Тема: Квантовая электрическая емкость
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 4
РАВНОВЕСНАЯ КВАНТОВАЯ ЕМКОСТЬ 5
2D СЛУЧАЙ 6
1D СЛУЧАЙ 7
ФИЗИЧЕСКОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ О КВАНТОВОЙ ЕМКОСТИ 11
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ЕМКОСТЬ В ДВОЙНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ 15 ЗАРЯДНЫЙ КУБИТ 19
ТЕОРИЯ 20
РЕЗУЛЬТАТЫ 24
1. Пределы медленной и быстрой релаксации 24
2. Промежуточный Режим Релаксации 25
ПРОЯВЛЕНИЯ КВАНТОВОЙ ЕМКОСТИ В ГРАФЕНЕ 28
ИЗМЕРЕНИЯ И ПРИБОРЫ 30
DOS С НУЛЕВЫМ ПОЛЕМ 33
КВАНТОВАЯ ЕМКОСТЬ И ЗАЗОРЫ В ВЫСОКИХ ПОЛЯХ 37
ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ СЖИМАЕМОСТЬ 41
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 44
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 45
📖 Введение
Наше обсуждение сосредоточено в первую очередь на случае 1D, для которого мы используем полевой транзистор из углеродных нанотрубок (CNFET) в качестве модельного устройства, хотя результаты одинаково хорошо применимы к другим типам 1D полупроводников. Двумерный случай обсуждался в разделе 1 и включен здесь только для иллюстрации ключевых различий.
Получены выражения равновесия, и они расширены для охвата двух крайностей в неравновесной характеристике, а именно фазово-когерентного и фазово-некогерентного переноса. В первом случае волновая функция может интерферировать сама с собой и может создавать резонансы в зависимости от структуры устройства. Это приводит к тому, что заряд и квантовая емкость становятся сильными функциями длины полупроводника. В последнем случае такой тип резонанса не допускается, и квантовая емкость более однородна. Наконец, мы покажем, как квантовая емкость влияет на транскондуктивность CNFET, где выражение Ландауэра может быть использовано для вычисления тока. [4]
✅ Заключение
1. Квантовая электрическая емкость играет существенную роль в материалах с пониженной размерностью, а также в приборах на их основе.
2. На основе квантовой электрической емкости может быть построен зарядовый кубит, являющийся перспективной концепцией в рамках квантовых вычислений и квантовых приборов.
3. Квантовая емкость и ее свойства могут быть использованы для исследования свойств материалов с пониженной размерностью.
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
