Тип работы:
 Предмет:
 Язык работы:


Электрофизика пористого кремния и структур на его основе

Работа №28650

Тип работы

Диссертация

Предмет

физика

Объем работы305
Год сдачи2003
Стоимость500 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
478
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Введение 5
1. Формирование слоев пористого кремния и исследование их структурных характеристик 18
1.1. Методы формирования слоев пористого кремния 18
1.2. Структура пор и свойства поверхностной аморфизированной пленки 22
1.3. Акустический метод определения пористости для мезопористых образцов 35
1.4. Эффект формирования двухсторонней пористой структуры в процессе травления высоколегированных пластин кремния 54
Выводы по главе 1 63
2. Явления переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией 64
2.1. Эффект Холла и проводимость в мезопористом кремнии на основе Siс низкой пористостью 64
2.2. Эффект Холла и проводимость в макропористом кремнии, полученном на слабо легированных подложках n-Si 70
2.2.1. Анализ экспериментальных результатов в рамках модели пассивации примесных атомов водородом 75
2.2.2. Анализ экспериментальных результатов при учете изгиба зон
На стенках пор 80
2.3. Перенос носителей заряда в мезопористом кремнии на основе p+-Si 82
2.4. Проводимость пористого кремния с высокой пористостью, содержащего фазу аморфного кремния 92
2.4.1. ВАХ тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния 92
2.4.2. Температурные зависимости удельного сопротивления пористого кремния с высокой пористостью 95
2.4.3. Анализ нелинейного характера сопротивления пористого
Кремния в рамках теории токов, ограниченных пространственным зарядом
2.4.4. Переходные характеристики для высокопористых слоев и температурная зависимость подвижности носителей 103
Выводы по главе 2 112
3. Классификация электрических свойств пористого кремния и контактные явления на границе пористого кремния с металлами и кристаллическим кремнием 114
3.1. Классификация электрических свойств пористого кремния 116
3.2. Электрические свойства контакта пористого кремния с металлами 121
3.2.1. Омический характер контактов к пористому кремнию первой группы 123
3.2.2. Выпрямление на контакте алюминий / пористый кремний 2-й группы 127
3.3. Свойства границы пористый кремний / кремний 129
Выводы по главе 3 134
4. Влияние термического отжига и электронного облучения на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор 135
4.1. Изохронный термический отжиг пористого кремния в инертной среде 135
4.1.1. Отжиг образцов PS1 137
4.1.2. Отжиг образцов PS2 140
4.1.3. Переход в низкоомное состояние и эффект релаксации проводимости при термоотжиге слоев PS3 147
4.1.4. Влияние отжига на проводимость слоев PS4 155
4.2. Влияние облучения высокоэнергетичными электронами на
проводимость слоев ПК 158
Выводы по главе 4 166
5. Емкостные свойства и динамическая проводимость пористого кремния, содержащего аморфную фазу 167
5.1 Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от величины пористости 167
5.2. Анализ зависимости диэлектрической проницаемости пористого
кремния от пористости в рамках трехфазной модели 170
5.3. Частотные зависимости емкости тестовых структур с толстыми слоями
пористого кремния в вакуумных условиях 178
5.4. Динамическая проводимость структур с толстыми слоями пористого
кремния в интервале частот 10-106Гц в условиях вакуума 186
Выводы по главе 5 193
6. Анализ электрических и фотоэлектрических свойств пористого кремния 3-й группы и квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников в рамках модели флуктуирующего потенциального рельефа 194
6.1. Квазиоднородные компенсированные твердые растворы на основе полупроводников 195
6.1.1. Электрические и фотоэлектрические свойства сильно компенсированных твердых растворов на примере Pb1-xCdxS 203
6.1.2. Электрические и фотоэлектрические свойства других сильно компенсированных твердых растворов на основе AIVBVI 212
6.2. Получение и свойства сильно компенсированных пленок сульфида
свинца при помощи радиационных воздействий 214
6.3. Электрические и фотоэлектрические явления в пористом кремнии 3-й группы 228
6.4. Зависимость времени релаксации фотопроводимости для слоев от внешних воздействий 236
Выводы по главе 6 240
7. Структурные и электрические параметры пленочных структур с буферными слоями пористого кремния с заданной электропроводностью 241
7.1. (111)-ориентированные пленки алюминия на пористом кремнии 243
7.2. Особенности структурных и электрических параметров стеклообразных
пленок пористом кремнии 249
7.3. Рост пленок полупроводников на пористом кремнии 253
7.4. Получение аксиально текстурированных пленок теллурида свинца на ПК
методом вакуумного осаждения 257
Выводы по главе 7 267
Заключение 268
Список использованных источников 274

