🔍 Поиск работ

Исследование размерных эффектов электросопротивления в тонких пленках полуметаллов

Работа №208330

Тип работы

Дипломные работы, ВКР

Предмет

физика

Объем работы53
Год сдачи2020
Стоимость4340 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
3
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ОГЛАВЛЕНИЕ 6
ВВЕДЕНИЕ 7
ГЛАВА 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ
РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ В ТОНКИХ ПЛЕНОКАХ ПОЛУМЕТАЛЛОВ .... 9
§1.1 Явления переноса электрического заряда в тонких пленках полуметаллов. 9
§1.2 Размерные эффекты в тонких пленках полуметаллов 12
Выводы к главе 1 18
ГЛАВА 2 ПОЛУЧЕНИЕ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
ПОЛУМЕТАЛЛОВ 19
§2.1 Методы получения тонких плёнок полуметаллов 19
§2.2 Влияние технологических режимов напыления на качество тонких пленок висмута 23
§2.3 Методы контроля толщины тонких пленок висмута 25
§2.4 Методы исследования электрического сопротивления тонких пленок полуметаллов 27
§2.5 Особенности морфологии поверхности тонких плёнок висмута 29
Выводы к главе 2 33
ГЛАВА 3 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ВИСМУТА 34
§3.1 Исследование морфологии тонких плёнок висмута 34
§3.2 Аттестация плёнок висмута 36
§3.3 Зависимость удельного сопротивления плёнок висмута от толщины 39
§3.4 Зависимость поверхностного сопротивления плёнок висмута от температуры 42
ГЛАВА 4 ЧИСЛЕННАЯ ОЦЕНКА РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ В ТОНКИХ
ПЛЁНКАХ ВИСМУТА 44
§4.1 Численная оценка коэффициента зеркальности в тонких плёнках висмута. 44
§4.2 Численная оценка длины свободного пробега в тонких плёнках висмута . 45
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 47
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 48


Актуальность работы связана с изменением физических свойств веществ при переходе веществ от объёмных кристаллов к тонким плёнкам.
Изменение физических свойств вещества, находящегося в виде тонкой плёнки в значительной мере обусловлено влиянием размерных эффектов. На явления переноса электрического заряда в тонких плёнках оказывают влияние: классический и квантовый размерные эффекты. Определение влияния и вклада каждого из этих эффектов — представляет собой востребованную и сложную задачу.
Размерный эффект — изменение в свойствах материала объекта, когда хотя бы одно из линейных измерений этого объекта оказывается сравнимым с характерной длиной какого-либо физико-химического процесса в материале. Примерами таких характерных длин являются длина волны де Бройля и длина свободного пробега электронов.
Исследование структуры получаемых пленок в зависимости от технологических условий их получения, исследование электрических свойств тонких плёнок полуметаллов в зависимости от толщины плёнки является актуальной задачей.
Полуметаллы — наиболее подходящие объекты для изучения размерных эффектов в тонких пленках. К полуметаллам относят: кремний, бор, германий, мышьяк, сурьму, теллур, а также висмут и углерод (полоний, астат, олово и фосфор). В качестве основного объекта исследований в данной работе, из полуметаллов, был выбран висмут. Тонкие пленки висмута обладают уникальными электронными свойствами такими как: малая эффективная масса основных носителей заряда, большая длина свободного пробега и высокая подвижность электронов. Уникальность свойств тонких пленок висмута, и технологичность их получения, больше всего подходят для изучения размерных эффектов электросопротивления.
Рассмотрим две основные причины изменение физических свойств вещества находящегося в виде тонкой плёнки.
Первая причина это разнообразность структуры пленки. В зависимости от технологии получения пленки можно получить структуру от мелкодисперсной до монокристаллической, при этом каждая структура будет обладать своими специфическими свойствами.
Вторая причина, это уменьшение толщины пленки до толщины сравнимой с длиной свободного пробега основных носителей заряда, что приводит к возникновению размерных эффектов. Размерные эффекты оказывают влияние на большинство физических явлений, наблюдаемых в тонких плёнках, но при этом проявляются в разных веществах с разной степенью. Например при близости толщины плёнки и длины свободного пробега электрона, размерный эффект начинает влиять на электропроводность пленки.
