🔍 Поиск работ

ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОММУТИРУЕМЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ

Работа №206892

Тип работы

Дипломные работы, ВКР

Предмет

информационные системы

Объем работы80
Год сдачи2020
Стоимость4360 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
8
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 10
1 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ ОБЗОР
1.1 Типы ФВР СВЧ диапазона 12
1.2 Методы расчета ФВР 14
1.3 Дискретный ФВР. Основные элементы 15
1.4 Полупроводниковый pin-диод. Характеристики и
параметры 18
1.5 ФВР в составе ФАР 22
2 АНАЛИЗ СУЩЕСТВУЮЩИХ МЕТОДОВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ДИНАМИЧЕСКИХ СИСТЕМ
2.1 Основные понятия моделирования 26
2.2 Технологии моделирования 27
2.3 Моделирование методом матриц рассеяния 30
3 МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ТЕКУЩЕГО ЦИКЛА
3.1 Обзор технологии визуально-ориентированного
программирования 33
3.2 Обзор рынка технологий визуально-ориентированного
программирования 34
3.3 Формулировка требований к среде разработки 35
4 АНАЛИЗ И МОДЕЛИРОВАНИЕ КОММУТИРУЕМЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ
4.1 Основные проблемы и постановка задачи 38
4.2 Моделирование дискретного ФВР 38
4.3 Моделирование вносимого импеданса pin-диода 43
4.4 Моделирование ФАР 46
5 РАСЧЕТ КОММУТИРУЕМЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ
5.1 Расчет характеристик pin-диода 50
5.2 Расчет дискретного ФВР, в условиях исправности pin-диодов 55
5.3 Расчет дискретного ФВР, в условиях неисправностей pin-диодов 66
5.4 Расчет ДН ФАР для различных состояний ФВР 69
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 81
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 82
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ А 86
ПРИЛОЖЕНИЕ Б 87
ПРИЛОЖЕНИЕ В 88
ПРИЛОЖЕНИЕ Г 89
ПРИЛОЖЕНИЕ Д 90
ПРИЛОЖЕНИЕ Е 91
ПРИЛОЖЕНИЕ Ж 96
ПРИЛОЖЕНИЕ И 98


Класс управляющих СВЧ устройств, предназначенных для управления амплитудой и фазой СВЧ сигнала, находит широкое применение в радиолокации, связи, навигации, измерительных устройствах и других областях науки и техники. Самым массовым из управляющих устройств являются фазовращатели.
Фазовращателем (ФВР) называется устройство, которое используют для изменения фазы проходящей через него электромагнитной волны. Конструктивно ФВР представлять собой блочную структуру коммутирующих между собой одноразрядных ФВР. Каждый блок ФВР может иметь разнообразные реализации в зависимости от дискретности фазовой задержки, ее природы и принципа управления.
На сегодняшний день наиболее популярным типов ФВР СВЧ диапазона являются дискретные ФВР, управляемые pin-диодом. Полупроводниковый pin- диод обладает высокой стабильностью и точностью установки фазы, быстродействием, имеет малые габариты и вес. Для проектирования ФВР необходимо разработать функциональную схему с переключающими диодами, которая будет обеспечивать требуемую дискретность фазовой задержки при минимально вносимых потерях [1, 2].
Точность формирования фазы волны имеет большое значение при формировании диаграмм направленности (ДН) фазированных антенных решеток (ФАР). Нарушение распределения амплитуд и фаз электромагнитной волны в отдельных излучателях приводит к нарушению ДН, что влечет за собой различные радиолокационные ошибки. Основной причиной неправильного формирования фазы ФВР является сбой переключающих элементов.
Развитие аналитических методов анализа и расчета СВЧ устройств с использованием современной техники и программного обеспечения, позволяет осуществить разработку ФВР в виде коммутируемых СВЧ модулей.
Одним из способов расчета СВЧ устройств и оптимизации их разработки как динамической системы является моделирование с применением пакета MATLAB Simulink.
Пакет расширения Simulink системы MATLAB является интерактивно-программным комплексом, который предназначен для математического моделирования линейных и нелинейных динамических систем и устройств, представленных своей функциональной блок-схемой. Данная среда разработки позволяет проводить моделирование как в частотной, так и во временной области. Инструменты расширения Simulink дают возможностью применения событийного управления блоками моделей.
Целью данной работы является в разработка динамической модели четырехразрядного ФВР, которая будет воспроизводить ситуации неправильной работы переключающих элементов. Также необходимо смоделировать работу ФАР при возникновении неисправностей переключающих элементов в составе ФВР. Данные модели позволят провести влияния неисправностей переключающих элементов ФВР на формирование фазо -частной (ФЧХ) и амплитудно-частотной (АЧХ) характеристик, а также влияние распределения амплитуд и фаз на ДН ФАР в случаях возникновения неисправностей переключающих элементов в одном или нескольких ФВР, подключенных к излучателям ФАР.


