Тип работы:
 Предмет:
 Язык работы:


ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ И СОБСТВЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ПОРОГ ОПТИЧЕСКОГО ПРОБОЯ МОНОКРИСТАЛЛА ZnGeP2

Работа №193174

Тип работы

Магистерская диссертация

Предмет

физика

Объем работы67
Год сдачи2022
Стоимость4845 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
5
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 7
1 Физические, химические и оптические свойства нелинейного кристалла ZnGeP? 11
1.1 Основные характеристики и физические свойства оптических кристаллов
ZnGeP2 11
1.2 Синтез и рост тройного соединения ZnGeP2 12
1.3 Постростовые обработки ZnGeP2 15
1.3.1 Послеростовый отжиг монокристалла ZnGeP2 16
1.3.2 Облучение потоком быстрых электронов. 17
1.4 Методы исследования и типы дефектов кристаллической структуры ZnGeP2 20
1.5 Оптический пробой монокристаллов ZnGeP2, и методика его определения 24
1.5.1 Механизмы оптического пробоя ZnGeP2 26
1.6 Методы диффузионного легирования 29
1.6.1 Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника, 30 диффузия в ампуле
1.7 Выводы по главе 1 и постановка задачи 31
2 Технологические факторы, влияющие на величину порога оптического пробоя 32 кристалла ZnGeP2
2.1 Экспериментальные образцы ZnGeP2 и их характеристики 32
2.2 Экспериментальная установка 35
2.3 Методика определения порога оптического пробоя ZnGeP2 38
2.4 Влияние на порог оптического пробоя постростовых обработок и дефектов 39 кристалла ZnGeP2
2.5 Влияние ангстремного уровня шероховатости на порог лучевой стойкости 40 монокристалла ZnGeP2
2.5.1 Исследуемые образцы и их параметры 40
2.5.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение 41
2.6 Выводы по главе 2 47
3 Влияние характеристик многослойных интерференционных просветляющих покрытий на основе оксидов Nb, Si и Al на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2.
3.1 Параметры нанесения интерференционных покрытий на подложки ZGP и 49 их характеристики.
3.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение 53
3.3 Выводы по Главе 3 54
4 Влияние легирования на квазиоптические свойства ZnGeP? 55
4.1 Образцы и методика их постростовой обработки. 55
4.2 Методика для определения измерения показателя поглощения в ИК 55
диапазоне и электрофизических параметров ZGP.
4.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение 56
4.4 Выводы по Главе 4. 59
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 60
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 61


Актуальность выбранной темы: Повышение мощности и эффективности лазерных систем среднего ИК-диапазона остается одной из основных проблем современной лазерной физики и технологии, что обусловлено потребностью в таких системах при решении множества научных и прикладных задач. К таким задачам относятся: дистанционный газовый анализ и мониторинг атмосферы [1], обработка материалов [2], исследование новых физических эффектов [3], генерация аттосекундных рентгеновских импульсов и ускорение частиц [4], и многие другие. Одним из основных методов получения мощного лазерного излучения среднего ИК-диапазона является параметрическое преобразование частоты, хорошо отработанное в техническом плане, лазеров ближнего ИК-диапазона [5, 6] при помощи нелинейно-оптических кристаллов. При этом одним из наиболее эффективных способов решения этой задачи в диапазоне длин волн 3-5 мкм является использование монокристалла ZnGeP2 (ZGP) [6, 7], который иногда называют «стандартом» нелинейных кристаллов среднего ИК-диапазона [6]. Стоит отметить, что надёжная долговременная работа мощных нелинейных преобразователей на основе ZGP ограничивается эффектом оптического пробоя [3-6]. В связи с этим, в частности, потенциал практического использования мощных параметрических генераторов среднего ИК диапазона с накачкой излучением в области длин волн ~2,1 мкм связан с необходимостью определения технологических факторов, влияющих на порог оптического пробоя. Высокий показатель преломления(~ 3), и, следовательно, высокая степень отражения излучения накачки на границе раздела кристалл-воздух, значительно снижают эффективность нелинейного преобразования в кристалле. Для его существенного повышения, на рабочие поверхности кристалла необходимо наносить просветляющие покрытия в требуемом диапазоне преобразования. К таким покрытиям предъявляются жесткие требования. Например, оптическая прочность, как минимум, не должна быть ниже оптической прочности самого кристалла.