Кремний является основным материалом современной электроники: на его основе изготавливаются 95% интегральных схем и свыше 90% полупроводниковых приборов и устройств. Достоинством материала является то, что он может быть получен в разных структурных модификациях (монокристаллической, аморфной, поликристаллической, микрокристаллической, нанокристаллической, пористой), каждая из которых обладает уникальным набором свойств, совместима друг с другом и с технологическими процессами кремниевой технологии. Пористый кремний (ПК) был открыт во второй половине 50-х годов 20-го века [1,2] при изучении процессов электрохимической полировки кремниевых пластин. Первые же исследования показали, что наличие в монокристаллическом кремнии развитой сети мелких пор приводит к появлению в материале ряда специфических явлений, таких как высокая удельная поверхность (до 800 м2/см3) и повышенная химическая активность, когда скорости химических реакций увеличиваются в 10-100 раз по сравнению с монокристаллическим кремнием. Эти свойства были использованы в 60-70-е годы в микроэлектронике для формирования толстых диэлектрических слоев по IPOS (Isolation by Porous Oxidized Silicon) и FIPOS (Full Isolation by Porous Oxidized Silicon) технологиям, для создания структур кремний-на- изоляторе. После открытия в 1990 году Кэнхемом (Canham) [3] явления люминесценции ПК при комнатной температуре в видимой области спектра началось активное всестороннее изучение свойств ПК. Если в период с 1980 по 1990 гг. число публикаций по тематике ПК не превышало 20 журнальных статей в год, то после 1995 года эта цифра стала больше 400. Комплексные исследования показали многообразие свойств ПК, были предложены новые области применения пористых кремниевых слоев. В настоящее время на основе ПК [3-8] активно разрабатываются функциональные элементы сверхбольших интегральных схем, оптоэлектронные пары излучатель-приемник, устройства ультразвуковой электроники, солнечные элементы, волноводы, датчики влажности и состава газов, приборы для мониторинга окружающей среды, биосенсоры, биоматериалы, антиотражающие покрытия, фотонные кристаллы, интегральные конденсаторы и т.д. публикаций по пористым полупроводникам (более 4000), многие вопросы, касающиеся электрофизики ПК и структур на его основе, являлись нерешенными. К началу выполнения диссертационной работы ощущался недостаток фундаментальных исследований электрических свойств ПК, отсутствовала единая теория изменения величины проводимости ПК в результате процесса порообразования, не был понятен механизм дрейфа носителей заряда в пористом материале с различной морфологией пор, отсутствовали данные о влиянии термического отжига в интервале 450-550°С и облучения высокоэнергетичными электронами на электрические свойства материала. Информация о параметрах переходов ПК/кремний и ПК/металл в литературе была противоречивой. Неизученными оставались емкостные свойства структур с пористыми кремниевыми слоями; роль фазы продуктов электрохимических реакций в явлениях переноса; природа образования обедненных областей в ПК и т. д. С физической точки зрения нерешенными были вопросы о применимости моделей разупорядоченных полупроводников для описания дрейфа носителей заряда в ПК, о возможных особенностях явлений переноса при переходе к низкоразмерным системам. Серьезным препятствием для понимания общей картины электрических свойств ПК являлось многообразие морфологических особенностей материала и их зависимость от технологических параметров формирования пористой структуры. В то же время целенаправленный учет технологических параметров открывал значительные возможности в создании пористых слоев с заданными электрическими свойствами, например, для получения низкоомных или высокоомных буферных слоев для эпитаксии. Все сказанное выше, дополненное практической необходимостью применения пористых кремниевых слоев с заданными электрофизическими параметрами в создаваемых устройствах электроники, определило актуальность систематического исследования электрических свойств ПК с различной морфологией и пористостью.
Цель диссертационной работы заключалась в выявлении основных закономерностей транспорта носителей заряда в пористом кремнии и в структурах на его основе при вариации в широких пределах величины пористости (3-70%) и морфологии пор. Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:
■ экспериментально исследовать электрические и фотоэлектрические характеристики слоев ПК с различными структурными параметрами в широком интервале температур;
■ выявить общие закономерности и специфические черты в поведении кинетических коэффициентов для ПК с различной морфологией пор;
■ исследовать влияние внешних воздействий (термического отжига 450-550°С в инертной среде, облучения высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ) на электрические параметры ПК;
■ изучить емкостные свойства и динамическую проводимость слоев ПК;
■ провести сравнение свойств ПК со свойствами неоднородных полупроводников со случайным потенциальным рельефом; для этого в качестве модельных объектов использовать квазиоднородные сильно компенсированные полупроводники [9] на основе AIVBVI;
■ изучить электрические характеристики и структурные параметры пленочных структур с буферными слоями ПК;
■ провести классификацию электрических свойств ПК с разными структурными параметрами и соответствующих переходов ПК/кремний и ПК/металл.
Научная новизнаработы заключается в том, что в результате комплексных исследований явлений переноса в ПК, обладающем различными морфологическими особенностями, предложен единый теоретический подход, объясняющий дрейф носителей заряда с учетом свойств обедненных областей в пористом материале. К наиболее оригинальным и впервые полученным научным результатам, представленным в диссертационной работе, относятся следующие:
1. Обнаружен тонкий пористый слой на катодной стороне сильно легированных кремниевых пластин в методе жидкостного контакта Унно-Имаи и описаны его специфические свойства.
2. Прямыми экспериментальными методами (в том числе на основе эффекта Холла) показано, что для кремниевой матрицы ПК могут иметь место случаи отсутствия обеднения, частичного или полного обеднения (патент РФ №2054746).
3. Установлено, что размеры обедненных областей вокруг пор в макропористом кремнии с малой пористостью коррелируют с диффузионной длиной атомарного водорода, и комплекс явлений, происходящих при отжиге макропористого кремния на n-Si(P),можно объяснить пассивацией (депассивацией) примесных атомов фосфора водородом.
4. Для динамической проводимости и емкости слоя ПК, находящегося в условиях вакуума, показана роль адсорбированных полярных молекул на стенках пор.
5. Описан эффект перехода в низкоомное состояние для мезопористого кремния с малой пористостью, сформированного на p -Si(B),при отжиге 500-550°С и для макропористого кремния с малой пористостью, полученного на n-Si(P),при отжиге 650°С.
6. Показана возможность снижения переходных сопротивлений алюминиевых контактов к кремнию за счет применения пористых необедненных слоев (патент РФ №2065226).
7. Определены величины переходных сопротивлений алюминиевых контактов в ПК с различной морфологией и показаны их изменения при внешних воздействиях.
8. Получены экспериментальные зависимости диэлектрической проницаемости ПК в интервале пористости 30-70%.
9. Показано, что наличие аморфизированной пленки на поверхности ПК и проведение технологических операций по ее удалению приводят к особенностям роста пленочных структур (Al, As2Se3, AIVBVI) на кремнии.
Практическая значимостьработы состоит в следующем:
1. Разработан новый метод локального определения пористости для мезопористых слоев с пористостью 20-50% с применением методов акустической микроскопии.
2. Предложена классификация электрических свойств ПК с различной морфологией пор, позволяющая предсказать поведение электрических параметров пористых слоев в составе пленочных элементов электроники.
3. Установлены интервалы температурной обработки ПК с различной морфологией, в которых не происходит существенного изменения электрической проводимости пористого материала.
4. Разработаны технологические приемы, позволяющие целенаправленно изменять величину проводимости ПК и варьировать величину удельного сопротивления материала в составе многослойных структур после окончания процесса анодирования.
5. Предложен способ формирования (111)-аксиально текстурированных пленок алюминия на подслое ПК, который может быть использован для создания металлизации с повышенным сопротивлением явлению электромиграции.
6. Установлены технологические режимы операции отжига, при которых происходит снижение переходных сопротивлений алюминиевых контактов к пористому слою и улучшение параметров контактов.
7. Предложены приемы, вызывающие ликвидацию нежелательного эффекта релаксации проводимости ПК после отжига.
8. Для исследования емкостных и проводящих свойств высокоомного ПК предложены специальные тестовые структуры, позволяющие устранить или минимизировать нелинейные явления на интерфейсах.
Результаты работы были использованы при выполнении гранта РФФИ 94-02-05460-а и шести грантов Министерства образования РФ в области естественных наук, в области электроники и в области химических технологий (1992-2003 годы).
Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и содержит 305 страниц текста, включая 119 рисунков, 23 таблицы. Список литературы включает 444 наименования.
Во введении обосновывается актуальность темы исследований, излагаются цель и задачи работы, формулируется научная и практическая значимость работы, выдвигаются основные научные положения, выносимые на защиту.
В первой главе описываются основные методики формирования слоев ПК с различной морфологией пор и широким интервалом пористости (3-70%), исследуются их структурные характеристики. Особое внимание уделено изучению поверхностной аморфизированной пленки и способам ее удаления. Предложен новый акустический метод локального определения пористости для мезопористого кремния с величиной пористости от 20 до 50%. Обнаружен и описан второй пористый слой, возникающий на катодной стороне сильно легированных кремниевых пластин в методе Унно-Имаи.
В главах 2-7 изложены результаты экспериментов и теоретического анализа по комплексному исследованию явлений переноса в слоях ПК с различной морфологией и величиной пористости. Показано многообразие электрических свойств пористого материала, выявлены отличия в поведении электрофизических параметров для ПК с различными структурными характеристиками. Предложена классификация электрических свойств ПК, предусматривающая деление на четыре группы, в рамках которых имеют место одинаковые процессы дрейфа носителей. На основе классификации описано поведение переходов ПК/кремний и ПК/металл. Изучено влияние кратковременного термоотжига в интервале 450-550°С и облучения высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ на проводимость ПК всех четырех групп. Показано, что в рамках каждой группы наблюдается индивидуальный отклик на внешние воздействия, соответствующий предложенным моделям переноса носителей заряда. Проведено изучение емкостных свойств ПК, установлена и проанализирована зависимость диэлектрической проницаемости ПК от величины пористости. Экспериментально описаны зависимости
емкости и динамической проводимости многослойных структур с толстыми слоями ПК от частоты и температуры. Проведено комплексное исследование электрических и фотоэлектрических свойств модельных объектов с крупномасштабным размером флуктуаций - сильно компенсированных квазиоднородных твердых растворов на основе полупроводников AIVBVI. Установлены общие закономерности поведения кинетических коэффициентов для таких материалов и показана возможность реализации данной модели в сильно компенсированных пленках бинарных соединений AIVBVIпосле радиационной обработки. Из сравнительного анализа электрических и фотоэлектрических характеристик сильно компенсированных квазиоднородных твердых растворов на основе полупроводников AB и мезопористого кремния с малой пористостью, сформированного на подложках p+-Si, сделан вывод о том, что данный вид ПК может быть описан в рамках модели случайно неоднородных полупроводников с мелкомасштабными флуктуациями. Проведено комплексное изучение роста пленок различных материалов (Al, As2Se3, AIVBVI) на поверхности ПК с различной морфологией и электрическими свойствами и показано наличие особенностей формирования пленочной структуры при использовании пористого буферного слоя.
В заключении приведены основные выводы по диссертационной работе, которые являются обобщением выводов, сформулированных в конце каждой главы.
Научные положения, выносимые на защиту:
1. Процессы переноса носителей заряда в ПК имеют многообразное проявление в зависимости от морфологических особенностей материала, величины пористости и свойств обедненных областей.
2. В мезопористом кремнии с малой пористостью (менее 20%) при отсутствии обедненных областей дрейф носителей описывается в рамках теории эффективной среды в модели «кремний - поры».
3. Транспорт носителей в макропористом кремнии при наличии неперекрывающихся обедненных областей вокруг пор соответствует теории эффективной среды в модели «кремний - обедненные области - поры».
4. Комплекс электрических и фотоэлектрических явлений в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p+-Si, описывается теорией случайно неоднородных полупроводников с мелкомасштабными флуктуациями.
5. При анализе дрейфа носителей в мезо- и микропористом кремнии с высокой пористостью, содержащем фазу аморфного кремния, необходимо учитывать роль аморфной оболочки, обволакивающей кремниевые нанокристаллиты.
6. ПК по своим электрическим свойствам классифицируется в зависимости от величины пористости, морфологических особенностей материала и свойств обедненных областей на четыре основные группы.
7. Кратковременный изохронный термический отжиг 450-550°С в инертной среде и облучение высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ приводят к индивидуальному изменению проводимости ПК различных групп, что связано с особенностями дрейфа носителей заряда.
8. Диэлектрическая проницаемость высокоомного ПК, содержащего фазу аморфного кремния, при вариации весовой пористости от 30% до 68% монотонно уменьшается от 8,6 до 4,2. Величина диэлектрической проницаемости среды в объеме пор превышает единицу и увеличивается при росте температуры и уменьшении частоты измерительного сигнала


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь студентам в написании работ!
ДИПЛОМНЫЕ МАГИСТЕРСКИЕ ДИССЕРТАЦИИ
Курсовые Статьи Диплом Рязань

