🔍 Поиск готовых работ

🔍 Поиск работ

Сброс микроконтроллера на основе Cortex M3/M4 в аварийных ситуациях

Работа №198290

Тип работы

Дипломные работы, ВКР

Предмет

физика

Объем работы33
Год сдачи2023
Стоимость4750 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
16
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Аннотация
Введение 4
1. Литературный обзор 6
1.1. Радиационные эффекты в электронной компонентной базе 6
1.2. Специфика отказов микроконтроллеров 9
1.3. Сброс 13
1.4. Постановка цели и задач 20
2. Сторожевой таймер микроконтроллера с ядром ARM 21
2.1. Микроконтроллер 21
2.2. Сторожевой таймер 21
2.3. Регистры конфигурации сторожевого таймера 22
3. Практическая часть 24
3.1. Исполняемая программа 24
3.2. Схема включения МК 28
3.3. Использование сторожевого таймера IWDG 29
3.4. Отсутствие сторожевого таймера IWDG 29
4. Заключение 30
Список литературы 31

Электронные устройства находят широкое применение в различных сферах деятельности человека. На их работу оказывают влияние множество факторов. Одним из таких факторов является ионизирующее излучение (ИИ).
Современная микроэлектроника развивается в сторону увеличения быстродействия, повышения функциональной сложности изделий и снижения энергопотребления. Для этих целей разрабатываются новые технологические нормы литографии транзисторов, которые становятся всё меньше и меньше. При уменьшении элементов изменяется чувствительность микросхем к ИИ. Именно поэтому проблема обеспечения радиационной стойкости элементов интегральных микросхем в последнее время стала одной из самых важных среди других проблем, связанных с проектированием надёжной и стабильной аппаратуры. Таким образом, при создании устройств, эксплуатируемых при повышенном радиационном фоне, необходимо иметь представление о радиационной стойкости данного устройства, что и обуславливает актуальность работы.
Одними из важнейших параметров микроконтроллеров (МК) является его сбоеустойчивость и возможность восстанавливать рабочее состояние после попадания в различные аварийные ситуации. Импульс ИИ может привести МК к состоянию «зависания», из которого, гипотетически, может вывести внутренняя система сброса МК.
Цель работы:
Исследование работы системы сброса МК во время аварийной ситуации, вызванной внешним дестабилизирующим воздействием.
Практическая значимость результатов исследования:
Более эффективное использование системы сброса МК в аварийных ситуациях, не предусмотренных разработчиками.
Задачи:
1. Изучить теоретические сведения о радиационных эффектах.
2. Выполнить литературный обзор по влиянию внешних факторов на сбоеустойчивость МК.
3. Провести эксперимент с МК и активированным сторожевым таймером при внешнем дестабилизирующем воздействии.
4. Анализ полученных результатов после импульсного воздействия.

Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


Были изучены теоретические сведения о радиационных эффектах.
В ходе изучения литературы было установлено, что различные эффекты, в том числе радиационные, могут привести к «зависанию» и разным другим аварийным ситуациям в МК. Однако основной проблемой является то, что состояние «зависания» не может быть однозначно охарактеризовано, так как причины его появления слишком разные.
Исходя из полученных в ходе экспериментов данных, можно сделать вывод о том, что импульсное воздействие не оказало влияния на работу сторожевого таймера. Во всех экспериментах сторожевой таймер формировал сигнал сброса после «зависания» МК, после чего происходил перезапуск контроллера.
Полученные результаты позволят нам сделать системы на основе подобных микроконтроллеров более стабильными, а срок их службы - увеличится.


1. Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание / под ред. д-ра техн. наук, проф. А.И. Чумакова. - М.: НИЯУ МИФИ, 2015. - 512 с. - Текст: непосредственный.
2. Костюченко Д.С. Влияние частоты тактирования на уровень бессбойной работы микропроцессора и микроконтроллера при импульсном ионизирующем воздействии / Д.С. Костюченко, О.А. Калашников, В.А. Марфин, П.В. Некрасов, А.Ю. Никифоров - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2017». - М.: НИЯУ МИФИ, 2017. - С. 188-189.
3. Лоскутов И.О. Влияние используемых функциональных блоков на
эффект функционального сбоя в микроконтроллере MCS-51 / И.О.
Лоскутов - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2017». - М.: НИЯУ МИФИ, 2017. - С. 194-195.
4. Шемонаев А.Н. Влияние режима работы портов ввода-вывода на
показатели импульсной электрической прочности сложно
функциональных устройств / А.Н. Шемонаев, К.А. Епифанцев, П.К, Скоробогатов - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2017». - М.: НИЯУ МИФИ, 2017. - С. 168-169.
5. Пилипенко А.С. Применение средств трассировки для анализа сбоев микроконтроллера, возникающих при воздействии нейтронов с энергией 14 МэВ / А.С. Пилипенко, М.И. Тихонов - Текст: непосредственный. - Радиотехника и электроника. - М.: НИЯУ МИФИ, 2022.
6. Степовик А.П. Влияние радиочастотного и ионизирующего излучения на микроконтроллер ATmega8515 / А.П. Степовик, В.В. Отставнов, Е.Ю. Шамаев - Текст: непосредственный // Журнал технической физики. - 2019. - №3. - С. 444-451.
7. Characterization of EM faults on ATmega328p / Arthur Beckers, Josep
Balasch, Benedikt Gierlichs [et al.] // 2019 Joint International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Sapporo and Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Sapporo/APEMC), 2019, С. 1-4, doi: 10.23919/EMCSapporo/APEMC44270.2019.9320849, URL:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9320849 (Дата обращения 29.09.2022)
8. Егоров А.Ю. Радиационные исследования 32-разрядного микроконтроллера LPC1788FBD144 с ядром Cortex-M3 / А.Ю. Егоров, П.В. Некрасов, О.А. Калашников - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2016». - М.: НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 160-161.
9. Спецификация © АО«ПКК Миландр» ТСКЯ.431296.026СП Версия 2.3.0 от 11.01.2022 Микросхема 32-разрядной микро-ЭВМ с Ethernet интерфейсом К1986ВЕ1Р1.
10. Кривецкий А. О сбоях в микроконтроллере AT90S2313 / А. Кривецкий. - Текст: непосредственный. - // Компоненты и технологии. - 2003. - №3. - С. 104-105.
11. И.А. Можаев, В.А. Марфин, П.В. Некрасов, А.А. Печенкин, А.В. Яненко, А.А. Коптев, Парирование одиночного ТЭ в микропроцессоре с адаптивным порогом срабатывания защиты / Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем - «Стойкость-2016».- М.: НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 175-176.
12. Калашников О.А. Особенности проявления одиночных сбоев в
БИС микропроцессоров при воздействии тяжёлых заряженных частиц / О.А. Калашников, А.И. Чумаков. - Текст: непосредственный. - //
Микроэлектроника. - 1995. - т. 24. - №3. - С. 216-219.
13. Каракозов А.Б. Особенности контроля времени потери работоспособности микросхем процессоров с блоком power-on-reset/ А.Б. Каракозов, В.А. Марфин, Д.В. Бобровский, О.А. Калашников - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем -
Стойкость 2021». - М.: НИЯУ МИФИ, 2021. - С. 149-150.
14. Кравченко Н.Д. Исследование влияния операционной системы на сечение функциональных сбоев при воздействии отдельных ядерных частиц на примере микроконтроллера ARM / Н.Д. Кравченко, И.О. Лоскутов, П.В. Некрасов, В.А, Марфин, Д.В, Бойченко - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2020». - М.: НИЯУ МИФИ, 2020. - С. 146-147.
15. Пилипенко А.С. «Зависание» микроконтроллера при воздействии импульсного ионизирующего излучения / А.С. Пилипенко, М.И. Тихонов - Текст: непосредственный. - «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость 2022». - М.: НИЯУ МИФИ, 2022. - С. 52-53...20


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