Проблеме оптического пробоя ZGP лазерным излучением на длинах волн от 1,064 мкм до 10 мкм посвящён целый ряд опубликованных ранее работ [8-16]. В этих работах было выявлено значительное различие в величине порога оптического пробоя кристалла ZGP на длинах волн 1,064 мкм и 2,1 мкм [8]. Динамическая визуализация процесса пробоя лазерным излучением на длине волны 2,1 мкм в объеме ZGP показала, что в формирующемся треке внутри нелинейно-оптического элемента происходит лавинообразный рост температуры [9]. В работе [10] сообщалось о повышение порога пробоя ZGP с уменьшением длительности импульсов излучения накачки. Эффект свидетельствует в пользу термической природы пробоя для наносекундных импульсов за счет аномального инфракрасного поглощения. В [11] было показано, что при охлаждении кристалла до температуры -600С порог оптического пробоя увеличивается в 1,5-3 раза вплоть до 9 Дж/см2 на длине волны воздействующего лазерного излучения 2,091 мкм и частоте следования импульсов 10 кГц. В [14] сообщалось, что порог оптического пробоя элементов ZGP на длине волны 9,55 мкм определялся по интенсивности воздействующего пучка величиной 142 МВт/см2 при длительности импульсов 85 нс и частоте их следования 1 Гц, что составляет ~ 9,5 Дж/см2 по плотности энергии импульсов. Также в этих работах отмечалось, в частности, что порог лазерного разрушения поверхности ZGP связан скорее с уровнем плотности энергии излучения накачки, а не интенсивности излучения [15]. Прямая зависимость порога оптического пробоя от технологии роста и оптического качества кристаллов продемонстрирована в работе [16].
Таким образом, не вполне ясными остаются причина инициализации оптического пробоя монокристалла ZGP на длине волны ~ 2,1 мкм и зависимость порога пробоя от технологических факторов роста кристалла и постростовых обработок. В связи, с чем явно требуется проведение дополнительных исследований.
Цели диссертации:
Определение влияния постростовых технологических операций на оптическую стойкость поверхности кристаллов ZGP под действием лазерного излучения на длинах волн 2,1 мкм.
Задачи:
1. Определение влияния качества полировки на порог оптического пробоя ZGP на длине волны 2,1 мкм;
2. Определение влияния параметров интерференционных просветляющих покрытий на порог оптического ZGP пробоя на длине волны 2,1 мкм;
3. Влияние диффузионного легирования различными химическими элементами на порог оптического пробоя на длине волны 2,1 мкм;
Специальные термины: ZnGeP2 (ZGP), оптический пробой, объемные дефекты, полосы роста.
Объект исследования:
1) Нелинейный кристалл ZGP и его дефектная структура, взаимодействие лазерного излучения с монокристаллом ZnGeP2.
Предмет исследования:
Зависимость пороговых значений оптической стойкости монокристалла ZGP, измеренных по методике R-on-1, от постростовых обработок.
Защищаемые положения, выносимые на защиту:
Положение №1. Неровности на полированной поверхности ZGP обусловлено выходом на поверхность объемных дефектов монокристалла является затравочными неоднородностями для инициализации оптического пробоя на длине волны 2,1 мкм.
Положение №2.Повышение порога оптического пробоя монокристаллов ZGP достигается за счет снижения их проводимости в результате диффузионного легирования элементами Mg и Se. Установлены режимы термического отжига, обеспечивающие максимальное увеличение оптической стойкости монокристалла ZGP.