Для исследования физических свойств тонких плёнок висмута, в представленной работе был выбран следующий диапазон толщин плёнок: от области проявления классического размерного эффекта (250 нм) до области возможного проявления квантового размерного эффекта (10нм).


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Методом электронно-лучевого распыления кристаллов висмута в безмаслянном вакууме, на стекле, получена серия однородных образцов тонких пленок висмута толщиной от 10 до 250 нм.
Определен оптимальный технологический режим получения пленок висмута. Произведена аттестация образцов на однородность пленки, различными методами и выбран оптимальный технологический процесс получения пленок.
Исследования поверхности пленок висмута показали, что пленка состоит из кристаллов гексагональной формы с осью симметрии перпендикулярной поверхности подложки. Нижняя часть пленки такая же гладкая как подложка, а верхняя поверхность имеет выраженный рельеф, образованный растущими кристаллами в виде пирамид и шестиугольников.
Характер зависимостей средней шероховатости поверхности и средней высоты фигур роста от толщины плёнки висмута на слюдяной подложке установлен как близкий к линейному. Установлено возрастание отношения средней высоты фигуры роста к толщине плёнки для плёнок толщинами меньше 40 нм по сравнению с плёнками больших толщин.
Произведена оценка длинны свободного пробега электронов в пленке висмута Хп=360 нм, что на много меньше чем у объемного кристалла. Это можно объяснить проявлением классического размерного эффекта, пленка представляет собой поликристалл с множеством межкристальных границ, на которых также происходит рассеяние носителей заряда схожее с рассеянием на поверхности.
В ходе работы были разработаны способы повышения качества пленок, но для их проверки и оптимизации требуется модернизация установки тор500.
Изучение процесса роста плёнок, проводимого непосредственно во время напыления.



[1] Троицкий, А.А. Структура и свойства углеродных пленок, полученных электронно-лучевым распылением в вакууме / А.А. Троицкий, В.М Бе-резин, В.С. Лукашев // Вестник Южно-Уральского университета. Серия: «Математика. Механика. Физика». - 2012. - № 34. - С. 130-137.
[2] Троицкий, А.А. Электрические и оптические свойства углеродных пленок, осажденных электронно-лучевым методом / А.А. Троицкий, В.М. Березин,
B. С. Лукашев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 15-19.
[3] Иванов Г. А. Физические свойства полуметаллов типа висмута / Г. А. Иванов, В. М. Грабов // Физика и техника полупроводников. — 1995. — Т. 29, №. 5. — С. 1040.
[4] Эдельман В. С. Свойства электронов в висмуте / В. С. Эдельман // Успехи физических наук. — 1997. — Т. 123, №. 2.— С. 257-287.
[5] Hofmann P. The surfaces of bismuth: Structural and electronic properties / P. Hofmann // Prog. Surf. Sci. —2006.— Vol. 81, № 5. — P. 191-245.
[6] Комник Ю. Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты / Ю. Ф. Комник // Москва: Атомиздат, 1979. — 262 с.
[7] Грабов В. М. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в тонких пленках висмута и сплавах висмут-сурьма : Монография / В. М. Грабов, В. А. Комаров, Е. В. Демидов // Санкт-Петербург: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2011. — 124 с.
[8] Молин В. Н. Квантовый размерный переход полуметалл-полупроводник в сверхтонких пленках висмута / В. Н. Молин, В. И. Петросян, П. А. Скрипкина, Б. А. Тавгер, Э. И. Догнман, М. Д. Блох // Письма в ЖЭТФ . — 1971. — Т. 14.—C.323-326.
[9] Rogacheva E. I. Semimetal-semiconductor transition in thin Bi films / E. I. Rogacheva, S. G. Lyubchenko, M. S. Dresselhaus // Thin Solid Films . — 2008. — Vol. 516, no. 10. — P. 3411-3415.
[10] Hoffman C. A. Semimetal-to-Semiconductor Transition in Bismuth Thin-Films / C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, A. Divenere, X. J. Yi, C. L. Hou, H. C. Wang, J. B. Ketterson, G. K. Wong // Phys. Rev. B . — 1993. — Vol. 48, no. 15. — P. 11431-11434.
