🔍 Поиск готовых работ

🔍 Поиск работ

ОПТИМИЗАЦИЯ УСЛОВИЙ ОБЛУЧЕНИЯ И РАЗРАБОТКА УСТАНОВКИ ДЛЯ ЯДЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ В РЕАКТОРЕ ИРТ-Т

Работа №201370

Тип работы

Диссертации (РГБ)

Предмет

электротехника

Объем работы149
Год сдачи2015
Стоимость4310 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
20
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 5
ГЛАВА I. Оборудование и технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния (обзор) 10
1.1. Опыт нейтронно-трансмутационного легирования кремния на
исследовательских реакторах 10
1.1.1. Установка для легирования кремния на реакторе DR3 (Дания) 14
1.2. Действующие современные установки для нейтронно-трансмутационного
легирования кремния 17
1.2.1. Установки на реакторе BR2 (Бельгия) 17
1.2.2. Установка нейтронного легирования на реакторе OPAL (Австралия) 20
1.2.3. Характеристики установки на реакторе OPAL (Австралия) 22
1.2.4. Система обработки слитков на реакторе OPAL (Австралия) 25
1.2.5. Установки нейтронного легирования на реакторе SAFARI-1 (Южная
Африка) 26
1.2.6. Характеристики легированного кремния, полученного на установках
SILIRAD (Южная Африка) 29
1.2.7. Процесс производства легированного кремния 30
1.2.8. Облучение кремния на реакторе FRM II (Германия) 31
1.2.9. Работа полуавтоматической установки облучения 35
1.3. Установки для легирования кремния в России 37
1.4. Уточнение постановки задачи 43
ГЛАВА II. Реактор ИРТ-Т 46
2.1. Исследовательский ядерный реактор ИРТ-Т 46
2.2. Расчёт параметров нейтронного поля 52
2.3. Экспериментальное определение параметров нейтронного поля канала
ГЭК-4 61
ГЛАВА III. Создание алгоритмов движения слитков по зоне облучения 67
3.1. Формирование зоны облучения 67
3.2. Параметры нейтронного поля, требуемые для достижения однородности
облучения 74
3.3. Критерии формирования нейтронного поля при вращении контейнера .... 78
3.4. Аксиальная равномерность облучения 84
3.5. Квазистационарный режим облучения 86
3.6. Аксиальная неравномерность облучения при скачке нейтронного поля ... 89
3.7. Радиальная неравномерность облучения при скачке нейтронного поля .... 91
3.8. Требования к установке для перемещения слитков 93
ГЛАВА IV. Установка нейтронно-трансмутационного легирования кремния на реакторе ИРТ-Т 97
4.1. Оптимизация условий облучения кремния 97
4.2. Расчёт биологической защиты горизонтального канала (ГЭК-4) для
нейтронного легирования кремния фосфором 103
4.2.1. Интегральные плотности потока нейтронов и у-квантов в
горизонтальном торцевом канале реактора 104
4.2.2. Интегральная плотность потока нейтронов и у-квантов, падающих на защиту 109
4.2.3. Расчёт толщины бетона биологической защиты 112
4.3. Описание канала ГЭК-4 и комплекса легирования кремния 115
4.4. Контроль плотности потока тепловых нейтронов 119
4.5. Опыт эксплуатации установки 128
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 138
Список литературы

Актуальность работы.
Современный уровень развития микроэлектроники постепенно выдвигает все более жёсткие требования к качеству и геометрическим размерам полупроводниковых монокристаллов. Лидирующее место по использованию полупроводниковых материалов по-прежнему занимает кремний [4]. Управление их свойствами путём легирования нужными примесями до заданных концентраций является основным технологическим приемом при создании любых приборов твердотельной электроники.
Легирование - процесс введения добавок в полупроводник с целью получения определённых электрофизических свойств. Его можно разделить на два типа: объёмное и поверхностное. В первом случае вводимый элемент статистически распределяется в объёме материала, тогда как во втором он сконцентрирован вблизи поверхности.
Целью легирования является получение вещества с требуемыми электрофизическими характеристиками, такими как электрическая проводимость, характером р- и п- перехода и т.д. Наиболее распространённые легирующие добавки в кремнии - фосфор, мышьяк (проводимость п-типа) и бор (р-типа).
