemeyer. Radio-frequency based monitoring of small supercurrents. — Review of Scientific Instruments, March 2001 vol. 72(3), p. 1882 - 1887.
[39] K.Yu. Arutyunov, T.V. Ryynanen, J.P. Pekola and A.B. Pavolotski. Superconducting transition of single-crystal tin mi¬crostructures — Physical Review B, vol. 63, 092506 (8 Feb. 2001), paper 092506.
[40] D.E. Kirichenko, A.B. Pavolotsky, I.G. Prokhorova, O.V. Sni- girev, R. Mezzena, S. Vitale, Yu. V. Maslennikov and V. Y. Slo¬bodchikov. Noise Characteristics of a de SQUID-based Amplifier — Inst. Phys. Conf. Ser. No 167, 2000 (Paper presented at Ap¬plied Superconductivity, Spain, 14-17 September 1999), p. 537 - 540.
[41] E. Il’ichev, V. Zakosarenko, L. Fritzsch, R. Stolz, H.E. Hoenig, H.-G. Meyer, A.B. Zorin, A.B. Pavolotsky, and J. Niemeyer. Messung kleiner Suprastrome in LTS Josephson Schaltungen. Tagung "Kryoelektronische Bauelemente 1999", Koln, 3.-5. Oktober 1999, Impressum Herausgeber, Redaktion, Satz und Druck, S. 98.
[42] Д.Е. Кириченко, A.B. Паволоцкий, И.Г. Прохорова, О.В. Снигирев. Характеристики тонкопленочного датчика сканирующего магнитного микроскопа на основе сквида. — Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7, с. 112 - 117. D.E. Kirichenko, А.В. Pavolotskii, I.G. Prokhorova, O.V. Sni- girev. Characteristics of a thin-film sensor for a scanning SQUID microscope. — Technical Physics, 1999, vol. 44, No. 7, p. 839 - 843.
[43] A.B. Pavolotsky, Th. Weimann, H. Scherer, J. Niemeyer, A.B. Zorin and V.A. Krupenin. Novel Method for Fabricating Deep submicron Nb AlOx/Nb Tunnel junctions based on Spin-on glass planarization — IEEE Transactions On Applied Supercon¬ductivity, 1999, vol. 9, No. 2, 3251 - 3254.
[44] D.E. Kirichenko, A.B. Pavolotsky, I.G. Prokhorova, O.V. Sni- girev, R. Mezzena, S. Vitale, Yu.V. Maslennikov and A.V. Bel- jaev. Advanced Version of two-stage de SQUID-based Amplifier — IEEE Transactions On Applied Superconductivity, vol.9, No.2, June 1999, p. 2906 - 2908.
[45] K.Yu. Arutyunov, S.V. Lotkhov, A.B. Pavolotski, D.A. Pres¬nov and L. Rinderer. Resistive transition anomaly in supercon¬ducting nanostructures. — Physical Review B, March 1, 1999, vol.59(9), p.6487- 6498.
[46] A.B. Pavolotsky, Th. Weimann, H. Scherer, V.A. Krupenin,
J. Niemeyer, A. B. Zorin. Multilayer technique for fabricating Nb junction circuits exhibiting charging effects — Journal of Vacuum Science and Technology В 17(1), Jan/Feb 1999, p.230 - 232.
[47] H. Scherer, Th. Weimann, S.V. Lotkhov, A.B. Pavolotsky, R. Dolata, P. Hinze, B.W. Samwer, A.B. Zorin, J. Niemeyer. Technologievarianten zur lithographischen Herstellung vom metallischen Einzelelektronentunnelschaltungen an der PTB. — Tagung 6. "Statusseminar Supraleitung und Tieftemper- aturtechnik"Gelsenkirchen, Oktober 19-20, 1998.
[48] R. Dolata, A. B. Pavolotsky, Th. Weimann, H. Scherer, J. Niemeyer. Herstellung von sub gm Nb/Al2O3/Nb Josephson- Kontakten. — Tagung "Kryoelektronische Bauelemente 1998", Braunschweig, Oktober, 11-13, 1998.
[49] D.E. Kirichenko, A.B. Pavolotsky, I.G. Prokhorova, O.V. Sni- girev, R. Mezzena, S. Vitale, A.V. Beljaev. Two stage de SQUID¬based amplifier with double transformer coupling scheme — Proc. EuCAS-97 30 June-3 July, 1997, Inst. Phys. Conf. Ser. No 158, p.727 - 730.