Научная новизна:
1. Впервые получены данные о влиянии диффузионного легирования на порог оптического пробоя кристаллов ZGP;
2. Впервые получен ангстремный уровень шероховатости полированной поверхности монокристалла ZGP.
Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием калиброванного экспериментального оборудования и стандартизованных методик измерения, сопоставлением данных с имеющимися литературными данными.
Апробация результатов исследований: Результаты исследований, полученные в данной работе, были представлены на конференциях:
1) The 15th International Conference AMPL-2021, Institute of Atmospheric Optics SB RAS (1, Zuev Sq., Tomsk, Russia) Threshold of laser destruction of nonlinear GaSe and GaSe:In crystals when exposed to pulsed radiation at a wavelength of 2.1 microns N.N. Yudin1, O.L. Antipov, V.V. Demin, A.I. Gribenyukov, M.M. Zinoviev, S.N. Podzivalov, E.S. Slyunko, E.V. Zhuravlev, A.A. Pfeif
2) 9-я Международная научно-практическая конференция Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 Слюнько Елена Сергеевна. Порог лазерного разрушения нелинейных кристаллов GaSe и GaSe:In на длине волны 2091 нм .ТГУ
3) Восемнадцатая всероссийская конференция студенческих научно¬исследовательских инкубаторов. Томск 5-7 мая 2021г. (Slunko E.S., Podzyvalov S.N., Zinoviev М.М., Yakovlev N.N. Generation of terahertz radiation in a ZnGeP? single crystal);
4) Восемнадцатая всероссийская конференция студенческих научно¬исследовательских инкубаторов. Томск 5-7 мая 2021г. (Podzyvalov S.N., Zinoviev M.M., Slyunko E.S., Yakovlev N.N. ZnGeP2 crystal as a source of Thz radiation);
Основные положения работы, а также научные и практические результаты, изложены в следующих публикациях, опубликованных в рецензируемых журналах:
1) Zhu Ch., Dyomin V.V., Yudin N.N., Antipov O.L., Verozubova G., Eranov I., Zinoviev M.M., Podzyvalov S. N., Zhuravlyova E. V., Slyunko E.S., Yang C. Laser-Induced Damage Threshold of Nonlinear GaSe and GaSe: In Crystals upon Exposure to Pulsed Radiation at a Wavelength of 2.1 m //Applied Sciences. 2021. Vol. 11, № 3. P. 1-10.
2) Yudin N. N., Zinoviev M.M., Gladkiy V., Moskvichev E.N., Kinyaevsky I.O., Podzyvalov S.N., Slyunko E.S., Zhuravleva E.V., Pfaif A.A., Yudin N. A., Kulesh M.M. Influence of the Characteristics of Multilayer Interference Antireflection Coatings Based on Nb, Si, and Al Oxides on the Laser-Induced Damage Threshold of ZnGeP2 Single Crystal //Crystals. 2021. Vol. 11, № 12. P. 1-12.
3) Yudin N.N., Antipov O.L., Gribenyukov A.I., Dyomin V.V., Zinoviev M.M., Podzyvalov S. N., Slyunko E.S., Zhuravlyova E. V., Pfeif A.A., Yudin N.A., Kulesh M.M., Moskvichev E.N. Influence of Postgrowth Processing Technology on the Laser Induced Damage Threshold of ZnGeP2 Single Crystal //Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 11. P. 2096-2101.
4) Laser-Induced Damage Threshold of Single Crystal ZnGeP2 at 2.1 m: The Effect of Crystal Lattice Quality at Various Pulse Widths and Repetition Rates / Yudin N.N., Antipov O.L., Eranov I., Gribenyukov A.I. [et al] // Crystals. 2022. Vol. 12, № 5. Art. num. 652. DOI: 10.3390/cryst12050652

Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!