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


В данной работе была разработана модель блочного четырехразрядного ФВР с дискретом фазы 22.5°. Также была смоделирована работа ФАР в условиях неисправностей управляющих элементов - pin-диодов, в составе фазозадающих ФВР.
Моделирование ФВР производилось методом волновых матриц рассеяния. Программная реализация модели была осуществлена с применением технологий визуально-ориентированного программирования в среде разработки MATLAB Simulink.
В результате моделирования было показано:
1) с увеличением длины коммутирующего шлейфа коэффициент отражения открытого pin-диода увеличивается и начинает приобретать нелинейный характер в зависимости от частоты. Коэффициент отражения закрытого pin-диода слабо зависит от длины коммутирующего шлейфа;
2) увеличение разрядности ФВР увеличивает наклон ФЧХ, но не влияет на АЧХ;
3) увеличение индуктивности pin-диода увеличивает разницу угла поворота фазы от номинального значение на центральной частоте и придает нелинейный характер ФЧХ и АЧХ ФВР ;
4) при возникновении неисправностей pin-диодов в составе ФВР, ФЧХ и АЧХ существенно искажаются;
5) при работе ФВР с неисправными диодами у ДН ФАР увеличивается уровень бокового излучения. Чем больше количество ФВР с неисправными диодами, тем сильнее увеличивается уровень бокового излучения ФАР.