В настоящее время внедрение добавок производится тремя способами: ионной имплантацией, нейтронно-трансмутационным легированием (НТЛ) и термодиффузией, но наиболее однородное распределение по объёму образцов больших размеров можно добиться только применением второго из них. Радиационная технология НТЛ отличается от металлургической или химической тем, что легирующую добавку вводят не извне, а получают из самого облучаемого материала.
Главной операцией, определяющей основные качественные и экономические показатели процесса НТЛ, является облучение слитков кремния тепловыми нейтронами [2].
Таким путём получают кристаллы высокого качества с минимальным разбросом электрофизических характеристик, что очень важно при производстве сверхбольших интегральных схем, тиристоров, транзисторов средней мощности и других полупроводников приборов. При металлургическом способе достичь высокой однородности распределения вводимой примеси очень сложно. Технология НТЛ оказалась самой эффективной для объёмных монокристаллов крупного диаметра из-за большой длины пробега нейтронов в кремнии.
До начала данной работы на реакторе ИРТ-Т несколько лет функционировала установка для легирования образцов диаметром до 4 дюймов и длиной до 500 мм. Её недостатками были низкая производительность и использование нейтронного поля на 50% от максимально возможного. В связи с возросшим спросом на слитки кремния большего диаметра, который имеет большое значение в силовой и микроэлектронике, появилась необходимость создания новой установки, увеличения объёмов выпускаемой продукции, а также повышения её качества. Отсутствие в стране специализированных реакторов, на которых возможно использовать такие технологии, потребовало приспособить для НТЛ действующие исследовательские аппараты.
Кроме того, в настоящее время в развитии полупроводниковой электроники возникла проблема однородности электрических характеристик кремния. Она связанна с разработкой и изготовлением приборов с большой площадью p-n- переходов, в которых наличие локальных флуктуаций электрических характеристик материала могут приводить к электрическому пробою и деградации устройств.
Неоднородность пространственного распределения электрического сопротивления кремния связана с несовершенством процедуры легирования материала. Его разброс по пластине может превышать 10%, что исключает функционирование приборов с большой площадью p-n переходов.
Цель работы: поиск научно-технических решений, практическое создание и внедрение на базе реактора ИРТ-Т установки для нейтронно-трансмутационного легирования слитков кремния больших размеров диаметром до 5 дюймов.
Задачи, которые необходимо решить для достижения поставленной цели:
1) провести расчетным и экспериментальным путями оптимизацию зоны облучения с целью увеличения размера легируемых слитков кремния и достижения мировых стандартов качества НТЛ (разброс у.э.с. по торцу слитка не более 5%, отклонение от номинала легирования не более 7%);
2) разработать алгоритм облучения, позволяющий обеспечить максимально высокую производительность установки;
3) разработать и создать систему мониторирования нейтронного поля для оперативного контроля процесса легирования;
4) произвести расчёт и создать биологическую защиту установки, которая обеспечит дозовые нагрузки на обслуживающий персонал, не превышающие допустимые;
5) разработать и внедрить на базе реактора ИРТ-Т промышленную автоматизированную установку НТЛ слитков кремния, размеры которых (диаметр до 5 дюймов и длина до 700 мм) превышают габариты активной зоны реактора;
6) провести легирование опытной партии слитков монокристаллического кремния.
Научная новизна заключается в следующем.
1. Разработаны принципы проектирования автоматизированной установки для НТЛ слитков кремния большого размера.
2. Разработан алгоритм облучения, позволяющий повысить производительность установки в 2 раза по сравнению с моделью, существовавшей ранее.
Практическая значимость.
Разработана и внедрена в производство установка для НТЛ слитков кремния диаметром до 5 дюймов и длиной до 700 мм с пространственной неоднородностью легирования менее 5% и производительностью до 10 тонн в год на конечный номинал удельного сопротивления 100 Ом-см.
Создана система мониторирования нейтронного поля, позволяющая оперативно контролировать процесс легирования.
Выполнена работа по адаптации активной зоны реактора ИРТ-Т для облучения слитков кремния большого диаметра, позволяющие получать НТЛ кремний высокого качества.