В настоящей работе проведено комплексное изучение электрических свойств и явлений переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией и в структурах на его основе. Для объяснения полученных результатов и привлечения моделей, описывающих поведение неупорядоченных полупроводников, дополнительно выполнены детальные исследования электрических и фотоэлектрических свойств сильно компенсированных квазиоднородных полупроводников на основе AIVBVI. На основании проведенных исследований получены следующие результаты и сделаны выводы:
1. Описаны технологические условия формирования слоев ПК с широким интервалом пористости (3-70%) и различной морфологией пор. Показано образование при определенных режимах анодирования пористого слоя аморфизированной пленки на поверхности ПК и предложены методы контролируемого его удаления. Для высокопористых образцов методами рентгеноструктурного анализа показано существование в объеме ПК фазы продуктов электрохимических реакций, химический состав которых может в зависимости от условий анодирования изменяться от аморфного гидрогенизированного кремния до SiO2.
2. Предложен акустический метод определения пористости для мезопористых образцов, основанный на измерении скорости рэлеевских поверхностных волн. Проведено теоретическое обоснование метода в рамках различных моделей, описаны области применения, его достоинства и недостатки.
3. Обнаружен и описан второй пористый слой, возникающий на катодной стороне кремниевой пластины при электрохимической обработке сильно легированного кремния методом Унно-Имаи. Проведен сравнительный анализ пористых слоев двухсторонней пористой структуры, показано наличие атомов Ptи Rhв объеме пористого слоя на катодной стороне, предложено объяснение наблюдаемым явлениям.
4. На основании детального изучения температурных зависимостей удельного сопротивления, коэффициента Холла, вольтамперных и импульсных переходных характеристик на слоях пористого кремния с различной морфологией пор показано многообразие электрических свойств ПК.
Для макропористого кремния с редкими крупными порами (P=5-10%), полученного на слабо легированных фосфором пластинах, комплекс электрофизических исследований показал наличие обедненных областей вокруг пор. Проанализированы причины появления обедненных областей. Продемонстрировано, что наилучшее согласие с экспериментом дает модель пассивации примесных атомов водородом. Показано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках теории эффективной среды в модели «кремний+поры+обедненные области».
Для мезопористого кремния с невысокой пористостью (6-30%), сформированного на сильно легированных бором кремниевых пластинах, установлено сильное обеднение монокристаллической кремниевой матрицы ПК, в результате чего пористые слои проявляют эффективный электронный тип проводимости. Температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, не подчиняющийся правилам Мейера- Нелдела для аморфного гидрогенизированного кремния. Для объяснения транспорта носителей предложена модель дрейфа в случайном потенциальном рельефе.
ПК с высокой пористостью (более 40-50%), содержащий в своем объеме фазу аморфного кремния, характеризуется высоким удельным сопротивлением, а температурные зависимости проводимости имеют активационный характер, соответствующий правилу Мейера-Нелдела для проводимости по распространенным состояниям в аморфном гидрогенизированном кремнии. Показано выполнение теории ТОПЗ для вольтамперных и переходных характеристик материала. Определены величины подвижности и их температурные зависимости. Продемонстрировано, что перенос носителей заряда в таком ПК осуществляется в рамках «pea-pod» модели по оболочке аморфного гидрогенизированного кремния, окружающего кремниевые нанокристаллиты.
5. На основании комплексного исследования электрофизических параметров ПК с различной морфологией пор и анализа имеющихся литературных данных предложена классификация электрических свойств ПК, в основу которой положены различия в морфологии пор и в образовании обедненных областей вокруг пор. Согласно данной классификации ПК может быть поделен на четыре группы (PS1-PS4), каждая из которых обладает индивидуальным набором электрических свойств и своим механизмом транспорта носителей.
легирования. Описаны возможности формирования выпрямляющих и невыпрямляющих алюминиевых контактов к слоям ПК, приведены величины переходных сопротивлений. Предложен способ создания низкоомных контактов к кремнию посредством использования необедненных пористых слоев.
На основе предложенной классификации электрических свойств ПК рассмотрены электрические характеристики перехода ПК/МК. Показано, что на границе ПК/МК при использовании пористого материала различных групп могут иметь место физические явления, приводящие к возникновению как выпрямляющих, так и невыпрямляющих свойств контактов.
6. Изучение влияния изохронного отжига в интервале 450-550°С (для образцов PS2в интервале 450-650°С) на электрическую проводимость ПК с различной морфологией пор и с различной картиной распределения обедненных областей показало многообразие отклика пористого материала на проведение отжига. Для каждой группы PS1-PS4 установлен свой характер изменения величины электрической проводимости при термообработке.
Определены температурные интервалы в которых пористый материал, относящийся к различным группам, проявляет относительную стабильность электрофизических параметров. Предложены режимы термообработки, при которых происходят существенные изменения электропроводности и которые могут быть использованы для целенаправленной модификации электрических свойств ПК.
Для слоев PS2и PS3обнаружено явление перехода в низкоомное состояние при отжиге 650 и 500°С, соответственно. Проведен анализ этого явления и показано, что оно достаточно хорошо описывается в рамках модели пассивации (депассивации) примесных атомов фосфора и бора водородом. Обнаружено и описано явление релаксации проводимости слоев PS3, закрытых пленкой металла, после перехода в низкоомное состояние.
7. Выяснено, что облучение ПК высокоэнергетичными электронами с энергией 2 МэВ приводит к разнообразным изменениям величины электрической проводимости пористого материала различных групп в интервале доз 1016-1017см-2. Рассмотрены физические причины, объясняющие набор полученных экспериментальных фактов. Для слоев PS3обнаружена двойная инверсия типа проводимости в используемом интервале доз.
Весь комплекс экспериментальных исследований по проведению термоотжига и электронного облучения ПК различных групп подтверждает справедливость предложенных в главах 2 и 3 моделей переноса носителей заряда в PS1-PS4.
8. Предложен и опробован способ изучения емкостных свойств ПК при помощи тестовых многослойных структур Л//ПК/МК/Л/ с толстыми слоями пористого материала. Данный подход позволил свести емкость измеряемой структуры к емкости слоя ПК и непосредственно измерять величину диэлектрической проницаемости пористого слоя.
Экспериментально определена зависимость диэлектрической проницаемости ПК от величины пористости в интервале P=30-68% и проведен теоретический анализ полученной зависимости е(Р) в рамках трехфазной модели, учитывающей диэлектрические свойства кремния, аморфного кремния и пространства пор. Показано, что диэлектрическая проницаемость пространства пор в рамках различных моделей составляет 2,3-4,8, что объясняется наличием влажного воздуха в объеме пор и адсорбированных молекул на их стенках.
Проведенное изучение температурных и частотных зависимостей емкости многослойной структуры с толстыми слоями ПК в условиях вакуума свидетельствует о сложном характере протекающих физических процессов. Предложена эквивалентная схема, описывающая емкостные свойства многослойной структуры и учитывающая роль адсорбированных полярных молекул на стенках пор. Показано, что в области высоких частот определяющий вклад в емкость дает емкость слоя ПК, а в области малых частот - емкость гетероперехода ПК/МК.
Исследование частотных и температурных зависимостей динамической проводимости многослойных структур с толстыми слоями ПК подтвердило, что в определенном интервале температур и частот проводимость по пористому слою осуществляется по оболочке продуктов электрохимических реакций, близких по свойствам к аморфному гидрогенизированному кремнию a-Si:H.
9. Изучены температурные зависимости (77-380К) коэффициента Холла, удельного сопротивления, времени релаксации фотопроводимости для модельных полупроводников с крупномасштабным случайным потенциальным рельефом на основе квазиоднородных закономерности. Температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности, времени релаксации фотопроводимости при засветке чередующимися световыми импульсами имели активационный характер, подчиняющийся формулам (6.2), (6.3), (6.7) и (6.8). Наблюдался эффект остаточной проводимости при засветке одиночными импульсами и увеличенное значение безразмерного коэффициента магнитосопротивления.
Продемонстрировано, что при облучении легкими и тяжелыми частицами можно привести слои квазиоднородных твердых растворов узкозонных и широкозонных полупроводников в состояние с сильной компенсацией. Кроме этого, за счет создания эффективного рельефа зон и компенсации при введении дополнительных радиационных дефектов появляется возможность получать сильно компенсированные слои с модуляцией зон бинарных соединений AIVBVI.
10. Проведенные исследования электрических и фотоэлектрических свойств слоев PS3 в широком интервале температур показали, что для данного материала не выполняется комплекс явлений, характерных для полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциального рельефа.
Набор электрических и фотоэлектрических явлений в PS3может быть описан в рамках модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасштабными флуктуациями. В области низких температур 90-200К обнаружен эффект трехмерной прыжковой проводимости вблизи уровня Ферми с переменной длиной прыжка.
Показано, что время релаксации фотопроводимости в слоях PS3может быть уменьшено или увеличено посредством термического отжига 500°С и облучения потоком высокоэнергетичных электронов c энергией 2 МэВ при дозе 1017см-2, соответственно.
11. Изучены особенности формирования пленок алюминия, триселенида мышьяка и узкозонных полупроводников AIVBVI(PbTe, PbS, PbSe) на кремниевых подложках с буферными слоями ПК различной электропроводности.
Показано, что на поверхности пористого слоя на катодной стороне двухсторонней пористой кремниевой структуры, формируемой в методе Унно-Имаи, имеет место рост [111]-аксиально текстурированных пленок алюминия, применение которых перспективно для снижения эффекта электромиграции в алюминиевой металлизации интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Установлено, что при росте слоев As2Se3на пористой поверхности, содержащей аморфизированную пленку с макропорами, слои ХСП наследуют макропористую структуру верхней части буферного слоя, в результате чего удельное сопротивление слоев As2Se3на несколько порядков ниже обычных значений.
Показана возможность выращивания качественных, блочных [100]-аксиально текстурированных пленок халькогенидов свинца на буферных слоях ПК на кремнии различных марок. Обнаружено, что на интерфейсе PbTe/ПК имеет место образование тонкого промежуточного высокоомного слоя, способного выступать в качестве диэлектрической прослойки при создании фотоприемников ИК-диапазона.
В заключение автор считает своим приятным долгом поблагодарить Винке А.Л., Палашова В.Н. (ВОМЗ, г.Вологда), Бучина Э.Ю., Наумова В.В. (ИМИРАН, г.Ярославль), Дрозда И. А. (НПО ОРИОН, Москва) за помощь в изготовлении образцов и тестовых структур. Автор искренне признателен Зайкиной Р. Ф., Приходько О. П. (КазГУ, г.Алматы), Преображенскому М.Н., Световому В.Б., Маковийчуку М.И., Проказникову А.В., Смиронову В.К. (ИМИРАН), Балагурову Л.А., Яркину Д.Г. (ГИРЕДМЕТ, Москва), Кузнецову В. С. (ЯрГУ) за проведение совместных исследований. Автор благодарен Лебедеву А.А. (ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург), Цоггу Х., Зимину Д.С. (ЕТН, Цюрих), Бомчилу Г. (France Telecom CNET) за полезные консультации и дискуссии. Автор также признателен своим аспирантам за помощь в проведении экспериментальных исследований и всему коллективу кафедры микроэлектроники за дружескую поддержку при выполнении данной работы.