ДИПЛОМНЫЕ МАГИСТЕРСКИЕ ДИССЕРТАЦИИ
КУРСОВЫЕ СТАТЬИ ВКР

Одной из главных задач современной нелинейной оптики является установление условий, способствующих повышению оптической стойкости используемых оптических кристаллов и выявление доминирующего механизма оптического пробоя, в условиях накачки на длине волны 2,1 мкм.
Проведенные в данной работе исследования показали:
1. Наиболее информативным параметром, характеризующим влияние качества полировки рабочих поверхности ZnGeP2 на порог пробоя, являются именно параметр неровности полированной поверхности (пики и впадины), определяемый как PV. Именно неровности поверхности являются “затравочными” неоднородностями для инициализации оптического пробоя на длине волны 2091 нм.
2. Выявление основных причин, определяющих порог оптического пробоя, показало , что наибольшее влияние на оптическую стойкость кристалла ZGP оказывают дислокации или объемные дефекты, выходящие на полированную поверхность. Ангстремный уровень шероховатости поверхностей, по сравнения с обычным уровнем обработки поверхности не повышает оптическое качество кристалла.
3. Отсутствие локальных флуктуаций состава и механических напряжений в покрытиях на основе чередующихся слоев Nb2Os и AhO3 приводит к увеличению порога оптического пробоя.
4. Повышение порога оптического пробоя монокристаллов ZGP достигается за счет снижения их проводимости в результате диффузионного легирования элементами Mg и Se. Установлены режимы термического отжига, обеспечивающие максимальное увеличение оптической стойкости монокристалла ZGP.



1. Creeden D., McCarthy J.C., Ketteridge P.A., Southward T., Schunemann P.G., Komiak J.J., Dove W., Chicklis E.P//. Compact fiber-pumped terahertz source based on difference frequency mixing in ZGP/ D.Creeden, J.C.McCarthy, P.A.Ketteridge, T.Southward, P.G.Schunemann.,J.J Komiak., DoveW., E.P. Chicklis // IEEE J. Sel. Top. Quantum. Electron.-V. 13, 2007, - № 3. - P. 732-736.
2. Sirotkin A.A., Yudin N.N., Dyomin V.V., Gribenyukov A.I. Tunable THz-radiation in a ZnGeP2 single crystal pumped by dual-wavelength degenerate optical parametric oscillator// Laser Phys. Lett.2020, V.17, P. 035402 (5pp).
3. Юдин Н.Н., Дёмин В.В., Солдатов А.Н., Шумейко А.С., Юдин Н.А. О возможности генерации ТГ ц- излучения на разностной частоте в монокристалле ZnGeP2 при накачке излучением лазера на парах стронция // Оптика атмосферы и океана. 2020. Т.33. №3, С.192-198.
4. Bulgakova V., Ushakov A., Chizhov P., Yudin N., Zinovev M., Podzyvalov S., Dolmatov T., Bukin V., Garnov S. Terahertz generation by means of ZnGeP2 large aperture photoconductive antenna // Optical Engineering. 2021. V.60, N8. P.082015-1 - 082015-6.
5. Chuchupal S.V., Komandin G.A. Zhukova E.S., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Gribenyukov A.I. Effect of electron irradiation of ZnGeP2 single crystals on terahertz losses in a wide temperature range// Physics of the Solid State. 2015. V. 57. №. 8. P. 1607-1612.
6. Gribenyukov A.I., Dorozhkin K.V, Morozov A.N., Suslyaev V.I. Influence of After-Growth Treatments on the Optical Parameters of Terahertz ZnGeP2 Crystals // Russian Physics Journal. V. 60. №. 11. P. 2000-2003.
7. Zinoviev M., Yudin N., Gribenyukov A., Podzyvalov S., Dyomin V., Polovtsev I., Suslyaev V., Zhuravlyova Y. The effect of volume inclusions of the ZnGeP2 single-crystal on the dispersion of the refraction index and the absorption coefficient in mid-IR and terahertz ranges of wavelengths // Optical Materials.2021. V.111P. 110662.