Создан и запущен в эксплуатацию производственный участок, который позволил удовлетворить потребности электротехнической промышленности России и выйти на международный рынок.
Научные положения выносимые на защиту:
1. Разработана и внедрена на базе реактора ИРТ-Т высокопроизводительная автоматизированная установка для нейтронно- трансмутационного легирования слитков кремния диаметром до 5 дюймов, длина которых превосходит размеры активной зоны. Доказана её работоспособность и высокая надёжность.
2. Создан алгоритм облучения слитков, позволяющий найти режимы, при которых можно удвоить её производительность, сохранив электропроводность, соответствующую мировым стандартам.
3. Показано, что бериллий является оптимальным материалом для создания зоны облучения слитков кремния больших размеров в бассейновом реакторе типа ИРТ-Т.
Доказательство достоверности полученных результатов. Полученные результаты носят непротиворечивый характер и взаимно дополняют друг друга. Расчётные данные подтверждены экспериментально. На их основе разработана и внедрена автоматизированная установка для НТЛ кремния. Опыт эксплуатации в течение двух лет показал её высокую надёжность и эффективность. Выход в годность готовой продукции составил практически 100%.
Личный вклад автора состоит в том, что он провёл исследования по оптимизации формы зоны облучения, разработал алгоритм облучения, позволяющий повысить производительность установки, принимал участие в исследованиях нейтронно-физических характеристик зоны облучения, а также в сооружении автоматизированной установки НТЛ на реакторе ИРТ-Т ТПУ.
Апробация результатов работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на: VII, VIII, IX Международных конференциях по ядерной и радиационной физике (Алматы, 2009-2013 гг.), VIII Международной конференции по физико-техническим проблемам получения и использования пучков заряженных частиц, нейтронов, плазмы и электромагнитного излучения (Томск, 2009 г.), III, IV Российских научно-технических конференциях по физико¬
техническим проблемам получения и использования пучков заряженных частиц, нейтронов, плазмы и электромагнитного излучения (Томск, 2009-2010 гг.), V Международной научно-практической конференции по физико-техническим проблемам атомной энергетики и промышленности (Томск, 2010 г.), XIX Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых учёных Современная техника и технологии, International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (Tomsk, 2014).
Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 работ, включая 5 статей в изданиях, рекомендованных ВАК, и 1 патент на изобретение.
Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и приложения. Она изложена на 149 страницах, содержит 35 рисунков, 20 таблиц, 1 приложение и список цитируемой литературы из 100 наименований.
Автор выражает благодарность за подготовку данной работы своему научному руководителю, профессору В.П. Кривобокову, заведующему лабораторией №33 Варлачеву В.А. за консультации по теме, а также сотрудникам реактора ИРТ-Т, помогавшим проводить измерения нейтронных полей аппарата

Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Основные результаты и выводы проделанной работы.
1. Создана и внедрена в эксплуатацию для НТЛ кремния автоматизированная установка на базе горизонтального экспериментального канала ГЭК-4 на исследовательском ядерном реакторе ИРТ-Т, которая позволяет проводить легирование слитков кремния диаметром до 130 мм и длиной до 750 мм.
2. Исследованы замедляющие способности различных материалов. В качестве замедлителя выбран бериллий, так как он имеет наиболее оптимальные параметры для формирования поля тепловых нейтронов в бассейновом реакторе ИРТ-Т. Это в свою очередь позволило оптимизировать существующую зону облучения для легирования слитков кремния больших размеров.
3. Измерены нейтронно-физические характеристики поля в горизонтальном экспериментальном канале ГЭК-4. Сформирована зона облучения для легирования кремния. Получены следующие характеристики нейтронного поля: доля тепловых нейтронов в спектре - 73%, спектральный коэффициент - 106, эффективная температура тепловых нейтронов - 3370 К, максимальная плотность потока тепловых нейтронов - 1,5-1013 см-2-с-1, средняя (по зоне сканирования длиной 180 см) плотность потока тепловых нейтронов - 4,1-1012 см-2-с-1. Полученные результаты легли в основу методики проектирования автоматизированной установки для нейтронного трансмутационного легирования кремния на реакторе ИРТ-Т.