[50] B.A. Крупенин, A.B. Паволоцкий, И.Г. Прохорова, О.В. Сни- гирев. Технология изготовления и характеристики диэлектрических слоев тонкопленочных RC фильтров для джозефсоновских и одноэлектронных устройств. — Письма в Жур¬нал технической физики, 26 января 1996, том 22, вып. 2, с. 19-27. V.A. Krupenin, А.В. Pavolotskii, I.G. Prokhorova, О. V. Snigirev. Fabrication techniques and characteristics of di¬electric layers for thin-film RC filters for Josephson and single¬electron devices. — Technical Physics Letters, January 1996, vol.22, No.l, p. 54 - 58.
[51] B.D. Josephson. Physics Letters, 1962, v. 1, p. 251.
[52] I. Giaever and K. Megerle. — Physical Review, 1961, v. 122, p. 1101 - 1104.
[53] И. К. Янсон, В. M. Свистунов, И. М. Дмитренко. Журнал экспериментальной и телретической физики, 1965, т. 48, с. 976.
[54] I. Giaever. Detection of the ac-Josephson effect. — Physical Re¬view Letters, 1965, v. 14, No. 22, p. 904 - 906.
[55] A. A. Bright, J. H. Greiner, S. P. Klepner, R. H. Wang, A. J. War¬necke. Thin film fabrication for the Josephson technology cross¬sectional model — Journal of Vacuum Science and Technology B, 1983, v. 1, No. 1, p. 77 - 90.
[56] S. I. Raider. IEEE Transactions on Magnetics MAG-21, 1985, p. 110.
[57] D.W. Face and D.E. Prober. Fabrication and de characteris¬tics of small-area tantalum and niobium superconducting tun¬nel junctions. — Journal of Applied Physics, 1987, v. 62 No. 8, p. 3257 - 3266.
[58] R. F. Broom, S. I. Raider, A. Oosenbrug, R. E. Drake and W. Walter. — IEEE Transaction on Electron Devices ED-27, 1980, p. 1998.
[59] Физико-химические свойства окислов. 2-е издание. Под ред. Г.В. Самсонова. — М.: Металлургия, 1980, 463 с. G.V. Sam¬sonov, Ed., The Oxide Handbook — Plenum, New York, 1982.
[60] С. C. Koch, J. О. Scarbrough, D.M. Kroeger. Effect of inter¬stitial oxygen on the superconductivity of niobium. — Physical Review B, 1974, vol. 9, No.3, p. 888 - 897.
[61] H. Kroger, L. N. Smith, and D. W. Jillie. Selective niobium an¬odization process for fabricating Josephson tunnel junctions. — Applied Physics Letters, 1981, vol.39, No.3, p. 280 - 282.
[62] J. M. Rowell, M. Gurvitch, J. Geerk. Modification of tunneling barriers on Nb by a few monolayers of AL — Physical Review B, 1981, v. 24, No. 4, p. 2278 - 2281.
[63] M. Gurvitch, J. M. Rowell, H. A. Huggins, M. A. Washington and T. A. Fulton. Nb Josephson junctions with thin layers of Al near barrier. — Proceedings of the International Device Meeting, IEDM-81, 1981, Technical Digest, p. 115 - 117.
[64] M. Gurvitch M. A. Washington and H. A. Huggins. High quality refractory Josephson tunnel junctions utilizing thin aluminium layers. — Applied Physics Letters, 1983, v. 42, No. 5, p. 472 - 474.
[65] H. A. Huggins and M. Gurvitch. Preparation and characteris¬tics of Nb/Al-oxide-Nb tunnel junctions. — Journal of Applied Physics, 1985, v. 57, No. 6, p. 2103 - 2109.
[66] H.A. Huggins and M. Gurvitch. Magnetron sputtering system equipped with a versatile substrate table. — Journal of Vacuum Science and Technology A, 1983, vol. 1, No. 1, p. 77 - 80.
[67] M. Gurvitch and J. Kwo. Advances in cryogenic engineering, v. 30, edited by A. F. Clark and R. P. Reed — Plenum, New York, 1984, p. 509.
[68] J. Kwo, G.K. Wertheim, M. Gurvitch and D.N. E. Buchanan. X-ray photoemission spectroscopy study of surface oxidation of Nb/Al overlay structures — Applied Physics Letters, 1982, v. 40, No. 8, p. 675 - 677.