[11] Михайличенко Т. В. Условия получения и электрические свойства пленок висмута : дисс. канд. физ.-мат. наук. / Т. В. Михайличенко; науч. рук. Иванов Г. А., ЛГПИ им. А. И. Герцена // Ленинград, 1973. — 293 с.
[12] Asahi H. Quantum size effect in thin bismuth films / H. Asahi, T. Humoto, A. Kawazu // Phys. Rev. B . — 1974. — Vol. 9, no. 8. — P. 3347-3356.
[13] Грабов В. М. Физика полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе: Учебное пособие / В. М. Грабов, В. А. Комаров, И. И. Худякова, Т. А. Яковлева // Санкт-Петербург: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2001. — 293 с.
[14] Chang J. Microstructure and magnetoresistance of sputtered bismuth thin films upon annealing / J. Chang, H. Kim, J. Han, M. H. Jeon, W. Y. Lee // J. Appl. Phys . — 2005. — Vol. 98, no. 2. — P. 23906-1-23906-7.
[15] Минайчев В. Е. Нанесение пленок в вакууме / В. Е. Минайчев // Москва: Высшая школа, 1989. — 110 с.
[16] Огрин Ю. Ф. О наблюдении квантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута / Ю. Ф. Огрин, В. Н. Луцкий, М. И. Елинсон // Письма в ЖЭТФ . — 1966. — Т. 3, №. 3— С. 114-118.
[17] Boffoue M. O. Structure and transport properties of polycrystalline Bi films / M. O. Boffoue, B. Lenoir, A. Jacquot, H. Scherrer, A. Dauscher, M. Stolzer, // J. Phys. Chem. Solids . — 2000. — Vol. 61, no. 12. — P. 1979-1983.
[18] Грабов В. М. Атомно-силовая микроскопия пленок висмута / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров // ФТТ . — 2008. — Т. 50, №. 7. — С. 1312-1316.
[19] Грабов В. М. Особенности структуры пленок висмута, полученных методом термического испарения в вакууме / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В.
А. Комаров, М. М. Климантов, Д. Ю. Матвеев, С. В. Слепнев, Е. В. Усынин, Е. Е. Христич, Е. В. Константинов // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена . — 2009. — Вып. 95. — С. 105-120.
[20] Грабов В. М. Атомно-силовая микроскопия декорированных оксидированием дефектов пленок висмута / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров, М. М. Климантов // ФТТ . — 2009. — Т. 51, №. 4. — С. 800-02.
[21] Грабов В. М. Оптимизация режимов термического осаждения в вакууме пленок висмута при контроле их дефектности методом атомно-силовой микроскопии / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров // ФТТ . —2010. —Т 52, №. 6. —С. 1219-222.
[22] Ramadan A. A. Size-dependent structural characteristics of thin bismuth films
/ A. A. Ramadan, A. M. El-Shabiny, N. Z. El-Sayed // Thin Solid Films . —1992. — Vol. 209, no. 1. —P. 32-7.
[23] MacDonald D. K. C. Influence of a Magnetic Field on the Size-Variation of Electrical Conductivity / D. K. C. MacDonald // Nature . — 1949. — Vol. 163. — P. 637-637.
[24] Sondheimer E. H. The mean free path of electrons in metals / E. H. Sondheimer // Adv. Phys. . — 1952. — Vol. 1, no. 1. — P. 1-42.
[25] Thomson J. J., On the theory of electric conduction through thin metallic films
/ J. J. Thomson // Math. Proc. Cambridge Philos. Soc. . — 1901. — Vol. 11. — P. 120-123.
[26] Займан Д. М. Электроны и фононы. Теория явлений переноса в твердых телах / Д. М. Займан // Москва: Издательство иностранной литературы, 1962. — 488 c.
[27] Mayadas A. F. Electrical-Resistivity Model for Polycrystalline Films: the Case of Arbitrary Reflection at External Surfaces / A. F. Mayadas, M. Shatzkes // Phys. Rev. B . — 1970. — Vol. 1, no. 4 — P. 1382-1389.