4. Для контроля флюенса нейтронов разработана система мониторирования на основе ионизационных камер типа КтВ-4. Пять из них располагаются непосредственно над экспериментальным каналом и контролируют распределение плотности потока тепловых нейтронов в нём. Ещё две таких же установлены в глубине бериллиевой сборки и откалиброваны на среднее значение плотности потока нейтронов с той же энергией.
5. Разработана конструкция биологической защиты. Расчётным путём показано, что для установки НТЛ кремния при мощности реактора 6 МВт достаточно защиты из тяжёлого бетона толщиной 75 см. Это позволило снизить дозовые нагрузки на работающий в зале персонал до допустимых значений.
6. Разработан алгоритм облучения, при котором возвратно¬поступательно перемещают не один, а два контейнера. По мере выхода из рабочей части зоны одного из них на его место поступает второй, т.е. зона облучения всегда заполнена кремнием. Этот алгоритм позволяет удвоить производительность установки.
7. Результаты испытаний показали, что обработанный материал не уступает мировым стандартам качества. Производительность установки НТЛ составляет 10 т в год на номинал 100 Ом-см.
На установке постоянно выполняются хоздоговоры и контракты по легированию слитков кремния для Российских и зарубежных компаний.



1. Колин Н.Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46. - № 6. - С. 12-20.
2. Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. - Новосибирск: Наука, 1981. - 175 с.
3. Соловьев С.П., Харченко В.Л. Радиационное легирование кремния // Известия АН СССР. Серия Неорганичексие материалы. - 1971. - Т. 7. - № 12. - С. 743.
4. Производство нейтронно-легированного полупроводникового кремния / пер. с яп. М. С. Маяновского // Атомная техника за рубежом. - 2008. - № 4. - С. 20-29.
5. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / под. ред. Дж. Миза. - М.: Мир, 1982. - 264 с.
6. Lark-Horovitz K. Nucleon-Bombarded Semiconductors // Semiconductors Materials (Proc. Conf. Reading, 1951). Butterworth, London. - 1951. P. 47-69.
7. Tanenbaum M., Mills A.D. Preparation of Uniform Resistivity N-type Silicon by Nuclear Transmutation // Electrochemical Society. - 1961. - Vol. 108. - No. 2. - P. 171-176.
8. Schnoller M.S. Breakdown Behavior of Rectifiers and Thyristors Made from Striation-Free Silicon // IEEE Transaction on Electron Devices. - 1974. - Vol. 21.
- No. 5. - P. 313-314.
9. Heydorn K., Andresen K. Neutron Tansmutation Doping of Silicon at Riso National Laborartory // INTERNATIONAL ATOMIC ENERGY AGENCY, Silicon Transmutation Doping Techniques and Practices (Proc. IAEA Consultants Mtg, Otwock-Swierk, Poland, 1985, IAEA-TECDOC-456). - Vienna, 1988. - P. 17.
10. Nielsen K.H. New Horizontal Facility for Neutron Transmutation Doping of Silicon // Proc. 6th Mtg International Group on Research Reactors (IGORR). - Taejon, Republic of Korea, 1998. - P. 151.
11. Crick N.V. Silicon Irradiations at the Harwell Laborartory of the United Kingdom Atomic Energy Authority // INTERNATIONAL ATOMIC ENERGY AGENCY, Silicon Transmutation Doping Techniques and Practices (Proc. IAEA Consultants Mtg, Otwock-Swierk, Poland, 1985, IAEA-TECDOC-456). - Vienna, 1988. - P. 65.
12. Crick N.V. Silicon Irradiations in the Harwell Reactors // Multipurpose Research Reactors (Proc. Int. Conf., Grenoble,1987), IAEA-SM-300/71P, IAEA. - Vienna, 1988. - P. 379.
13. Cundy D.R., et.al. SIDONIE - A New Silicon Irradiation Facility in BR2 // Proc. Int. Conf, on Irradiation Technology. - Saclay, France, 1992. P. - 50-55.
14. Alberman A., Blowfield H. A Review of Silicon Transmutation Doping and its Practice at French and Belgian Research Reactors // IAEA Technical Report Series 455, IAEA. - Vienna, 2007. - P. 152.