[1] Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell System Tech. J..- 1956.- V.35.- P.333-338.
[2] Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem.Soc.- 1958.- V.5.- P.402-405.
[3] Properties of porous silicon. Edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- 400p.
[4] Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- 355p.
[5] Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника.- М.: ЦНИИ “Электроника”.- 1978, N.15.- С.3-47.
[6] Николаев К.П., Немировский Л.Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике// Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы.- 1989.- Вып.9.- С.1- 59.
[7] Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения // Материаловедение.- 1998.- Вып.1.- С.50-56.- Вып.3.- С.23-45.
[8] Parkhutik V. Porous silicon - mechanisms of growth and applications // Solid-State Electron.- 1999.- V.43.- P.1121-1141.
[9] Горшкова О.В., Дрозд И.А., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок PbSnS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.510-515.
[10] Imai K., Unno H. FIPOS technology and its application to LSI's // IEEE Trans. on Electron. Dev.- 1984.- V.ED-31.- P.297-302.
[11] Foll H. Properties of silicon-electrolyte junctions and their application to silicon characterization // Appl. Phys. A.- 1991.- V.53.- P.8-19.
[12] Николаев К . П ., Немировский Л . Н . Катодные процессы на кремниевой пластине во время ее анодного растворения с жидкостным контактом // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.- 1989.- Вып.6.- С.34-36.
[13] Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films // J. Electrochem. Soc.- 1977.- V.124.- P.285-295.
[14] Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic microscopy investigation of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.155-158.
[15] Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc.- 1980.- V.127.- P.476-483.
[16] Arita J. Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction // J.Crystal Growth.- 1978.- V.45.- P.383-390.
[17] Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Многослойное строение структур с пористым кремнием // Поверхность.- 1998.- Вып.4.- С.44-46.
[18] Noguchi N., Suemune I., Yamanishi M. et al. Study of luninescent region in anodized porous silicon by photoluminescence imaging and their microstructures // Jpn. J. Appl. Phys.-
1992. - V.31.- P. L490-L493.
[19] Suemune I., Noguchi N., Yamanishi M. Photoirradiation effect on photoluninescence from anodized porous silicon and luminescence mechanism // Jpn. J. Appl. Phys.- 1992.- V.31.- P. L494-L497.
[20] Fuchs H.D., Stutzmann M., Brandt M.S. et al. Porous silicon and siloxene: vibrational and structural properties // Phys. Rev. B.- 1993.- V.48.- P. 8172-8189.
[21] Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions // Surf. Sc.- 1966.- V.4.- P.109-124.
[22] Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1130-1135.
[23] Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.193-198.
[24] Buttard D., Schoisswohl M., cantin J.L. et al. X-ray diffraction and electron microscopy investigation of porous Si1-xGex // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.233-336.
[25] Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon // J. Appl. Crystallogr.- 2000.- V.33, pt.3.- P.504-506.
[26] Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.481-486.
[27] Cicala G., Losurdo M., Capezzuto P. et al. Enhancement of the amorphous to microcrystalline phase transition in silicon films deposited by SiF4-H2-He plasmas // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.493-498.
[28] Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М.: Мир, 1982.- Т.1,2.- 664с.
[29] Уманский А.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия.- М.: Металлургия, 1982.- 632 с.
[30] Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография.- М.: Наука, 1979.- Т.1.- 384с.
[31] Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon/ In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L.- Malvern: DERA, 1997.- P.112-117.
[32] Metzger H., Franz H., Binder M. et al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.201-204.
[33] Berger M.G., Frohnhoff St., Theiss W. et al. Porous Si: from single porous layers to porosity superlattices / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J. Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.345-355.
[34] Berbezier I., Halimaoui A. A microstructural study of porous silicon // J. Appl. Phys.-
1993. - V.74.- P.5421-5425.
[35] Berbezier I. Nano characterization of porous silicon by transmission electron microscopy / In: “Porous silicon. Science and technology”, edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.207-224.
[36] Vasquez R.P., Fathauer R.W., George T. et al. Electronic structure of light-emitting porous Si // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.1004-1006.
[37] Kunz R.R., Nitishin P.M., Clark H.R. et al. Observation of a nanocrystalline-to-amorphous phase transition in luminescent porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.1766-1768.
[38] Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D.J. et al. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon // J. Phys.C.- 1984.- V.17.- P.6535-6552.
[39] Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и твердых тел.- М.: Высшая школа, 1980.- 328с.
[40] Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела.- М.: Мир,
1986. - 214с .
[41] Постернак В.В. Влияние формы и размера областей когерентного рассеяния на форму пиков кривой приведенной интенсивности // Кристаллография.- 1993.- Т.38, вып.6.- С.271-273.
[42] Аморфные и поликристаллические полупроводники. Под ред. В. Хейванга.-М.: Мир,
1987. - 160с.
[43] Briggs A. Acoustic microscopy - a summary // Rep. Prog. Phys.- 1992.- V.55.- P.851-909.
[44] Плаченов Т.Г., Колосенцев С.Д. Порометрия.- Л.: Химия, 1988.- 342с.
[46] Айвазов А.А., Мушниченко В.В. Пористый окисленный кремний в технологии микроэлектроники// Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы.- 1990.- Вып.7.- С.1-44.
[47] Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D. Optical properties of porous silicon films // Thin Sol. Films.- 1985.- V.125.- P.157-165.
[48] Мушниченко В.В., Губенко И.Б. Методы контроля пористости пористого кремния // Электронная техника. Серия 6. Материалы.- 1989.- Вып.3.- С.58-61.
[49] Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucoran A. et al. Acoustic investigation of porous silicon layers // Mater. Sci.- 1995.- V.30.- P.35-39.
[50] Валиев К.А., Преображенский М.Н. Возможности акустической микроскопии при исследовании полупроводниковых структур // Труды ФТИАН.- 1997.- Т.12.- С.153-168.
[51] Atalar A. A physical model for acoustic signature // J. Appl. Phys.- 1979.- V.50.- P.8237¬8245.
[52] Акустические кристаллы. Справочник / Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Чкалова В.В. и др.- М.: Наука, 1982.- 632с.
[53] Бирюков С.В., Гуляев Ю.В., Крылов В.В., Плесский В.П. Поверхностные акустические волны в неоднородных средах. М.:Наука, 1991.- 416с.
[54] Yu Z., Boseck S. Scanning acoustic microscopy and its applications to material characterization // Rev. Mod. Phys.- 1995.- V.67.- P.863-891.
[55] Преображенский М.Н., Бердников А.Е., Попов А.А. и др. Акустические исследования пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученного методом плазмостимулированного осаждения из газовой фазы / Материалы Х Международного симпозиума “Тонкие пленки в электронике”. Ярославль.- 1999. - Часть 1.- С. 204-208.
[56] Bukhny M.A., Chernosatonsky L.A., Maev R.G. Methods of acoustic microscopy in investigation of hygh-temperature superconductors. In: Physical Acoustics. Fundamentals and Applications. Ed. by O. Lerey and M. Breazeale.-N-Y.: Plenum Press, 1991.- P.253-259.
[57] Pavesi L. Porous silicon: route towards a Si-based photonics? // Microelectronics J.- 1996.- V.27.- P.437-448.
[58] Bellet D. Elastic properties of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.127-137.
[59] Audoly G., Dumery G. Acoustic wave propagation in media containing two-dimensional periodically spaced elastic inclusions. In: Physical Acoustics. Fundamentals and Applications. Ed. by O. Lerey and M. Breazeale.-N-Y.: Plenum Press, 1991.- P.219-224.
[60] Biot M.A. Mechanics of deformation and acoustic propagation in porous media // J. Appl. Phys.- 1962.- V.33.- P.1482-1498.
[61] Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Процессы переноса в неоднородных средах.- Л.: Энергоатомиздат, 1991.- 248с.
[62] Палатник Л. С., Черемской П. Г., Фукс М. Я. Поры в пленках .- М.: Энергоатомиздат, 1982.- 216с .
[63] Черемской П . Г ., Слезов В. В ., Бетехтин В . И . Поры в твердом теле .- М .: Энергоатомиздат, 1990.- 376с.
[64] Гегузин Я . Е . Макроскопические дефекты в металлах .- М .: Металлургия, 1962.-252с .
[65] Поляков В.В., Головин А.В. Влияние пористости на скорости ультразвуковых волн в металлах // Письма в ЖТФ.- 1990.- Т.20, вып.11.- С.54-57.
[66] Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов.- М.: Энергия, 1979.- 166с.
[67] Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications // In: “Porous silicon. Science and technology”, edited by Vial J.-C., Derrien J.- Springer Verlad, 1995.- P.33-52.
[68] Компан М.Е., Шабанов И.Ю. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом анодном травлении // ФТП.- 1995.-Т.29, вып. 10.- С.1859-1869.
[69] Beale M.I.J., Bendjamin J.D., Uren M.J. et al. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon // J. Cryst. Growth.- 1985.- V.73.- P.622-636.
[70] Andersen O.K., Frello T., Vejie E. Photoinduced synthesis of porous silicon without anodization // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.6189- 6192.