[28] Sambles J. R. The resistivity of thin metal films-Some critical remarks / J. R. Sambles // Thin Solid Films . — 1938. — Vol. 106, no. 4. — P. 321-331.
[29] Steinhogl W. Size-dependent resistivity of metallic wires in the mesoscopic range / W. Steinhogl, G. Schindler, G. Steinlesberger, M. Engelhardt // Phys. Rev. B . — 2002. — Vol. 66, no. 7. — P. 1-4.
[30] Golin S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach / S. Golin // Phys. Rev. — 1968. — Vol. 166, no. 3. — P. 643-651.
[31] Gonze X. First-principles study of As, Sb, and Bi electronic properties / X. Gonze, J. P. Michenaud, J. P. Vigneron // Phys. Rev. B .— 1990. — Vol. 41, no. 17. — P. 11827-11836.
[32] Xu J. H. Tight-binding theory of the electronic structures for rhombohedral semimetals/ J. H. Xu, E. G. Wang, C. S. Ting, W. P. Su // Phys. Rev. B . — 1993. — Vol. 48, no. 23. — P. 17271-17279.
[33] Koitzsch C. Growth of thin Bi films on W (110) / C. Koitzsch, M. Bovet, F. Clerc, D. Naumovic, L. Schlapbach, P. Aebi // Surf. Sci. . — 2003. — Vol. 527, no. 1-3. — P. 51-56.
[34] Marom H. The contribution of grain boundary scattering versus surface scattering to the resistivity of thin polycrystalline films / H. Marom, M Ritterband, M. Eizenberg // Thin Solid Films . — 2006. — Vol. 510, no. 1-2. — pp. 62-67.
[35] Gerber R. Etude de la conductivite des couches minces de bismuth / R. Gerber, J.-L. Mayeur // Comptes rendus Hebd. des seances l’Academie des Sci. Serie B, Sci. Phys. — 1969. — Vol. 268. — P. 881-884.
[36] Брант Н. Б. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа / Н. Б. Брант, Р. Мюллер, Я. Г. Пономарев // ЖЭТФ . — 1976. — Т. 71, №. 6(12). —С. 2268- 2277.
[37] Пономарев Я. Г. Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах : дисс. ... докт. физ.-мат. наук. / Пономарев Я. Г. // Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордено Трудового Красного Знамени государственный университет им. М. В. Ломоносова. —Москва, 1983. —605 с.
[38] Matula R. A. Electrical resistivity of copper, gold, palladium, and silver / R. A. Matula // J. Phys. Chem. Ref. Data . — 1979. — Vol. 8, no. 4. — P. 1147-1298.
[39] Angadi M. A. Some transport properties of transition metal films / M. A. Angadi // Journal of Materials Science . — 1985. — Vol. 20, no. 3. — P. 761-796.
[40] Pariset C. L’adsorption du bismuth sur des films minces d’or etudiee par variation de resistance electrique / C. Pariset, J. P. Chauvineau // Surf. Sci. — 1976. — Vol. 57, no. 1. — P. 363-374.
[41] Oksanen M. Annealing study of bismuth thin films : Master Thesis / M. Oksanen // University of Jyvaaskylaa, 2010. —38 p.
[42] Kumari L. Effects of deposition temperature and thickness on the structural properties of thermal evaporated bismuth thin films / L. Kumari, S.- J. Lin, J.-H. Lin, Y.-R. Ma, P.-C. Lee, Y. Liou // Appl. Surf. Sci. . — 2007. —Vol. 253, no. 14. —P. 5931-938.
[43] Комаров В. А. Исследование кинетических свойств пленок висмута на различных подложках : дисс. ... канд. физ.-мат. наук. / В. А. Комаров; науч.рук. Г. А. Иванов ЛГПИ им. А. И. Герцена. —Ленинград, 1989. — 117 с.
[44] Грабов В. М. Использование метода зонной перекристаллизации под покрытием для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма / В. М. Грабов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, Е. В. Демидов, А. Н. Крушельницкий // Письма в ЖТФ . — Т. 41, вып. 1. — С. 20-27.