8. Zhong K., Liu C., Wang M., Shi J., Kang B., Yuan Z., Li J., Xu D., Shi W., Yao J. Linear optical properties of zngep2 in the terahertz range // optical materials express. 2017. V. 7. N. 10. P. 3571-3579
9. Автореферат. Ведерникова Т.В. (Zn,Cd)-(Si,Ge,Sn)-As2 облученных протонами. 2008
10. Photoluminescense of p-type zngep2. G. K. AVERKIEV A.V, S. GRIQOREV AI. A. MALTSEVAV,.D. PROCHUPHAN, and Yu. V. RUD. 1977
11. Воеводина В.Г докторская диссертация., статья про легирование Mn
12. Юдин Н.Н., Антипов О.Л., Грибенюков А.И., Еранов И.Д., Подзывалов С.Н., Зиновьев М.М., Воронин Л.А., Журавлева Е.В., Зыкова М.П. Влияние технологии постростовой обработки и параметров лазерного излучения на длинах волн 2091 и 1064 нм на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2
13. Verozubova G.A., Gribenyukov A.I., Korotkova V.V., RuzaikinM. P.//Mat. Sci. Eng. B - 1997 - V. 48 - P. 191-197.; Gribenyukov A.I., Voevodin V.I.//J. Phys.: Conf. Ser. - 2018 - V. 1115 - 052030 (5 pp)
14. Nikogosyan D. Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey. NewYork: Springer, 2005. 440 p.
15. Верозубова Г.А., Грибенюков А.И., Миронов Ю.П. Двухтемпературный синтез ZnGeP2 // Неорганические материалы. 2007. Т.43, №10. С.1164-1169.
16. Redkin R.A., Kobtsev D.A., Bereznaya S.A. et al.// Mater. Res. Express. - 2019 - V. 6 - P. 126201 (7 pp).
17. Boyd, G.D., Beuhler, E., Stortz, F.G.: Linear and nonlinear optical properties of ZnGeP2 and CdSe. Appl. Phys. Lett. 18, 301-304 (1971)
18. DmitrievV.G., Gurzadyn G.G., Nikogosyan D.N. Handbook of nonlinear optical crystals. Springer Series in Optical Sciences. 1999. V. 64. 407 p
19. Beasley, J.D.: Thermal conductivities of some novel nonlinear optical materials. Appl. Opt. 33, 1000-1003 (1994).
20. Hemming A., Richards J., Davidson A. A., Carmody N., Bennetts S., Simakov N., Haub J Opt.
21. Haakestad M.W., Fonnum H., Lippert E. Opt. Express. 22, 8556 (2014).
22. QianC., YaoB., ZhaoB., LiuG., DuanX., JuY., WangY. Optics Letters, 44, 715 (2019).
23. Das, S.: Optical parametric oscillator: status of tunable radiation in mid-IR to IR spectral range based on ZnGeP2 crystal pumped by solid state lasers. Opt. Quant. Electron. 51, 70 (2019)
24. Nikogosyan D. Handbook “Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey” - Springer, 1-st ed. 2005, 440 pgs, ISBN: 9780387220222
25. Dmitriev V.G., Gurzadyan G.G., Nikogosyan D.N. “HaNb book of Nonlinear Optical Crystals”. Berlin, New York: Springer. 1999. V. 64. 413 p
26. Hildenbrand A., Kieleck C., Tyazhev A., Marchev G., Stoppler G., Eichhorn M., Schunemann P. G., Panyutin V. L., Petrov V. Optical Engineering,53, 122511 (2014).
27. Грибенюков А.И., Дёмин В.В., Ольшуков А.С., Подзывалов С.Н., Половцев И.Г., Юдин Н.Н. Известия ВУЗов. Физика, 61, 89 (2019).