[69] A. R. Miedema and F.J.A den Broeder, Zeitschrift fiir Metal- lkunde, 1979, v. 70, p. 14.
[70] С. C. Chang, M.Gurvitch, D.M. Hwang and C.W. Blonder. Auger electron spectroscopy, transmission electron microscopy and scanning electron microscopy studies of Nb/Al/Nb Joseph¬son junctions structures — Journal of Applied Physics, 1987, v.61, No. 11, p. 5089 - 5097.
[71] A. F. G. Wyatt. Anomalous densities of states in normal tan- tallum and niobium. — Physical Review Letters, 1964, vol. 13, No. 13, p. 401 - 404.
[72] J. A. Appelbaum and L. Y. L. Shen. Zero-bias-conductance-peak anomaly of Ta-I-Al Tunnel junctions at 0.3 К and 90 G. — Phys¬ical Review B, 1972, vol. 5, No. 2, p. 544 - 553.
[73] T.T. Foxe, B.D. Hunt, C. Rogers, A. W. Kleinsasser and R. A. Buhrman. Reactive ion etching of niobium. — Journal of Vacuum Science and Technology, 1981, v. 19, No. 4, p. 1394 - 1397.
[74] Dependence of critical current density on oxygen exposure in Nb/AlOx/Nb tunnel junctions. A.W. Kleinsasser, R. E. Miller, W. H. Mallison — IEEE Transactions on Applied Superconduc¬tivity, v. 5, No. 1, p. 26 - 30.
[75] Effect of growth conditions on the electrical properties of Nb/Al — Oxide/Nb tunnel junctions. W. H. Mallison, R. E. Miller, A. W. Kleinsasser — IEEE Transactions on Applied Su¬perconductivity, v. 5, No. 2, p. 2330 - 2333.
[76] J. A. Thornton, J. Tabock, D.W. Hoffman. Internal stresses in metallic films deposited by cylindrical magnetron sputtering. — Thin Solid Films, 1979, v.64, p. Ill - 119.
[77] T. Imamura T. Shiota and S. Hasuo. Fabrication of high qual¬ity Nb/Al — AlOx/Nb Josephson junctions: I - Sputtered Nb films for junction electrodes. — IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 1992, v. 2, No. 1, p. 1 - 14.
[78] T. Imamura and S. Hasuo. Cross-sectional ТЕМ observation of Nb/Al — AlOx/Nb junction structures. — IEEE Transactions on Magnetics, 1991, v. 27, No. 2, p. 3172 - 3175.
[79] T. Imamura and S. Hasuo. Cross-sectional transmission electron microscopy observation of Nb/Al — AlOx/Nb Josephson junc¬tion. — Applied Physics Letters, 1991, v. 58, No. 6, p. 645 - 647.
[80] T. Imamura and S. Hasuo. Characterization of Nb/Al — AlOx/Nb junction structures by anodization spectroscopy. — IEEE Transactions on Magnetics, 1989, v. 25, No. 2, p. 1131 - 1134.
[81] M.M.TM. Dierichs, R. A. Panhuyzen, С. E. Honingh, M.J. de Boer and T. M. Klapwijk. Submicron niobium junctions for submillimeter-wave mixers using optical lithography. — Applied Physics Letters, 1993, v. 62, No. 7, p. 774 - 776.
[82] T. Imamura and S. Hasuo. A submicrometer Nb/AlOx/Nb Josephson junction. — Journal of Appled Physics, 1988, v. 64, No.3, p. 1586 - 1588.
[83] T. Imamura and S. Hasuo. Effect of intrinsic stress on submi¬crometer Nb/AlOx/Nb Josephson junction. — IEEE Transac¬tions on Magnetics, 1989, v. 25, No. 2, p. 1119 - 1122.
[84] M. Bhushan and E. M. Macedo. Nb/Al — AlOx/Nb trilayer pro¬cess for the fabrication of submicron Josephson junctions and low-noise de SQUIDs. — Applied Physics Letters, 1991, v. 58, No. 12, p. 1323 - 1325.