1. Kumar, J., Basu, B., & Talukdar, F. A. (2019). Modeling of a PIN diode RF switch for recon gurable antenna application. ScientiaIranica, 26, 1714-1723.
2. Chaouche, Y. B., Bouttout, F., Messaoudene, I., Pichon, L., Belazzoug, M., Genie, L. De, France, I. De. (2016). Design of Reconfigurable Fractal Antenna using Pin Diode Switch for Wireless Applications. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 31-34.
3. Parners, M., & Vendik, O. (2015). P-i-N diode phase shifter in waveguide structure. Microwave and Optical Technology Letters, 55(11), 2562-2568.
4. Efimov, A. G., Kuptsov, E. O., Martynova, V. P., Spiridonov, A. B., & Surin, Y. V. (2018). Precision Analog-to-Digital Phase Shifter with Phase 0-360° Change of L-Range. Proceedings of Universities. Electronics, 23(3), 285-292.
5. Микрополосковый фазовращатель на основе МДП варакторов / Е.Н. Егоров, Л.К. Жохов, Ю.В. Лебедев и др. // Специальная электроника. Сер. 10. - 1979. - Вып. 2 (6).
6. Лепёхина Т.А., Николаев В.Н. Вопросы синхронизации активного имитатора радиомишеней для испытаний радиолокаторов с синтезированной апертурой // Проблемы разработки перспективных микрои наноэлектронных систем - 2016: сб. тр. / Под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2016. - Ч. 1. - С. 236-239.
7. Patent US 2018/0210147 A1, CPC G02B 6/124. Broadband multifunctional efficient meta - gratings based on dielectric waveguide phase shifters/ Khorasaninejad, M., Capasso, F.; Applicants and Inventors: President and fellows of Harvard college, Cambridge , MA (US). - № 15/745,925; Filed: Aug. 18, 2016; Pub. Date: Jan. 18, 2018.
8. Adam, J. D., Davis, L. E., Dionne, G. F., Schloemann, E. F., & Stitzer, S. N. (2002). Ferrite devices and materials. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 50(3), 721-737.
9. Nan, C.-W., Bichurin, M. I., Dong, S., Viehland, D., & Srinivasan, G. (2008). Multiferroic magnetoelectric composites: Historical perspective, status, and future directions. Journal of Applied Physics, 103(3), 031101.
10. Xu, M., Zhao, H., Ostrikov, K., Duan, M. Y., & Xu, L. X. (2009). Effect of doping with Co and/or Cu on electronic structure and optical properties of ZnO. Journal of Applied Physics, 105(4), 043708.
П.Кочемасов В.Н., Майстренко А.П. СВЧ-переключатели на основе МЭМС // СВЧ-электроника. 2016., № 1 73-77.
12. Pillans B., Eshelman S., Malczewski A., Ehmke J., Goldsmith C. Ka-Band RF MEMS Phase Shifters. IEEE Microwave and Guided Wave Letters. Vol. 9. No. 12. December 1999.
13. Гарвер (1973). Широкополосные фазовращатели на полупроводниковых диодах. Зарубежная радиоэлектроника, 11, 97-113.
14.See, J. H., Md Arshad, M. K., & Fathil, M. F. M. (2017). ESD improvement in P-i-N diode through introducing a lighter and deeper anode junction. International Journal of Nanoelectronics and Materials, 10(2), 157-172.
15.Карлин, В. Э. 180-градусный СВЧ фазовращатель на микрополосковых линиях. - Препринт ИЯФ СО РАН 98-10. Новосибирск, 1998.
16.Орлов, О. С. (1986). Выключатели СВЧ на полевых транзисторах с затвором Шоттки. Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып. 3, 50-54.
17. Петров И.А. (2011) Многоканальные СВЧ-переключатели с полупроводниковыми элементами на основе широкополосных согласующих структур. Физика волновых процессов и радиотехнические системы. Т. 14. № 4, 60-66
18. Неганов, В. А., & Петров, И. А. (2015). Физика волновых процессов и радиотехнические системы СВЧ-устройств с полупроводниковыми элементами. Физика волновых процессов и радиотехнические системы, Т18, № 3, 89-95.
19. Ficher R.F. Brodband Microwave Diode switches // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1965. Vol. MTT-13. № 5. P. 706-709.
20. Петров И.А. Частотные свойства реактивных симметричных четырехполюсников на основе шлейфных структур / Электронный журнал «Журнал радиоэлектроники». М.: ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. 2014, № 1. 21 с.
21. Вендик, О. Г. (1965). Антенны с немеханическим движением луча. Москва, Сов. Радио.
22. Хижа, Г. С., Вендик И. Б., Серебрякова Е.А. (1984). СВЧ фазовращатели и переключатели. Москва, Радио и связь.
23. Вайсблат, А. В. (1975). Прогнозирование параметров и процента выхода полупроводниковых фазовращателей при их производстве. Антенны, 21, 112-119.
24. Кузнецов, В. И., Хижа, Г. С. (1975). Анализ фазовых ошибок дискретного широкополосного pin-диодного фазовращателя. Изветсия ЛЭТИ, 165, 53¬57.
25. Гультяев, А. В. Визуальное моделирование в среде MATLAB: учебный курс - СПб.: Питер, 2000. - 432 с
26. Шалыгин, А. С. Прикладные методы статистического моделирования - Л.: Машиностроение, 1986. - 320 с.
27. Кумунжиев, К. В. Теория систем и системный анализ: учебное пособие - Ульяновск: УлГУ, 2003. - 240 с.
28. Сазонов Д. М., Гридин А.Н., Мишустин Б.А. Устройства СВЧ. - М.: Высшая школа, 1981. - 295 с.
29. Альтман Дж. Устройства сверхвысоких частот: пер. с англ. / под ред. И.В. Лебедева. - М.: Мир, 1968. - 487 c.
30. Дьяконов В. И. (2013). Simulink самоучитель. Москва, ДМК Пресс.
31. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / Под ред. И.В. Мальского, Б.В. Сестрорецкого. М.: Сов. радио,1969. 217 с.
32. Сигорский В.П., Петренко А.И. Алгоритм анализа электронных схем. М.: Сов. радио, 1976. 97 с.
33. Мишустин Б.А. Синтез реактивного многополюсника по заданной матрице рассеяния // Изв. высш. уч. завед. Радиофизика. 1968. Т. X1, № 12. С. 128
34. Maloratsky, L. G. (2004). RF and Microwave Integrated Circuits. Oxford, Elsevier.
35. Сазонов Д. М. Антенны и устройства СВЧ. - М.: Высшая школа, 1988. - 432 с.
36. Бова, Н. Т., Ефремов Ю. Г. (1984). Микроэлектронные устройства СВЧ. Киев, Техника.
37. Французов А. Д. Основы расчета и конструирования излучающих устройств: учебное пособие - Челябинск: ЧПИ, 1981. - 66 с.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2026 Cервис помощи студентам в выполнении работ