[45] Каблукова Н. С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в мо нокристаллических пленках системы висмут-сурьма : дисс. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Н. С. Каблукова; науч. рук. В. М. Грабов; РГПУ им. А. И. Герцена. — Санкт-Петербург, 2015. — 147 с.
[46] Грабов В. М. Методика получения и структура монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, А. Н. Крушельницкий, Д. Маркушевс // Термоэлектрики и их применения. Доклады Межгосударственной конференции 2014 (ноябрь 2014) . — 2015. — C. 138-143.
[47] Грабов В. М. Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях в пленках висмута, легированного теллуром /В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров, Д. Ю. Матвеев, А. А. Николаева, Д. Маркушевс, Е. В. Константинов, Е. Е. Константинова // ФТП . — 2014. — Т. 48, № 5. — С. 648-653.
[48] Pariset C. Effet dimensionnel classique dans des couches minces de bismuth et d’antimoine / C. Pariset // Thin Solid Films . — 1982. — Vol. 91, no. 4. — P. 301-320.
[49] Konczak S. Some electrical properties and structural investigations of thin bismuth films evaporated in a high vacuum / S. Konczak, S. Kochowski, Z. Ziolowski // Thin Solid Films . — 1973. — Vol. 17, no. 2. — P. 199- 205.
[50] Комаров В. А. Кинетические явления и структура пленок висмута / В. А. Комаров, М. М. Климантов, М. М. Логунцова, С. Н. Пылина, Е. В. Демидов // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена . — 2006. — Т. 6, вып. 15. — С. 131-143.
[51] Грабов В. М. Явления переноса в монокристаллических пленках висмута /
В. М. Грабов, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, М. М. Климантов // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена . — 2010. — Т. 122. — С. 22-31.
[52] Грабов В. М. Ограничение подвижности заряда в пленках висмута, обусловленное их блочной структурой / В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования . — 2011. — №. 2. — С. 81-85.
[53] Бурчакова В. И. Исследование структуры и физические свойства тонких пленок висмута в зависимости от условий конденсации : дисс. канд. физ.-мат. наук / В. И. Бурчакова. — Кишинёв, 1973. — 130 с.
[54] Комник Ю. Ф. Наблюдение квантового и классического размерных эффектов в поликристаллических тонких пленках висмута / Ю. Ф. Комник, Е. И. Бухштаб // ЖЭТФ . — 1698. — Т. 54, №. 1. — С. 63-68.
[55] Komnik Y. F. Kinetic properties of electrons in bismuth thin films / Y. F. Komnik, V. V. Andrievsky // Thin Solid Films . — 1977. — Vol. 42, no 1. — P. 1-6.
[56] Комник Ю. Ф. Кинетические свойства тонких плёнок висмута / Ю. Ф. Комник, В. В. Андриевский // Физика низких температур . — 1975. — Т. 1. —
С. 104-109.
[57] Комник Ю. Ф. Спин-орбитальное взаимодействие в плёнках висмута алой толщины / Ю. Ф. Комник, И. Б. Беркутов, В. В. Андриевский // Физика низких температур . — 2005. — Т. 21, №. 3/4. — С. 429-435.
[58] Палатник Л. С. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок // Л. С. Палатник, М. Я. Фукс, В. М. Косевич. — Москва: Наука, 1972.
— 320 с.
[59] Крушельницкий А. Н. Особенности структуры и гальваномагнитных
свойств пленок висмута, полученных в сверхвысоком вакууме / А. Н. Крушельницкий // ФизикА.СПб-2013 : материалы международной
молодёжной конференции. — СПб., 2013. — С. 82-85.
[60] Старицын М. В. Кристаллографическое картирование тонких пленок висмута на различных подложках методом дифракции отраженных электронов в РЭМ / М. В. Старицын, А. Н. Крушельницкий, Е. К. Иванова, В. П. Пронин, Е. В. Демидов // Пленки и покрытия-2015 : труды 12-й международной конференции 19 мая - 20 мая 2015. — СПб., 2015. — С. 135-138.
[61] Лобанов М. Л. Методы исследования текстур в материалах : учебно-методическое пособие / М. Л. Лобанов, А. С. Юровских, Н. И. Кардонина, Г. М. Русаков. — Екатеринбург: ИздательствоУральскогоуниверситета, 2014.—115 с.