28. Chumside J.H., Wilson J.J., Gribenyukov A.I., Shubin S.F., Dolgii S.I., Andreev Yu .M., Zuev V.V., Boulder V. inCo: NOAATechnicalMemorandumERLWPL-224 WPL-224WPL, (1992,18 p.)
29. Андреев Ю.М., Бадиков В.В., Воеводин В.Г., Гейко Л.Г., Гейко П.П., Иващенко М.В., Карапузиков А.И., Шерстов И.В. Квантовая электроника, 31, 1075 (2001).
30. Peterson, R. D., Schepler, K. L., Brown, J. L., Schunemann, P. G. (1995). Damage properties of ZnGeP 2 at 2pm. JOSA B, 12(11), 2142-2146.
31. Юдин Н. Н., Антипов , О. Л. Грибенюков А. И., Еранов И. Д, Подзывалов С. Н., Зиновьев М. М, Воронин Л. А., Журавлева Е. В., Зыкова М. П., “Влияние технологии постростовой обработки и параметров лазерного излучения на длинах волн 2091 и 1064 нм на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2”// Квантовая электроника, 51:4 (2021), 306-316
32. Zawilski K.T., Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M. Journal of the Optical Society of America B, 23, 2310 (2006)
33. Peng, Y., Wei, X., & Wang, W. (2011). Mid-infrared optical parametric oscillator based on ZnGeP 2 pumped by 2-pm laser. Chinese Optics Letters, 9(6), 061403
34. Cheng, X.J., Zhao, Y., Qiang, Y., Zhu, Y., Guo, L., & Shao, J. (2011). Comparison of laser- induced damage in Ta2O5 and Nb2O5 single-layer films and high // Chinese Optics Letters / Vol. 9, No. 1 / January 10, 2011.
35. Yinhua Zhang, Shengming Xiong, Wei Huang, Study on defects in ZnS/YbF3 infrared coatings on silicon substrates, Surface and Coatings Technology, Volume 320, 2017, Pages 3-6, https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2017.03.023.
36. Kun-Neng Chen L, Chao-Ming Hsu, Jing Liu, Yu-Chen Liou, Cheng-Fu Yang. Investigation of Antireflection Nb2O5 Thin Films by the Sputtering Method under Different Deposition Parameters // Micromachines 2016, 7, 151; doi:10.3390/mi7090151
37. Ванякин А. В., Железнов В. И., Кулевский Л. А, Лукашев А. В., Морозов Н. П., Орлов Н. А., Интерференционная оптика для лазеров и параметрических генераторов среднего ик диапазона // Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 2, 142-144
38. Dyomin V.V., Gribenyukov A.I., Davydova A.S., Zinoviev M.M., Olshukov A.S., Podzyvalov S.N., Polovtsev I.G., Yudin N.N. // Applied Optics. - 2019. - V. 58. - P. G300- G310.
39. Nikogosyan D. Nonlinear Optical Crystals: A Complete Survey. New York: Springer, 2005. 440 p.
40. Dmitriev V.G., Gurzadyan G.G., Nikogosyan D.N. Handbook of Nonlinear Optical Crystals.
Berlin, New York: Springer. 1999. V. 64. 413 p
41. Shi W., Ding Y.J., Schunemann P.G. Coherent terahertz waves based on difference-frequency generation in an annealed zinc-germanium phosphide crystal: Improvements on tuning ranges and peak powers.// Opt. Commun., v. 233, pp. 183-189, 2004.
42. Schunemann P.G., Zawilski K.T., Pomeranz L.A., Creeden D.J., Budni P.A. J. Opt. Soc. Am. B, 33, D36. (2016).
43. Schunemann P.G., Pollak T. M. Utralow gradient HGF-Grown ZnGeP2 and CdSiP2 and Their Optical Properties // MRS Bull., №7, 23-27 (1998).