[85] G. L. Kerber, L. A. Abelson, R. Hu, M. W. Johnson, M. L. Leung, J. A. Luine. Fabrication of High Current Density Nb Integrated Circuits Using a Self-Aligned Junction Anodization Process — Applied Superconductivity Conference, Houston, USA, August 4 - 9, 2002, http://home.earthlink.net/2 markwjohnson/TRW- ASC-2002 /8k_Nb_process.pdf
[86] H. H. Huang, J. Z. Zhang, A. W. Lichtenberger, R. E. Miller. Unexpected geometrical anodization effect in the fabrication of Nb/Al — AlOx/Nb junctions. — IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 1999, v. 9, No. 2, p. 3244 - 3246.
[87] J. M. Martinis and R. H. Ono. Fabrication of ultrasmall Nb — AlOx— Nb Josephson tunnel junctions. — Applied Physics Let¬ters, 1990, v.57, No. 6, p. 629 - 631.
[88] K. Bluthner, M. Gotz, A. Hadicke, W. Krech, Th. Wag¬ner, H. Miihlig, H.-J. Fuchs, D. Schelle, E.-B. Kley and L. Fritzsch. Single-electron transistors based on Al/AlOx/Al and Nb/AlOx/Nb tunnel junctions. — IEEE Transactions on Ap¬plied Superconductivity, 1997, v. 7, No. 2, p. 3099 - 3102.
[89] M. Gotz, K. Bluthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker, H. Hegger. Self-aligned in-line tunnel junctions for single-charge electronics. - Physica B, 1996, v. 218, p. 272 - 275.
[90] M. Gotz, K. Bluthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker, H. Hegger.
Preparation of self-aligned in-line tunnel junctions for single¬charge electronics. — Journal of Applied Physics, 1995, v. 78, No. 9, p. 5499 - 5502.
[91] J. Niemeyer. Eine einfache Methode zur Herstellung kleinster Josephson-Elemente. — PTB-Mittelungen, 1974, v. 84, p. 281 - 284.
[92] G. J. Dolan. Offset masks for lift-off photoprocessing. — Appled Physics Letters, 1977, v. 31, p. 337 - 339.
[93] Y. Harada, D. B. Haviland, P. Delsing, C. D. Chen and T. Clae- son. Fabrication and measurement of a Nb based superconduct¬ing single electron transistor. — Applied Physics Letter, 1994, v.65, No. 5, p. 636 - 638.
[94] R. Dolata, H. Scherer, A. B. Zorin, J. Niemeyer. Single electron transistors with high-quality superconducting niobium islands. - Applied Physics Letters, 2002, v.80, No. 15, p. 2776 - 2778.
[95] P. Dubos, P. Charlat, Th. Crozes, P. Paniez, B. Pannetier. Ther¬mostable trilayer resist for niobium lift-off. — Jornal of Vacuum Science and Technology B, 2000, v. 18, No. 1, p. 122 - 126.
[96] T. Hoss, C. Strunk, and C. Schonenberger. Nonorganic evapora¬tion mask for superconducting nanodevices. — Microelectronics Engineering, 1999, v. 46, p. 149 - 152.
[97] D. Born, T. Wagner, W. Krech, U. Hiibner and L. Fritzsch. Fab¬rication of ultrasmall tunnel junctions by electron beam direct- writing. — IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2001, v. 11, No.l, p. 373 - 376.
[98] N. Kim, K. Hansen, J. Toppari, T. Suppula and J. Pekola. Fab¬rication of mesoscopic superconducting Nb wires using conven¬tional electron-beam lithographic techniques. — Journal of Vac¬uum Science and Technology B, 2002, v. 20, No. 1, p. 386 - 388.
[99] R. E. Howard. A refractory lift-off process with applications to high-Tc superconducting circuits. — Applied Physics Letters, 1978, v.33, No. 12, p. 1034 - 1035.
[100] R. Dolata, T. Weimann, H. Scherer, J. Niemeyer. Sub gm Nb/Al — AlOx/Nb Josephson junctions fabricated by Anodiza¬tion Techniques. — IEEE Transactions on Applied Superconduc¬tivity, 1999, v.9, No. 2, p. 3255 - 3258.
[101] S. Nagasawa, H. Tsuge and Y. Wada. Planarization Technol¬ogy for Josephson integrated circuits. — IEEE Electron Device Letters, 1988, v.9, No.8, p. 414 - 416.