[62] Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учебное пособие для студентов старших курсов вузов / В. Л. Миронов. — Н. Новгород: Техносфера, 2009. — 143 с.
[63] Мошников В. А. Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики: учебное пособие / В. А. Мошников. — Изд-во СПбГЭТУ, 2009.
— 78 с.
[64] Дедкова Е. Г. Приборы и методы зондовой микроскопии / Е. Г. Дедкова, А. А. Чуприк, И. И. Бобринецкий, В. К. Неволин. — Москва, 2011. — 159 с.
[65] Крушельницкий А. Н. Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления / Е. В. Демидов, В. А. Комаров, А. Н. Крушельницкий, А. В. Суслов // ФТП . — 2017. — Т. 51, вып. 7. — С. 877-879.
[66] Купреенко С. Ю. Определение толщин ультратонких поверхностных плёнок в наноструктурах по энергетическим спектрам отражённых электронов / С. Ю. Купреенко, Н. А. Орликовский, Э. И. Рау, А. М. Тагачен-
ков, А. А. Татаринцев // Журнал технической физики . — 2015. — Т. 85, вып. 10. — С. 101-104.
[67] Крушельницкий А. Н. Структура поверхности и удельное электрическое
сопротивление тонких блочных плёнок висмута на различных подложках (температурный интервал 5-100 К) / А. Н. Крушельницкий // Международная зимняя школа по физике полупроводников 2015 : Научные сообщения
молодых ученых (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН). — 2015. — С. 44-45.
[68] Палатник Л. С. О наращивании монокристальных слоев на висмуте методом вакуумной конденсации / Л. С. Палатник, В. М. Косевич, В. М. Москалев // Физика металлов и металловедение . — 1963. — Т. 16, №. 3. — С. 403-408.
[69] Крушельницкий А. Н. Зависимость морфологии поверхности ультратонких пленок висмута на слюдяной подложке от толщины пленки / А. Н. Крушельницкий, Е. В. Демидов, Е К. Иванова, Н. С. Каблукова, В. А. Комаров // ФТП . — 2017. — Т. 51, Вып. 7. — С. 914-916.
[70] Крушельницкий А. Н. Особенности структуры и гальваномагнитных свойств ультратонких плёнок висмута в температурном диапазоне 77- 320 К / А. Н. Крушельницкий, В. М. Грабов, Е. В. Демидов, Н. С. Каблукова, В. А. Комаров // Тезисы докладов международной молодёжной конференции ФизикА.СПб 1-3 ноября 2016 года . — 2016. — С. 110-111.
[71] Krushelnitckii A. N. The Galvanomagnetic Properties of Bismuth Films with
Thicknesses of 15-150 nm on Mica Substrates / V. M. Grabov, V. A. Komarov, E. V. Demidov, A. N. Krushelnitckii, N. S. Kablukova // Университетский научный журнал . — 2017. — №. 27. — P. 56-68.
[72] Abou El Ela A. H. Electrical conduction of thin bismuth films / A. H. Abou El Ela, S. Mahmoud, M. A. Mahmoud // Acta Phys. Acad. Sci. Hungaricae . — 1982. — Vol. 52, no. 2. — P. 143-151.
[73] Иванов Г. А. Влияние дефектов структуры на гальваномагнитные явления в плёнках висмута / Г. А. Иванов, В. М. Грабов, Т. В. Михайличенко // ФТТ . — 1973. — Т. 15, №. 2. — С. 573-575.
[74] Крушельницкий А.Н. Влияние размерных эффектов на гальваномагнитные явления в тонких плёнках висмута : дисс. канд. физ.-мат. наук. / 01.04.07 "физика конденсированного состояния" / А.Н. Крушельницкий; науч. рук. Грабов В. М. // Санкт-Петербург, 2017. — 152 с.
75. К.С. Напольский, А.В. Лукашин, А.А. Елисеев. Кластеры и наноструктуры. // МГУ им. М.В.Ломоносова, Москва, 2007.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2026 Cервис помощи студентам в выполнении работ