[71] Koker L., Kolasinski K.W. Photoelectrochemical etching of Si in aqueous HF // Phys. Chem. Chem. Phys.- 2000.- V.2.- P.277-281.
[72] Lysenko V., Remaki B., Barbier D. Double-Side mesoporous silicon formation for the thermal insulating applications // Adv. Mater.- 2000.- V.12.-P.516-519.
[73] Биленко Д.И., Абаньшин Н.И., Галишникова Ю.Н. и др. Электрические и оптические свойства пористого кремния // ФТП.- 1983.- Т.17, вып.11.- С.2090-2092.
[74] Richter A., Steiner P., Kozlowski F., Lang W. Current-induced light emission from porous silicon device // IEEE Electron Dev. Lett.- 1991.- V.12.- P.691-692.
[75] Halimaoui A., Oules C., Bomchil G. et al. Electroluminescence of the visible range during anodic oxidation of porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.59.- P.304-306.
[76] Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of the electrical properties of porous silicon // J. Electrochem. Soc.- 1991.- V.138.- P.3406-3411.
[77] Read A.J., Nedds R.J., Nash K.J., Canham L.T. et al. First-Principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires // Phys. Rev. Lett.- 1992.- V.69.- 1232-1235.
[78] Tsu R., Babic D. Doping of a quantum dot // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.1806-1808.
[79] Lehmann V., Hofmann F., Muller F. et al. Resistivity of porous silicon: a surface effect // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.20-22.
[80] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. et al. Hopping transport on a fractal: ac conductivity of porous silicon // Phys. Rev.B.- 1995.- V.51.- p.2199-2213.
[81] Simons A.J., Cox t.I., Uren M.J., Calcott P.D.J. The electrical properties of porous silicon produced from n+silicon substrates // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.12-15.
[82] Peng C., Hirschman K.D., Fauchet P.M. Carrier transport in porous silicon light-emitting devices // J. Appl. Phys.- 1996.- V.80.- P.295-300.
[83] Аверкиев Н. С., Шик А. Я. Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.30, вып.2.- С. 199-207.
[84] Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А. и др. Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30, вып.12.- С.2178-2182.
[85] Тимошенко В. Ю., Константинова Е. А., Дитрих Е. Исследование фотоэдс в структурах пористый кремний / кремний методом импульсного фотонапряжения // ФТП.- 1998.- Т.32, вып.5.- С.613-619.
[86] Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K., Matveeva A.B. et al. Influence of photoluminescence and traping on the photovoltage at the por-Si/p-Si structure // Thin Sol. Films.- 1996.- V.276.- P.216-218.
[87] Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrova E.A. Electronic transport in porous silicon of low porosity made on a p+ substrate // Mater. Sc. and Engin.- 2000.- V.B69-70.- P.127-131.
[88] Mathur R.G., Vivechana, Mehra R.M. et al. Electron transport in porous silicon // Thin Sol. Films.- 1998.- V.312.- P.254-258.
[89] Yeh E.C.C., Chiou M.S., Hsu Y.J. Computer simulation of percolated porous Si structure and its application to electrical conductivity simulation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.88¬91.
[90] Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.- 264с.
[91] Гусев С.А., Короткова Н.А., Розенштейн Д.Б. и др. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.11.- С.50-53.
[92] Herino R. Pore size distribution in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.89-98.
[93] Petritz R.L. Theory of experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface // Phys. Rev.- 1958.- V.110.- P.1254-1262.
[94] Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника.- 1981.- Вып.1.- С.3-50.
[95] Stievenard D., Deresmes D. Are electrical properties of an aluminum-porous silicon junction governed by dangling bonds? // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.1570-1572.
[96] Ben-Chorin M. Resistivity of porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.165-175.
[97] Cadet C., Deresmes D., Vuillaume D. et al. Influence of surface defects on the electrical behavior of aluminum- porous silicon junctions // Appl. Phys.Lett.- 1994.- V.64.- P.2827-2829.
[98] Grosman A., Ortega C. Dopants in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.328-335.
[99] Polisski G., Dollinger G., Bergmaier A. et al. Acceptor depletion in p-type porous silicon // Phys. Stat.Sol. (a).- 1998.- V.168.- P.R1-R2.
[100] Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors // Appl. Phys. A.- 1987.- V.43.- P.153-195.
[101] Sopori B.L., Deng X., Benner J.P. et al. Hydrogen in silicon: A discussion of diffusion and passivation mechanisms // Solar Energy Materials and Solar Cells.- 1996.- V.41/42.- P.160¬169.
[102] Рытова Н.С. О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.316-322.
[103] Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W. et al. Hydrogen localization near boron in silicon // Appl. Phys. Lett.- 1985.- V.46.- P.421-423.
[104] Fukata N., Sasaki S., Fujimura S. et al. Hydrogen passivation of donors and hydrogeh states in heavy doped n-type silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1996.- V.35.- Part 1.- P.3937- 3941.
[105] Мукашев Б. Н.. Тамендаров М. Ф., Токмолдин С. Ж. Состояния водорода и механиэмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии // ФТП.- 1992.- Т.26.- С.1124-1134.
[106] Yokoto K., Hosokawa K., Terada K. et al. Hydrogenation of high-concentration arsenic- doped silicon using radio frequency hydrogen plasma // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- Part 1.- P.4355- 4358.
[107] Grosman A., Ortega C. Chemical composition of fresh porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.145-154.
[108] Allongue P., Henry de Villeneuve C., Pinsard L. et al. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.67.- P.691-694.
[109] Allongue P., Henry de Villeneuve C., Bernard M.C. et al. Relationship between porous silicon formation and hydrogen incorporation // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.1-4.
[110] Fellah S., Gabouze N., Ozanam F. et al. Pit formation on p-Si during hydrogen evolution in HF electrolyte // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.31-36.
[111] Болтакс В.Б. Диффузия в полупроводниках.- М.: Наука, 1962.- 412с.
[112] Capizzi M., Mittiga A. Hydrogen in crystalline silicon: A deep donor? // Appl. Phys.Lett.- 1987.- V.50.- P.918-920.
[113] Zundel T., Weber J. Dissiciation energies of shallow-acceptor - hydrogen pairs in silicon // Phys. Rev. B.- 1989.- V.39.- P.13549-13552.
[114] Маркевич В.П., Мурин Л.И., Lindstrom J.L. и др. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1039-1045.
[115] Herring C., Jonson N.M. Hydrogen in semiconductors // Semicond. and Semimet.- 1991.- V.34.- Chap.10.
[116] Александров О . В. Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.24-28.
[117] Феклистова О. В ., Якимов Е . Б ., Ярыкин Н . А. Моделирование проникновения водорода в кремний p-типа в процессе жидкостного химического травления // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.301-304.
[118] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн.1.- М.: Мир, 1984.¬456с.
[119] Вашпанов Ю. А., Халмурат Азат, Смынтина В. А. Релаксация тока в микропористом кремнии // ЖТФ.- 1999.- Т.69, вып.11.- С.141-142.
[120] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Phys. Rev. B.- 1994.- V.49.- P.2981-2984.
[121] Mares J.J., Kristofik J., Pangras J. et al. On the transport mechanism in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1993.- V.63.- P.180-182.
[122] Lue J.T., Chang C.S., Chen C.Y. et al. The bistable switching property of a poros- silicon Schottky barrier diode during the charging period // Thin Sol. Films.- 1999.- V.399.- P.294¬298.
[123] Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Carrier injection and transport in porous silicon Schottky diodes // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.181-184.
[124] Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл / пористый кремний / с-Si // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.211-214.
[125] Ben-Chorin M., Kux A., Schechter I. Adsorbate effects on photoluminescence and electrical conductivity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.- P.481-483.
[126] Жерздев А.В., Кудоярова В.Х., Медведев А.В. и др. Электролюминесцентная ячейка на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1993.- Т.19, вып.23.- С.87-90.
[127] Yen E.C., Chan J.H., Shien T.H. et al. Study on the electrical conduction of p+porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 1998.- V.165.- P.63-65.
[128] Лаптев А. Н., Проказникоа А.В., Рудь Н. А. Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып.11.- С.59-63.
[129] CTpuxa В.И. Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник.- Киев, 1974.- 264с.
[130] Koyama H., Koshida N. Electrical properties of luminescent porous silicon // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.293-300.
[131] Fejfar A., Pelant I., Sipek E. et al. Transport study of self-supportind porous silicon // Appl.Phys. Lett. - 1995.- V.66.- P.1098-1100.
[132] Diligenti A., Nannini A., Pennelli G. et al. Carrent transport in free-standing porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.687- 689.
[133] Schwarz R., Wang F., Ben-Chorin M. et al. Photocarrier grating technique in mesoporous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.23-26.
[134] Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416с.
[135] Lannoo M., Delerue C., Allan G. Screeninig in semiconductor nanocrystallites and its consequences for porous silicon // Phys. Rev. Lett.- 1995.- V.74.- P.3415-3418.