15. Ponsard B., Blowfield H. Production of Radioisotopes and NTD Silicon in the BR2 Reactor. - Режим доступа: http://www-pub.iaea.org/MTCD/Publications/ PDF/SupplementaryMaterials/TECDOC_1713_CD/template-cd/datasets/ Personnel/Ponsard.html
16. Chawla R., Christen R., Hammer J., Lehmann E. Irradiations Techniques
Employed at the 10 MWth SAPHIR Reactor. - Режим доступа:
http://www.iaea.org/inis/collection/NCLCollectionStore/_Public/23/076/ 23076064.pdf
17. Gunn S.L., Meese J.M., Alger D.M. High Precision Irradiation Techniques for NTD Silicon at the University of Missouri Reactor // Neutron Transmutation Doping in Semiconductors. (Proc. 2nd Int. Conf. Columbia, Missouri, 1978) / Ed. by Meese J.M. - New York: Plenum Press, 1979. - P. 197.
18. Peat G. The HIFAR 10 VGR NTD Silicon Production Rigs and Facilities // Proc. Int. Conf, on Irradiation Technology. - Saclay, France, 1992. - P. 130.
19. Kusunoki T., Magome H., Takeuchi M., Komeda M., Kobayashi S., Yamashita K. Present Status of Production of Neutron-Transmutation-Doped Silicon in JRR-3 and JRR-4 // Proc. 6th Int. Conf, on Isotopes. - Seoul, 2008. - P. 125.
20. Kim M.S., Lee C.S., Oh S.Y., Hwang S.Y., Jun B.J. Radial Uniformity of Neutron Irradiation in Silicon Ingots for Neutron Transmutation Doping at HANARO // Nuclear Engineering and Technology. - 2006. - Vol. 38. - No. 1. - P. 93-98.
21. Sultan M., Elsherbiny E., Sobhy M. A Method for Neutron Transmutation Doping of Silicon in Research Reactors // Ann. Nucl. Energy. - 1995. - Vol. 22. - No. 5. - P. 303.
22. Amos P.E., Kim S. New Silicon Irradiation Rig Design for OPAL Reactor // 11th International Topical Meeting Resaerch Reactor Fuel Managment (RRFM) and Meeting of the International Group on Reactor Research (IGORR). - Lyon, France, 2007. - P. 10-14.
23. Hergenreder D.F. MCNP Design of High Performance NTD Facilities // International Conference on Research Reactor Utilization, Safety, Decommissioning, Fuel and Waste Managment. - Santiago, 2003. - P. 10-14.
24. Strydom W.J., Louw P.A. Neutron Transmutation Doping of Silicon at the SAFARI-1 Research Reactor // Technical Peports Series No. 455. Utilization Related Design Features of Research Reactors: A Compendium. - Vienna, 2007. - P. 179-186.
25. Von Ammon W. Neutron Transmutation Doped Silicon - Technological and Economics Aspects // Nucl. Instrum. Mythods Phys. Res., Sect. B. - 1992. - Vol. 63. -No. 1/2. - P. 95-100.
26. Harris D.W.G. The Two Dimensional General Geometry Transport Code TWOTRAN, AEEW-R841 // Atomic Energy Establishment of Winfrith. - 1973.
27. Silicon Transmutation Doping Techniques and Practices // Режим доступа: http://www.iaea.org/inis/collection/NCLCollectionStore/_Public/19/088/ 19088982.pdf
28. Wagner F.M., Kneschaurek P., Kampfer S., Kastenmmuller A., Loeper-Kabasakal B., Waschkowsky W., Breitkreutz H., Molls M., Petry W. The Munich Fission
Neutron Therapy Facility MEDAPP at FRM II // Strahlenther Onkol 184. - 2008.
- P. 643-646.
29. Lin X., Henkelmann R., Turler A., Gerstenberg H., De Corte F. Neutron Flux Parameters at Irradiation Positions in the New Research Reactor FRM II // NIM in Physics Research A 564. - 2006. - P. 641-644.
30. Gerstenberg H., Li X., Neuhaus I. Silicon Doping at FRM II // Transactions RRFM
2009. - Vienna, - 2009. P. 50-54.
