РЕФЕРАТ 2
ВВЕДЕНИЕ 7
1 Литературный обзор 8
1.1 Особенности строения и свойств гексаферрита бария 8
1.1.1 Строение гексаферрита бария 8
1.1.2 Магнитные свойства гексаферрита бария 10
1.1.3 Химические свойства гексаферрита бария 14
1.2 Методы получения гексаферрита бария 15
1.3 Влияние на строение и свойства гексаферрита бария 17
различных допантов 17
1.3.1 Допирование одним допантом 17
1.3.2 Допирование несколькими допантами 20
1.3.3 Допирование титаном в чистом виде и совместно с другими
ионами 22
1.4 Электрохимические методы исследования полупроводниковых
материалов 25
1.4.1 Классификация методов 25
1.4.2 Циклическая вольтамперометрия 25
1.4.3 Особенности электрохимического поведения 31
полупроводниковых материалов 31
2 Экспериментальная часть 32
2.1 Методика снятия вольтамперограмм 32
2.2 Оборудование, реактивы, приготовление растворов 34
2.3 Получение BaFe12-2xTixO19 34
3 Обсуждение результатов 34
3.1 Общие закономерности электрохимического поведения 34
гексаферрита бария, частично замещенного титаном 34
3.1.1 Типичные вольтамперограммы незамещенного и замещенного
титаном гексаферрита бария 35
3.1.2 Изучение природы стадии, контролирующей скорость
процессов, соответствующих анодному и катодному пикам 38
3.1.3 Оценка природы образования анодных продуктов 41
3.2 Изменение электрохимической активности частично замещенного
гексаферрита бария с увеличением степени замещения 42
3.3 Сравнение электрохимического поведения частично замещенного
гексаферрита бария в кислой и нейтральной средах 43
Выводы 46
Библиографический список 47
ABSTRACT 54
Интерес к гексаферриту бария BaFei2Oi9, открытому в середине 20 века, остается повышенным благодаря его уникальным структуре и свойствам. Для этого материала характерны высокая анизотропия физико-химических свойств, коррозионная и химическая стойкость, высокие значения температуры Кюри и намагниченности насыщения.
Функциональные характеристики гексаферрита бария делают его востребованным для изготовления магнитных и магнитооптических устройств, а также элементов устройствах электроники сверхвысоких частот (ферритовые поглотители электромагнитных волн, антенны, сердечники, элементы памяти) [1-4]. В связи с этим растет актуальность получения легированных материалов на основе гексаферрита.
Однако, изучение на глубоком уровне магнитных свойств чистого гексаферрита бария и гексаферрита бария допированного титаном не дает полных представлений о его свойствах как о материале.
В настоящее время почти нет работ, посвященных электрохимии и коррозии гексаферритов, как и в целом, область электрохимии сложных оксидных полупроводников до сих пор остается «белым пятном», хотя востребованность данных материалов неизбежно повышает запрос на их всестороннее изучение.
В связи с вышесказанным изучение электрохимического поведения систем на основе гексаферрита бария представлялось актуальным.
Обнаружено, что допирование гескаферрита бария титаном резко увеличивает (примерно в 100 раз) электрохимическую активность образцов.
Направление поляризации образцов почти не сказывается на их электрохимической активности.
Процессы, имеющие место при потенциалах анодного и катодного пиков контролируются смешанно, с преобладанием диффузионного контроля.
Окисление образцов при потенциале анодного максимума происходит по фазовому механизму.
В интервале составов, соответствующем степени замещения по титану 0...1 электрохимическая активность образцов растет, тогда как при большей степени замещения падает. Скорее всего это связано с тем, что в данной области составов появляется вторая фаза, не регистрируемая с должной точностью методом РФА.