[136] Delerue C., Allan G., Martin E., Lannoo M. Theory of silicon crystalites. Part II/ In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.91-109.
[137] Timoshenko V.Yu., Lysenko V., Dittrich Th. et al. Electrical conductivity of meso- porous Si: effect of the condensation of polar liquids // Phys. Stat.Sol (a).- 2000.- V.182.- P.163-168.
[138] Gupta C.L. Electron paramagnetic resonance of porous p-silicon // J. Appl. Phys.- 1994.- V.76.- P.4800-4804.
[139] Polisski G., Kovalev D., Dollinger G. et al. Boron in mesoporous Si - Where have all the carriers gone? // Physica B.- 1999.- V.273-274.- P.951-954.
[140] Dimova-Malinovska D., Tzolov M., Tzenov N. et al. Electrical, photoelectrical and electroluminescent properties of porous silicon - c-Si heterojunctions // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.285-290.
[141] Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrovicheva G.A. et al. Highly sensitive porous silicon based photodiode structures // J. Appl. Phys.- 1997.- V.82.- P.4647-4650.
[142] Balagurov L.A., Orlov A.F., Petrova E.A. et al. Effect of high concentration of defects states at PS/c-Si heterointerface on transport properties of Al/PS/c-Si photodiode structures // Mater. Res. Soc.- 1998.- V.486.- P.305-310.
[143] Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Band alignment and carrier injection at the porous silicon - crystalline silicon interface // J. Appl. Phys.- 1995.- V.77.- P.4482-4488.
[144] Бучин Э.Ю., Лаптев А.Н., Проказников А.В. и др. Электролюминесценция и вольтамперные характеристики структур на основе пористого кремния // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып. 11.- С.70-76.
[145] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний - кремний // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.159-161.
[146] Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.327-631.
[147] Oguro T., Koyama H., Ozaki T. et al. Mechanism of the visible electroluminescence from metal/porous silicon/n-Si devices // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.1407-1412.
[148] Балагуров Л.А., Смирнов Н.Б., Кожухова Е.А. и др. Характеристики контакта металл/ пористый кремний // Известия РАН. Серия Физическая.- 1994.- Т.58, вып.7.- С.78-82.
[149] Lubianiker Y., Balberg I. Two Meyer-Neldel rules in porous silicon // Phys. Rev. Lett.- 1997.- V.78.- P.2433-2436.
[150] Lubianiker Y., Balberg I. A comporative study of Meyer-Neldel rule in porous silicon and hydrogenated amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids.- 1998.- V.227-230.- P.180-184.
[151] Balberg I. Transport in porous silicon: the pea-pod model // Philos. Magaz.- 2000.- V.80.- P.691-703.
[152] Stuke J. Problems in the understanding of electronic properties of amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids.- 1987.- V.97-98.- P.1-14.
[153] Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния / В кн.: Аморфные полупроводники. Под ред. М.Бродски.- М.:Мир, 1982.- С.355-412.
[154] Theiss W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep.- 1997.- V.29.- P.91-192.
[155] Корсунская Н.Е., Торчинская Т.В., Джумаев Б.Р. и др. Зависимость фотолюминесценции пористого кремния от состава вещества на поверхности кремниевых нитей // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1507-1515.
[156] George T., Anderson M.S., Pike W.T. et al. Microstructural investigations of light¬emitting porous Si layers // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2359-2361.
[157] Bardeleben H.J., Cantin J.L. Paramagnetic defects in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.319-327.
[158] Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.728-735.
[159] Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1122-1125.
[160] Бару В.Г., Колмакова Т.П., Ормонт А.Б. и др. Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1994.- Т.20, вып.20.- С.62-66.
[161] Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х. и др. Модификация структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированного ионами Si+// ФТП.- 2000.- Т.34.- С.86-89.
[162] Голикова О.А., Богданов Е. В., Кузнецов А. Н. и др. Структурная сетка кремния в пленках a-Si:H, содержащих упорядоченные включения // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.600-604.
[163] Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.- М.: Мир, 1973.- 416с.
[164] Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1729-1738.
[165] Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки.- М.: Сов. Радио, 1974.- 248с.
[166] Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. и др. Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd/p0-Si/ p-Si с разупорядоченным промежуточным слоем p0// ФТП.- 1997.- Т.31.- С.15-18.
[167] Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd/ пористый Si // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1073-1075.
[168] Лебедев Э.А., Диттрих Т. Ток, ограниченный пространственным зарядом, в пористом кремнии и анатазе (TiO2) // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.1268-1271.
[169] Matsumoto T., Mimura H., Koshida N. et al. Deep level energy states in porous silicon and porous silicon carbide determined by space-charge-limited current measurements // Appl. Surf. Sci.- 1999.- V.142.- P.569-573.
[170] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.757-761.
[171] Спир В. Перенос с участием состояний хвостов зон в аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир. 1991.- С.315-349.
[172] Шифф Э., Силвер М. Сильно неравновесная дрейфовая подвижность в гидрированном аморфном кремнии / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир. 1991.- С.381-402.
[173] Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Под ред. Джоунополоса Дж. и Люковски Дж. В 2-х книгах.- М.:Мир, 1987.
[174] Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И. Вольтамперные характеристики структур Ме/a-Si:H/c-Si, изготовленных магнетронным распылением // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.617-621.
[175] Mackenzie K.D., Le Comber P.G., Spear W.E. The density of states in amorphous silicon determined by space-charge-limited current measurements // Philos. Magaz.- 1982.- V.46.- P.377-389.
[176] Греков Е.В., Сухоруков О.Г. Определение плотности локализованных состояний в a-Si:H при измерении токов, ограниченных пространственным зарядом // ФТП.- 1988.- Т.22.- С.735-737.
[177] Голикова О.А. Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор) // ФТП.- 1991.- Т.25.- С.1517-1535.
[178] Gunes M., Wronski C.R. // Differences in the densities of charger defect states and kinetics of Staebler-Wronski effect in undoped (nonintrinsic) hydrogenated amorphous silicon thin films // J. Appl. Phys.- 1997.- V.81.- P.3526-3536.
[179] Matsumoto T., Jifa Qi., Masumoto Y. et al. Determination of localized states in porous silicon // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.203-206.
[180] Белов С.В., Лебедев А.А. Импульсные исследования диодных структур на основе кремний-водородных пленок // ФТП.- 1998.- Т. 32.- С.889-891.
[182] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А. и др. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2001.- Т. 35.- С.609-611.
[182] Lebedev E.A., Smorgonskaya E.A., Polisski G. Drift mobility of excess carriers in porous silicon // Phys. Rev. B.- 1998.- V.57.- P.14607-14610.
[183] Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Смирнова Н.Н. Перенос носителей заряда в пористом кремнии // ФТП.- 2002.- Т. 36.- С.355-359.
[184] Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В. Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.923-931.
[185] Спир У., Ле-Комблер П. Фундаментальные и прикладные исследования / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.- Т.1.- С.85-158.
[186] Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: a quantum wire effect // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.58.- P.856-858.
[187] Lust S., Levy-Clement C. Macropore formation on medium doped p-type silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.17-21.
[188] Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett.- 1990.- V.57.- P.1046-1048.
[189] Hybertsen M.S. Mechanism for light emission from nanoscale silicon / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.67-90.
[190] Delerue C., Allan G., Lannoo M. Optical band gap of Si nanoclusters // J. of Lumin.- 1999.- V.80.- P.65-73.
[191] Pivac B., Rakvin B., Pavesi L. Paramagnetic centers at and near the Si/SiOx interface in porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.65.- P.3260-3262.
[192] Петров А.В., Петрухин А.Г. Оптическое заряжение пористого кремния // ФТП.- 1994.- Т.28.- С.82-85.
[193] Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.198-204.
[194] Lysenko V., Boarino L., Bertola M. et al. Theoretical and experimental study of heat conduction in as-prepared and oxidized meso-porous silicon // Microelectron. J.- 1999.- V.30.- P.1141-1147.
[195] Chazalviel J.-N., Ozanam F. Surface chemistry of porous silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1999.- V.536.- P.155-166.
[196] Makara V.A., Odarych V.A., Vakulenko O.V. et al. Ellipsometric studies of porous silicon // Thin Sol. Films.- 1999.- V.342.- P.230-237.
[197] Копылов А. А., Холодилов А. Н. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.556-558.
[198] Rossow U. Optical characterization of porous materials // Phys.Stat. Sol. (a).-2001.- V.184.- P.51-78.
[199] Колмакова Т.П., Бару В.Г., Малахов Б.А. и др. Электро- и фотолюминесценция в тонких пленках пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1993.- Т.57.- С.398-401.
[200] Dalba G., Daldosso N., Fornasini P. et al. Quantum confinement in porous silicon as a function of size distribution of luminescent sites // Electrochem. Soc. Proc.-1999.- V.99-22.- P.10-21.