31. Антропов Н.А. Формирование зоны облучения для нейтронного легирования кремния фосфором на ядерном реакторе ИРТ: дис. ... канд. физ.-мат. наук. Томск. 1988. - 168 с.
32. Варлачев В.А., Гусаров О.Ф., Заболотнов С.А. Исследовательский ядерный реактор ИРТ-Т. - Томск: Издательство ТПУ, 2002. - 56 с.
33. Бать Г.А., Коченов А.С., Кабанов Л.П. Исследовательские ядерные реакторы.
- М.: Атомиздат, 1985. - 278 с.
34. Варлачев В.А., Головацкий А.В., Емец Е.Г., Солодовников Е.С., Усов Ю.П., Худолеев П.Н. Нейтронно-физические параметры исследовательского ядерного реактора ИРТ-Т // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55. - № 11/2.
- С. 39-44.
35. Гомин Е.А. Программа MCU5TPU // РНЦ “Курчатовский институт», институт ядерных реакторов. - М., 2007.
36. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Нейтронные поля в горизонтальном экспериментальном канале при различных конфигурациях замедлителя // Современная техника и технологии: сборник трудов XIX международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. - Томск, 2013. - С. 30-31.
37. Глухов Г.Г., Диденко А.Н. Ядерный реактор ИРТ-Т НИИЯФ ТПИ в научных и прикладных исследованиях // Атомная энергия. - 1988. - Т. 64. - № 5. - С. 366-370.
38. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. - М.: Сов. радио, 1980. - 224 с.
39. Варлачев В.А., Солодовников Е.С. Формирование зоны облучения для равномерного облучения протяженных образцов // Известия вузов. Физика. -
2010. - Т. 53. - № 10/2. - С. 310-312.
40. Архангельский Н.В. Программа IRT двумерного расчета нейтронных полей в реакторах с прямоугольной решеткой. - М.: ИАЭ, 1972. - 16 с.
41. Бусленко Н.П., Голенко Д.И., Соболь И.Н. Метод статистических испытаний. - М.: Наука, 1962. - 331 с.
42. Гелбард Э., Спаное Д. Метод Монте-Карло и задачи переноса нейтронов. - М.: Атомиздат, 1972. - 268 с.
43. Михайлов Г.А. Некоторые вопросы теории методов Монте-Карло. - Новосибирск: Наука, 1974. - 141 с.
44. Франк-Каменецкий А.Д. Моделирование траектории нейтронов при расчете реакторов методом Монте-Карло. - М.: Атомиздат, 1978. - 95 с.
45. Кольчужкин А.М., Учайкин В.В. Введение в теорию прохождения частиц через вещество. - М.: Атомиздат, 1978. - 255 с.
46. Ермаков С.М., Михайлов Г.А. Курс статистического моделирования. - М.: Наука, 1976. - 319 с.
47. Соболь И.Н. Численные методы Монте-Карло. - М.: Наука, 1973. - 311 с.
48. Varlachev V.A., Kuzin A.N., Lykhin S.V., Solodovnikov E.S., Fotin A.V., Tsibul'nikov Y.A. Tomsk Complex for Neutron-Transmutation Doping of Silicon // Atomic Energy. - 1995. - Vol. 79. - No. 1. - P. 38-40.
49. Варлачев В.А., Головацкий А.В., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Автоматизированный комплекс для нейтронного легирования кремния // Ядерная и радиационная физика: Сборник тезисов 9-ой международной конференции. - Алматы, Республика Казахстан, РГП ИЯФ, 2013. - С. 23-24.
50. МАГАТЭ. Библиотека оцененных ядерных данных. - Режим доступа:
https: //www-nds. iaea.org
51. Хааз Е., Мартин Д. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. - М: Мир, 1982. - С. 38-48.
52. Патент РФ № 2332732. МПК: G21F9/00. Способ дезактивации радиационно-легированного кремния / О.Г. Черников, Е.К. Горбунов, Л.В. Шмаков, К.Г. Кудрявцев, К.В. Григорьев, Г.А. Чумаченко, В.И. Заика, А.Н. Фурсов. Заявл. 08.12.2006. Опубл. 27.08.2008. Бюл. № 24. - 6 с.: ил.