[102] H. Akakike, A. Fujimaki, Y. Takai and H. Hayakawa. Fabrication of Nb/Al — AlOx/Nb tunnel junctions using focused ion beam implanted Nb patterning (FINP) technique. — IEEE Transac¬tions on Applied Superconductivity, 1993, v. 3, No. 1, p. 2187 - 2190.
[103] H. Akakike, T. Watanabe, N. Nagai, A. Fujimaki and H. Hayakawa. Fabrication of submicron Nb/Al — AlOx/Nb tun¬nel junctions using focused ion beam implanted Nb patterning (FINP) technique. — IEEE Transactions on Applied Supercon¬ductivity, 1995, v.5, No. 2, p. 2310 - 2313.
[104] M.B. Ketchen, D. Pearson, A. W. Kleinsasser, C.-K. Hu, M. Smith, J. Logan, K. Stawiasz, E. Baran, M. Jaso, T. Ross,
K. Petrillo, M. Manny, S. Basavaiah, S. Brodsky, S.B. Ka¬plan, W. J. Gallagher and M. Bhushan. Sub-gm, planarized, Nb/Al — AlOx/Nb Josephson process for 125 mm wafers de¬veloped in partnership with Si technology. — Applied Physics Letters, 1991, v.59, No. 20, p. 2609 - 2611.
[105] Z. Bao, M. Bhushan, Siyuan Han and J. E. Lukens. Fabrication of high quality, deep-submicron Nb/Al — AlOx/Nb Josephson junctions using chemical mechanical polishing. — IEEE Trans¬actions on Applied Superconductivity, 1995, v. 5, No. 2, p. 2731 - 2734.
[106] R. Dolata, M. Neuhaus, W. Jutzi. Tunnel barrier growth dynamics of Nb/AlOx— Al/Nb and Nb/AlNx— Al/Nb Josephson junctions. — Physica C, v. 241, 1995, p. 25 - 29.
[107] A. J. van Roosmalen, J.A. G. Baggerman, S.J. H. Brader. Dry etching for VLSI. — Plenum Press, New York, 1991, 237 c.
[108] Accuglass T-14 Series Spin-On Glass (SOG ). Product bulletin — AlliedSignal Inc., Advanced Microelectronics Materials, January 1994.
[109] AlliedSignal Spin-on Products. Comparison of Film Proper¬ties — AlliedSignal Inc., Advanced Microelectronics Materials, November 1996.
[110] M. Cleves, K. Ramkumar, R. Gettle. IEEE 1994 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, 1994, p. 61.
[111] U.S. Patent No. 5,003,178
[112] Electron Beam Processing of AlliedSignal Accuglass 211 SOG . Electron Vision Technical Bulletin — Electron Vision Corpora¬tion, 1994.
[113] W. R. Livesay. Large-area electron-beam source. — Journal of Vacuum Science and Technology B, 1993, v. 11, No. 6, p. 2304 - 2308.
[114] R. Dolata, Th. Weimann, H.-J. Scherer, J. Niemeyer. Sub pm Nb — AlOx— Nb Josephson junctions fabricated by anodization techniques. — IEEE Transactions On Applied Superconductivity, vol.9, No.2, June 1999, p. 3255 - 3258.
[115] D.V. Averin and K.K. Likharev, in Mesoscopic Phenomena in Solids, edited by B.L. Altshuler, P.A. Lee, and R.A. Webb. — El¬sevier, Amsterdam, 1991, p. 176.
[116] В. П. Афанасьев, С.Д. Федорович, A.B. Лубенченко. Измерение послойных профилей азота имплантированного в ниобий на основе спектроскопии отраженных электронов. — Письма в ЖТФ, 1995, Т.21, номер 10, с. 85 - 88.
[117] V. Р. Afanas4ev, S. D. Fedorovich, A.V. Lubenchenko, А.А. Ryjov, M. S. Esimov. Depth Profile Measurement on the Base of Reflection Electron Energi Loss Spectrometry. — 6th Con¬ference on Applicaton of Surface and Interface Analysis ECA- SIA‘95, Montreux, Switzerland, October 9-13, 1995, Abstract No. Dp 37.
[118] V. P. Afanas‘ev, S. D. Fedorovich and A.V. Lubenchenko. Energy spectra of electrons reflected from layered targets — 7th European Conference on Applicatons of Surface and Interface Analysis ECASIA’97. Goteborg, Sweden, June 16-20, 1997, Ab¬stract No. Dp 58.