[201] Morazzani V., Chamarro M., Grosman A. Partial oxidation of porous silicon by thermal process: study of structure and electronic defects // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.45-49.
[202] Canham L.T. Chemical composition of intentionally oxidised porous silicon // In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.158-1161.
[203] Hurley P.K., Kiely C.J., Hall S. et al. Partial oxidation of porous silicon // Semicond. Sci. and Technol.- 1993.- V.8.- P.2168-2175.
[204] Grosman A., Chamarro M., Morazzani V. et al. Study of anodic oxidation of porous silicon: relation between growth and physical properties // J. of Lumin.- 1993.- V.57.- P.13-18.
[205] Голубев В.Г., Жерздев А.В., Мороз Г.К. и др. Сильное фотоиндуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.852-863.
[206] Salonen J., Lehto V.-P., Bjorkqvist M. et al. A role of illumination during etching to porous silicon oxidation // Appl. Phys. Lett.- 1999.- V.75.- P.826-828.
[207] Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Photo-oxidation studies of porous silicon using microcalorimetric method // J. Appl. Phys.- 1999.- V.86.- P.1-6.
[208] Draghici M., Miu M., Langu V. et al. Oxidation-induced modifications of trap parameters in nanocrystalline porous silicon // Phys. Stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.239-243.
[209] Башченко С.Н., Блонский И.В., Бродун М.С. и др. Эффект воздействия ультрафиолетового излучения на температурную зависимость фотолюминесценции в пористом кремнии // ЖТФ.- 2001.- Т.71.- С.66-71.
[210] Демидов Е.С., Карзанов В.В., Шенгуров В.Г. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии // Письма в ЖЭТФ.- 1998.- Т.67.- С.794-797.
[211] Simons A.J. Carrier mobility in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.176-184.
[212] Лебедев Э.А., Полисский Г., Петрова-Кох В. Дисперсионный перенос дырок в пористом кремнии // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.2108-2111.
[213] Казакова Л.П., Лебедев Э.А. Переходный ток в структурах аморфный, пористый полупроводник - кристаллический полупроводник // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.187-191.
[214] Fauchet P.M., Behren J., Hirschman K.D. et al. Porous silicon physics and device application: a status report // Phys. Stat. Sol. (а).- 1998.- V.165.- P.25-35.
[215] Демидович В.М., Демидович Г.Б., Козлов С.Н. и др. Адсорбционно-управляемая “канальная” проводимость в окисленном пористом кремнии // Письма в ЖТФ.- 1998.- Т.24, вып.2.- С.27-31.
[216] Козлов С.Н., Невзоров А.Н. Влияние адсорбции воды на импеданс системы кремний - пористый кремний - металл // Вестник МГУ. Сер.3- 1989.- Вып.1.- С.63-64.
[217] Konstantinov A.V., Harris C.I., Janzen E. Electrical properties and formation mechanism of porous silicon carbide // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.65.- P.2699-32701.
[218] Якимов А.И., Двуреченский А.В. Анизотропное отрицательное
магнетосопротивление в одномерных каналах пористого кремния // Письма в ЖЭТФ.- 1999.- Т.69, вып.3.- С.189-193.
[219] Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Stepina N.P. et al. The temperature-induced transition from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-cMnc // J. Phys.: Condens. Mater.- 1997.- V.9.- P.889-899.
[220] Якимов А.И., Степина Н.П., Двуреченский А.В. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации в пористом a-Si:H // ЖЭТФ.- 1997.- Т.112.- С.926-935.
[221] Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.V. et al. Current-voltage characteristics of porous amorphous Si1-xMnx in the one-dimensional hopping regime // Philos. Magaz. Lett.- 1996.- V.73.- P.17-26.
[222] Слободчиков С.В.. Горячев Д.Н.. Салихов Х.М. и др. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si / пористый кремний / Pd и влияние на них газообразного водорода // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.340-343.
[223] Deresmes D., Marissael V., Stievenard D. et al. Electrical behaviour of aluminium - porous silicon junctions // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.258-261.
[224] Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. и др. Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии // ФТП.- 1993.- Т.27.- С.1371-1374.
[225] Pulsford N.J., Rikken G.L.J.A., Kessener Y.A.R.R. et al. Behavior of a rectifying junction at the interface between porous silicon and its substrate // J. Appl. Phys.- 1994.- V.75.- P.636¬638.
[226] Матвеева А.Б.. Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. и др. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.2180-2188.
[227] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Фоточувствительность гетерограницы пористый кремний - кремний // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники.- 1998.- Вып.2.- С.67-69.
[228] Pavesi L., Guardini R., Bellutti P. Porous silicon n-p light emitting diode // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.272-276.
[229] Astrova E.V., Lebedev A.A., Remenyuk A.D. et al. Photosensitivity of silicon-porous silicon geterostructures // Thin Sol. Films.- 1997.- V.297.- P.129-131.
[230] Koshida N., Koyama M. Visible electroluminescence from porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.347-349.
[231] Namavar F., Maruska H.P., Kalkhoron N.M. Visible electroluminescence from porous silicon np hetrojunction diodes // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.60.- P.2514-2516.
[232] Simons A.J. Porous silicon diodes / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.192-199.
[233] Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник.- М.: Радио и связь, 1982.- 209с.
[234] Найтс Дж. Структурная и химическая характеризация / В кн: Физика аморфного гидрогенизированного кремния. Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.:Мир, 1987.- Т.1.- С.13-84.
[235] Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.- 670с.
[236] Cox R.H., Strack M. Ohmic contacts for GaAs devices // Solid State Electron.- 1962.- V.10.- P.1213-1217.
[237] Валиев К.А., Дягилев В.Н., Лебедев В.И. и др. Микромощные интегральные схемы.- М.: Советское радио, 1975.- 365с.
[238] Canham L.T. Pore type, shape, size, volume and surface area in porous silicon / In: Properties of porous silicon. Ed. by Canham L., DERA.- 1997.- P.83-88.
[239] Dhar S., Chakrabarti S. Electroless nickel plated contacts on porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.1392-1394.
[240] Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний - пористый кремний - химически осажденный металл // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1386-1389.
[241] Jeske M., Schultze J.W., Thonissen M. et al. Electrodeposition metals into porous silicon // Thin Sol. Films.- 1995.- V.255.- P.63-66.
[242] Технология СБИС. Под ред. С.Зи.- М.: Мир, 1986.- 420с.
[243] Pavesi L. Porous silicon dielectric multilayers and microcavities // Rivista Del Nuovo Cimento.- 1997.- V.20.- P.1-76.
[244] Berger M.G., Frohnhoff St., Theiss W. et al. Porous silicon: From single porous layers to porosity superlattices / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.345-356.
[245] Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1649-1656.
[246] Белогорохов А.И., Караванский В.А., Белогорохова Л.И. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе “свободных” пленок пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.1177-1185.
[247] Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл - полупроводник.- М.: Мир, 1975.- 432с.
[248] Chen Y.A., Liang N.Y., Laih L.H. et al. Improvement of current injection of porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys.- 1997.- V.36.- P.1574-1577.
[249] Tsao S.S. Porous silicon techniques for SOI structures // IEEE Circ. and Dev. Mag.- 1987.- Iss.11.- P.3-7.
[250] Tsai C., Li K.H., Snin S. et al. Thermal treatment studies of photoluminescence intensity of porous silicon // Appl. Phys. Lett.- 1991.- v.59.- P.2814-2816.
[251] Костишко Б.М., Пузов И.П., Нагорнов Ю.С. Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26, вып.1.- С.50-55.
[252] Костишко Б. М., Орлов А. М., Емельянова Т. Г. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при одновременном термическом и лазерном воздействии // Письма в ЖТФ.- 1996.- Т.22, вып.10.- С.68-73.
[253] Костишко Б.М., Нагорнов Ю.С., Апполонов С.В. и др. Роль молекул водорода в стоке заряда с поверхности пористого кремния // Уч. Записки Ульяновского ун-та. Сер. Физ.-1999.- Вып.2(7).- С.97-102.
[254] Орлов А.М., Скворцов А.А., Клементьев А.Г. и др. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма в ЖТФ.- 2001.- Т.27, вып.2.- С.76-83.
[255] Robinson M.B., Dillon A.C., Haynes D.R. et al. Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.61.- P.1414-1416.
[256] Pathma V., Goldspink G. An investigation into silane evolution from porous silicon by temperature programmed desorbtion method / Mater. Intern. Conf. “Porous semiconductors - science and technology”, 1998.- Spain, Mallorca.- P.109-110.
[257] Martin P., Fernandez F., Sanchez C. TDS applied to investigation the hydrogen and silane desorption kinetics from porous silicon / Mater. Intern. Conf. “Porous semiconductors - science and technology”, 2000.- Spain, Madrid.- P.236-237.
[258] Laiho R., Vlasenko L.S. Electron paramagnetic resonance of dangling bond centers in vacuum-annealed porous silicon // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- P.2857- 2859.
[259] Herino R., Perio A., Barla K. et al. Microstructure of porous silicon and its evolution with temperature // Mater. Lett.- 1984.- V.2.- P.519-523.
[260] Labunov V., Bondarenko V., Glinenko L. et al. Heat treatment effect on porous silicon // Thin Sol. Films.- 1986.- V.137.- P.123-134.