53. Ломакин С.С., Петров В.И., Самойлов П.С. Радиометрия нейтронов
активационным методом. - М.: Атомиздат, 1975. - 203 с.
54. Фейнберг С.М. Теория ядерных реакторов в 2-х томах. Том 1. - М.: Атомиздат, 1978. - 397 с.
55. Смелов В.В. Лекции по теории переноса нейтронов. - М.: Атомиздат, 1978. - 215 с.
56. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. - Минск: Наука и техника, 1986. - 253 с.
57. Бродер Д.Л. Вопросы физики защиты реакторов. - М. Атомиздат, 1976. - 246 с.
58. Космач В.Ф., Кулаков В.Н., Остроумов В.И., Петухов А.Н. Расчет числа дефектов, образованных в кремнии быстрыми нейтронами // Физика и техника полупроводников. - 1972. - № 2. - С. 420-422.
59. Стейн Х. Эффекты атомных смещений при НТЛ // Нейтронное легирование полупроводников / Под ред. Дж.Миза. - М.: Мир, 1982. - С. 123-143.
60. Владимиров В.И. Практические задачи по эксплуатации ядерных реакторов. - М.: Атомиздат, 1976. - 295 с.
61. Бекурц К., Виртц К. Нейтронная физика. - М.: Атомиздат, 1968. - 455 с.
62. Патент РФ № 2193610. МПК: C30B31/20, C30B29/06, H01L21/263. Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния / В.Г. Шевченко, Л.В. Шмаков, В.И. Лебедев, Г.А. Чумаченко, В.А. Трунов, А.П. Булкин. Заявлено 27.09.2000. Опубл. 27.11.2002.
63. Шлимак И.С. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: наука и приложения // Физика твердого тела. - 1999. - Т. 41. - № 5. - С. 794¬798.
64. Tokai Research and Development Center. The Handbook of Research Reactor Utilization, Japan Atomic Energy Research Institute (formerly Japan Atomic Energy Agency), 1994. - 213 p.
65. Varlachev V.A., Solodovnikov E.S. Neutron Transmutation Doping of Silicon in the Research Reactor // In Silicon 94, 4th Scientific and Business Conference. - Roznov pod Radhosten, 1994. - P. 206-209.
66. Varlachev V.A., Solodovnikov E.S. Any Methods of Irradiation for Neutron-Transmutation Doping of Silicon // In Silicon 96, 5th Scientific and Business Conference. - Roznov pod Radhosten, 1996. - P. 60-65.
67. Доллежаль Н.А., Емельянов И.Я. Канальный ядерный энергетический реактор. - М.: Атомиздат, 1980. - 207 с.
68. Смит Т. Нейтронное легирование на исследовательских ядерных реакторах в Харуэлле // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Под ред. Дж. Миза. - М.: Мир, 1982. - C. 65-72.
69. Ганн С., Миз Д., Олже Д. Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе шт. Миссури (ИРУМ) // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Под ред. Дж. Миза. - М.: Мир, 1982. - C. 104-122.
70. Смирнов В.И. Курс высшей математики, т. 2. - М.: Физматиздат, 1958. - 627 с.
71. Смирнов В.И. Курс высшей математики, т. 1. - М.: Физматиздат, 1958. - 478 с.
72. Варлачев В.А., Солодовников Е.С. Критерии формирования нейтронного поля для равномерного облучения протяженных образцов // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53. - № 10/2. - С. 310-312.
73. Патент РФ № 2008373. МПК C30B31/00 и C30B29/00. Способ нейтронно- трансмутационного легирования кремния / Варлачев В.А., Солодовников Е.С. Заявлено 15.12.1991. Опубл. 28.02.94. Бюл. №4. - 6 с.: ил.
74. Патент РФ № 2089011. МПК H01L21/00. Способ нейтронно-
трансмутационного легирования кремния. Варлачев В.А., Солодовников Е.С., Фотин А.В., Цибульников Ю.А. Заявлено 14.10.94. Опубл. 27.08.97. Бюл. № 24. - 4 с.: ил.
75. Защита ядерных реакторов. Материалы комисси по атомной энергии США. / Пер. с англ., под ред. С.Г. Цыпина. - М.: Иностранная литература, 1958.