[119] В. И. Афанасьев, А. В. Лубенченко, Стрижов A.B. О количественной интерпретации результатов спектроскопии характеристических потерь энергии электронов. — Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1999, номер 8, с. 16 - 23.
[120] V. Р. Afanas4ev, D. Naujoks. Energy spectra of electrons reflected from layered targets. — Zeitschrift fiir Physik B, 1991, v.84, p. 397 - 402.
[121] В.П. Афанасьев, А.В. Лубенченко, А.А. Рыжов. Потери энергии киловольтными электронами при простреле слоев твердого тела. — Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1996, номер 1, с. 6 - 12.
[122] V.Р. Afanas‘ev, S.D. Fedorovich, A.V. Lubenchenko, А.А. Ryjov, M. S. Esimov. Kilovolt electron backscattering. — Zeitschrift fur Physik, 1994, v. 96, p. 253-259.
[123] В. П. Афанасьев. "Распределения электронов и легких ионов по длинам пробегов в плоскопараллельных мишенях". — Труды конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью", 1999, Звенигород, изд. МАИ, т. 2, с. 86 - 88.
[124] В.П. Афанасьев, С.Я. Явор. Электростатические энергоанализаторы для пучков заряженных частиц. - М.: «Нау¬ка. Главная редакция физико-математической литературы», 1978, 224 с.
[125] Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок: Пер. с англ. — М.: Мир, 1989, 344 с.
[126] Р.А.А. Booi and S.P. Benz. Design of high-frequency, high-power oscilators using Josephson-junction arrays. — Inst. Phys. Conf. Ser. No 148, July 1995, p. 1479 - 1482.
[127] M. Maezawa, M.Aoyagi, H.Nakagawa, I. Kurosawa and
S.Takada. Specific capacitance of Nb/AlOx/Nb Josephson junctions with critical current densities in the range of 0.1 — 18kA/cm2. — Applied Physics Letters, vol. 66, No. 16, 17 April 1995, p. 2134 - 2136.
[128] Preston-Thomas H. The International Temperature Scale of 1990 (ITS-90). - Metrologia, vol. 27(1), 1990, p. 3 - 10.
[129] Comptes Rendus des Seances de la Treizieme Conference Generale des Poids es Mesures (1967-1968), Resolution 3, 4, p. 104.
[130] J. K. Krause, В. C. Dodrill. Measurement system induced errors in diode thermometry. — Review of Scientific Instruments, v. 57, No. 4, 1986, p. 661 - 665.
[131] Д. Худсон. Статистика для физиков. Лекции по теории вероятностей и элементарной статистике. /Пер. с англ. — М.: "Мир", 1967, 243 с.
[132] Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. /Пер. с англ. — М.: "Наука"Главная редакция физико-математической литературы, 1978, 792 с.
[133] N. W. Ashcroft, N. D. Mermin. Solid State Physics. — New York, Holt-Sanders, Reinhart&Winston, 1976, p. 826.
[134] T. Eliott, A. Jaisle, D. Latypov, P. McIntyre, W. Shen, R. Soika, R. M. Gaedke. 16 Tesla Nb3Sn Dipole development at Texas A&M University. — IEEE Transactions On Applied Supercon¬ductivity, 1997, vol. 7, No. 2, 555 - 557.
[135] M. Gotz, V. V. Khanin, H. Schultze, A. B. Zorin, J. Niemeyer, M. Grajcar, E. Il’ichev, H. E. Hoenig, H.-G. Meyer. Current-phase relation in Nb-Al based SINIS Type Josephson junctions. — IEEE Transactions On Applied Superconductivity, 2001, vol. 11, No.l, 1142 - 1145.
[136] Ф. В. Комиссинский, Г.А. Овсянников, E. Ильичев и 3. Ива¬нов. Наблюдение второй гармоники в фазовой зависимости сверхпроводящего тока в Nb/Au/YBCOгетеропереходах. — Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 73, No. 7, с. 405-409.
[137] V. A. Khlus and L. O. Kulik. Soviet Technical Physics, 1975, v.20, p. 283.
[138] R. Rifkin and B. S. Deaver. Physical Review B, 1976, v. 13, p. 3894.
[139] J. E. Mooij, T.P. Orlando, L. Levitov, Lin Tian, C.H. van der Wai, S. Lloyd. Josephson persistent-current qubit. — Science, 1999, v.285, p. 1036 - 1039.

Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ
.