[261] Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications / In: Porous silicon. Science and technology. Edited by J.-C. Vial and J.Derrien.- Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995.- P.33-53.
[262] Лукьянова Е.Н., Козлов С.Н., Демидович В.М. и др. Особенности электропереноса в нанопористом кремнии и оксиде кремния с адсорбированной водой // Письма в ЖТФ.- 2001.- Т.27, вып.11.- С.1-6.
[263] Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V.70.- P.637-639.
[264] Kimoto K., Arai T. Photoluminescence of rapid thermal treated porous Si in nitrogen atmosphere // Phys. stat. Sol. (a).- 2000.- V.182.- P.133-137.
[265] Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1985.- 264с.
[266] Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1975.- 206с.
[267] Wagner P., Hage J. Thermal double donors in silicon // Appl. Phys. A.- 1989.- V.A49.- P.123-138.
[268] Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках.- М.: Металлургия, 1968.- 327с.
[269] Cazcarra V., Zunino P. Influence of oxygen on silicon resistivity // J. Appl. Phys.- 1980.- V.51.- P.4206-4209.
[270] Батавин В.В., Сальник З.А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород // Неорганические материалы.- 1982.- Т.18, вып.2.- С.185-191.
[271] Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н. и др. Электрические свойства кремния, термообработанного при 530С и облученного электронами // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.1049-1053.
[272] Курова И.А., Мелешко Н.В., Ларина Э.В. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.12-16.
[273] Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П. и др. Проводимость структур кремний-на- изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1095-1098.
[274] Ельцов К.Н., Караванский В.А., Мартынов В.В. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ.- 1996.- Т.63, вып.2.- С.106-111.
[275] Терехов В.А., Хохлов А.Ф., Ковалева Н.С. и др. Изменения локальной плотности электронных состояний и ближнего порядка в аморфных пленках гидрированного кремния // ФТТ.- 1997.- Т.39.- С.243-245.
[276] Wilson J.I.B. Density of states in annealed GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.- EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.150-153.
[277] Курова И.А., Лупачева А.Н., Мелешко Н.В. и др. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H // ФТП.- 1994.- Т.28.- С.1092-1096.
[278] Kniffler N., Muller W.W., Pirrung J.M. et al. Annealing and hydrogenation behaviour of evaporated and sputtered high-purity amorphous silicon films // J. De Physique.- 1981.- V.42.- P.c4-811 - c4-814.
[279] Zellama K., Germain P., Picard C. A theoretical study of hydrogen exodiffusion in a- Si:H, comparison with conductivity measurements // J. De Physique.- 1981.- V.42.- P.c4-815 -
c4-818.
[280] Андреев А.А., Сидорова Т.А., Казакова Е.А. и др. Электропроводность и структура слоев аморфного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.- С.1469-1475.
[281] Yang S.H., Lee C. Mechanism of the high-temperature conductivity kinks in hydrogenated amorphous silicon // Philos. Magaz.B.- 1986.- V.53.- 293-300.
[282] Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Афанасьев В.П. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.367-370.
[283] Курова И.А., Мирошник О. Н., Ормонт Н.Н. и др. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.727-729.
[284] Chou J.-C., Hsiung S.-K., Lu C.-Y. Characterization of a-Si:H phase transition and crystallization by isotermal annealing // Jap. J. Appl. Phys.- 1987.- V.26.- P.1971-1977.
[285] Казанский А.Г., Миличев Е.П. Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации // ФТП.- 1989.- Т.23.- С.2027-2029.
[286] Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов Х. и др. Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния в зависимости от исходных характеристик пленок // ФТП.- 2001.- Т.35.- С.985-986.
[287] Augelli V. Conductivity of undoped GD a-Si:H / In : Properties of amorphous silicon.- EMIS Datareviews, INPEC, 1989.- P.185-190.
[288] Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O. и др. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 // ФТП.- 2000.- Т.34.- С.1004-1009.
[289] Лебедев А.А., Иванов А.М., Ременюк А.Д. и др. Влияние а-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.188-190.
[290] Астрова Е.В., Емцев В.В., Лебедев А.А. и др. Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием Y-облучения 60Co // ФТП.- 1995.- Т.29.- С.1301-1305.
[291] Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В. и др. Влияние Y-облучения на свойства пористого кремния // ФТП.- 1996.- Т.30.- С.507-514.
[292] Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н. и др. Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП.- 1997.- Т.31.- С.1126-1129.
[293] Maurice J.-L., Riviere A., Alapini A. et al. Electron beam irradiation of n-type porous silicon obtained by photoelectrochemical etching // Appl. Phys. Lett.- 1995.- V.66.- P.1665-0 1667.
[294] Костишко Б.М., Орлов А.М., Фролов В.А. Энергия активации электронно- стимулированного гашения фотолюминесценции пористого кремния n-типа // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып.18.- С.44-50.
[295] Костишко Б.М., Орлов А.М., Пирогов А.В. Изменение электронной структуры и энергии активации гашения фотолюминесценции пористого кремния n-типа при электронном облучении // Неорганические материалы.- 1999.- Т.35.- С.280-285.
[296] Костишко Б.М., Орлов А.М. Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ЖТФ.- 1998.- Т.68.- С.58-63.
[297] Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Миков С.Н. Влияние электронного облучения на фотолюминесценцию карбонизированного пористого кремния / Материалы VIII межнационального совещания “Радиационная физика твердого тела”, Севастополь, 1998.- С.170-174.
[298] Calliari L., Anderle M., Ceschini M. et al. Electron bombardment effects on light emitting porous silicon // J. Lumin.- 1993.- V.57.- P.83-87.
[299] Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии.- М.: Высшая школа, 1988.- 255с.
[300] Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий.- М.: Атомиздат, 1971.- 176с.
[301] Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на
полупроводники.- М.:Наука, 1988.- 192с.
[302] Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.- М.:
Энергоатомиздат, 1989.- 96с.
[303] Емцев В.В., Машовец Т.В., Абдусаттаров А.Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии n-типа при электронном импульсном облучении // ФТП.- 1987.- Т.21.- С.2106-2109.
[304] Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные дефекты в кремнии.- К.: Наукова думка, 1974.- 200с.
[305] Левчук Л.В., Галушка А.П., Конозенко И.Д. Радиационные нарушения в p-Si с примесью водорода, созданные быстрыми электронами / Материалы симпозиума “Радиационные дефекты в полупроводниках”, Минск, БГУ, 1972.- С.76-77.
[306] Шнайдер У., Шредер Б. Метастабильные дефекты в гидрированном аморфном кремнии, создаваемые электронным облучением / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше Х.- М.:Мир, 1991.- С. 290-314.
[307] Казанский А.Г., Король А.С., Милевич Е.П. и др. Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния // ФТП.- 1986.- Т.20.- С.1594-11597.
[308] Street R., Biegelsen D., Stuke J. Defects in bombarded amorphous silicon // Philos. Magaz. B.- 1979.- V.40.- P.451-464.
[309] Yacobi B.G., Roedern B. Electrical conductivity of electron-irradiated hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys.- 1986.- V.59.- P.2590-2591.
[310] Dersch H., Schweizer l., Stuke J. Recombination processes in a-Si:H: Spin-dependent photoconductivity // Phys. Rev. B.- 1983.- V.28.- P.4678-4684.
[311] Katayama M., Morimoto H., Sugawara K. Electron irradiation effects on amorphous silicon solar cells // Phys. Stat. Sol. (a).- 1983.- V.78.- P.K5-K8.
[312] Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Effect of electron irradiation on the dark and photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon // Phys. Rev. B.- 1981.- V.24.- P.7443-7446.
[313] Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Electron irradiation in hydrogenated silicon // J. De Physique.- 1981.- V.42.- P.C4-803 - C4-806.
[314] Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К. Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые Y-облучением // ФТП.- 2002.- Т.36.- С.1001-1005.
[315] Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si:H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП.- 1999.- Т.33.- С.464-467.
[316] Аблова М.С., Куликов Г.С., Першева С.К. Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния // ФТП.- 1998.- Т.32.- С.245-248.
[317] Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников.- Л.:Наука, 1972.¬103с.
[318] Брыксин В.В., Дьяконов М.Н., Ханин С.Д. Анализ характера прыжковой проводимости по частотной зависимости тангенса угла потерь // ФТТ.- 1982.- Т.23.- С.1516-1519.
[319] Астр

Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.



Подобные работы

Заказать работу

Заявка на оценку стоимости

Это краткая форма заказа. После ее заполнения вы перейдете на полную форму заказа работы

Каталог работ (148253)

Новости

06.01.2018 Помощь студентам и аспирантам в выполнении работ от наших партнеров Помощь студентам и аспирантам в выполнении работ от наших партнеров

Помощь в выполнении учебных и научных работ на заказ ОФОРМИТЬ ЗАКАЗ

дальше

»» Все новости

Заказать работу

Заявка на оценку стоимости

Это краткая форма заказа. После ее заполнения вы перейдете на полную форму заказа работы

Заказать диплом

Приглашаем авторов студенчесчких работ


©2024 Cервис помощи студентам в выполнении работ
.