76. Гольштейн Г.Г. Основы защиты реакторов. - М.: Госатомиздат, 1961.
77. Гусев Н.Г. Защита от гамма-излучения продуктов деления. Справочник. - М.: Атомиздат, 1968.
78. Козлов В.Ф., Трошкин Ю.С. Справочник. Защита от ионизирующего
излучения. - М.: Атомиздат, 1967.
79. Кимель Л.Р., Машкович В.П. Справочник. Защита от ионизирующих излучений. - М.: Атомиздат, 1966.
80. Бродер Д.Л. Бетон в защите ядерных установок. - М.: Атомиздат, 1966.
81. Гусев Н.Г., Кимель Л.Р., Машкович В.П. Защита от ионизирующих излучений. - М.: Атомиздат, 1969.
82. Варлачев В.А., Головацкий А.В., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Новая установка для НТЛ кремния на исследовательском ядерном реакторе ИРТ-Т // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56. - № 11/3. - С. 180-184.
83. Варлачев В.А., Головацкий А.В., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Оперативный контроль плотности потока тепловых нейтронов в технологии НТЛ кремния // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56. - № 11/2. - С. 75-79.
84. Никольский С.М. Квадратурные формулы. - М.: Наука, 1979. - 256 с.
85. Альберг Д., Нильсон Э., Уолис Д. Теория сплайнов и её приложение. - М.: Наука, 1972. - 318 с.
86. Стечкин С.Б., Субботин Ю.Н. Сплайны в вычислительной математике. - М.: Наука, 1976. - 248 с.
87. Василенко В.А. Сплайн-функции: теория, алгоритмы, программы. - Новосибирск: Наука, 1983. - 216 с.
88. Дмитриев А.В., Малышев Е.К. Нейтронные ионизационные камеры для реакторной техники. - М.: Атомиздат, 1975. - 96 с.
89. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Измерение абсолютного значения флюенса тепловых нейтронов монокристаллами кремния // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54. - № 11/2. - С. 114-117.
90. Патент РФ № 2472181, МПК: G01T3/08. Способ измерения флюенса
тепловых нейтронов монокристаллическим кремнием / Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Заявл. 13.07.2011. Опубл. 10.01.2013г. Бюл. №1, - 8 с.
91. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Получение высокоомного кремния путем нейтронного трансмутационного легирования // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52. - № 11/2. - С. 409-412.
92. Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы математической физики. - М.: Наука, 1973. - 351 с.
93. Атанасян В.А., Биленкин И.Я., Смолянский М.Л. Специальные главы математического анализа. - М.: Просвещение, 1966. - 165 с.
94. Фихтенгольц Г.Н. Курс дифференциального и интегрального исчисления в 3¬х т. - М.: Наука, 1969. - 800 с.
95. Мерей Р. Физика ядерных реакторов. - М.: Атомиздат, 1959. - 291 с.
96. Варлачев В.А., Дудкин Г.Н., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Влияние быстрых нейтронов на проводимость монокристаллического кремния. Детекторы быстрых нейтронов // Ядерная и радиационная физика: сборник докладов 7¬ой международной конференции. - Алматы, Республика Казахстан, 2009. - С. 146-149.
97. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Детекторы тепловых нейтронов на основе простых полупроводников // Ядерная и радиационная физика: сборник тезисов докладов 8-ой международной конференции. - Алматы, Республика Казахстан, 2011. - С.55-57.
98. Варлачев В.А., Головацкий А.В., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Автоматизированный комплекс для нейтронного легирования кремния // Ядерная и радиационная физика: сборник докладов 9-ой международной конференции. - Алматы, Республика Казахстан, 2013. - С.13-17.
99. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С. Детектирование нейтронов
монокристаллами кремния с омическими контактами // Современные техника и технологии: труды XIX Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. - Томск, 2013. - Т. 3. - С. 32-33.
100. Варлачев В.А., Емец Е.Г., Солодовников Е.С., Пузыревич А.Г. Использование монокристаллического кремния для детектирования быстрых и тепловых нейтронов // Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности: сборник тезисов докладов V Международной научно-практической конференции. - Томск, 2010. - С. 30.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