44. Budni P. A., Pomeranz L. A., Lemons M. L., et al., OSA Trends in Optics and Photonics Series, 19, 226-229 (1998).
45. Hemming A., Richards J., Davidson A. A., Carmody N., Bennetts S., Simakov N., Haub99 W mid-IR operation of a ZGP OPO at 25%duty cycle// J Opt. Express, 21,1364 (2013).
46. Haakestad M.W., Fonnum H., Lippert E. Opt. Express. 22, 8556 (2014).
47. Qian C., Yao B., Zhao B., Liu G., Duan X., Ju Y., Wang Y. Optics Letters, 715 (2019).
48. Ionin A.A. Kinyaevskiy I.O., Sagitova A.M., Andreev Y. M., “Verification of an integral figure of merit for mid-IR nonlinear crystals”, Appl. Opt. 58, 2485-2489 (2019).
49. AngpeeBa Ю.М, Ионин А.А, Киняевский И.О., Климачев Ю.М, Козлов А.Ю., Котков
А.А., Ланский Г.В, Шайдуко А.В. Широкополосная лазерная система на монооксиде углерода, действующая в интервале длин волн 2.5 - 8.3 мкм // Квантовая электроника, 2013, Т.43, №2, С.139-143
50. Аполлонов В.В., Грибенюков А.И., Короткова В.В., Суздальцев Ю.А.,Шакир А.Г. Вычитание частот излучения CO2-лазepов в кристалле ZnGeP2 Квантовая электроника, 1996, 23:6, 483-484
51. Андреев Ю.М., Быканов А.Н. , Грибенюков А.И., Зуев В.В., Карышев В.Д., Кислецов А.В., Ковалев И.О., Конов В.И., Кузьмин Г.П., Нестеренко А.А., Осоргин А.Е., Стародумов Ю.М., Чаплиёв Н.И. Преобразование импульсного лазерного излучения диапазона 9,3 - 9,6 мкм во вторую гармонику в кристаллах ZnGeP2 Квантовая электроника, 1990, 17:4, 476-480
52. Creeden D., McCarthy J.C., Ketteridge P.A., Southward T., Schunemann P.G., Komiak J.J., Dove W., hicklis E.P. Compact fiber-pumped terahertz source based on difference frequency mixing in ZGP // IEEE J.Sel. Top. Quantum. Electron. 2007. V. 13, N 3. P. 732-736.
53. Верозубова Г.А., Грибенюков А. И., Миронов Ю.П. Двухтемпературный синтез ZnGeP2 // Неорганические материалы, 2007, Т.43,№10, С.1164-1169.
54. Verozubova, G.A.; Gribenyukov, A.I.; Korotkova, V.V.; Ruzaikin, M.P. ZnGeP2 synthesis and growth from melt. Mater. Sci. Eng. B 1997, 48, 191-197.
55. Verozubova, G.A.; Gribenyukov, A.I.; Mironov, Y.P. Two-temperature synthesis of ZnGeP2. Inorg. Mater.2007, 43, 1040-1045.
56. Buehler, E.; Wernick, J.H. Concerning growth of single crystals of the II-IV-V diamond-like compounds ZnSiP2, CdSiP2, ZnGeP2, and CdSnP2 and standard enthalpies of formation for ZnSiP2 and CdSiP2. J. Cryst.Growth 1971, 8, 324-332. 20
57. Sangwal, K. Etching of Crystals: Theory, Experiment, Application; North-Holland: New York, NY, USA, 1987.
58. Schunemann P. G. and Pollak T. M., “Method for growing crystals,” U.S. patent 5,611,856 (March 18, 1997).
59. Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M., Ohmer M.C., Goldstein J.T., Stevens K.T., Halliburton L. E., and Giles N.C.,“Characterization of defect-related optical absorption inZnGeP2,”J. Appl. Phys. 86, 6677-6681 (1999).
60. Schunemann P. G. and Pollak T. M., “Method for growing crystals,” U.S. patent 5,611,856 (March 18, 1997).
61. Setzler S.D., Schunemann P.G., Pollak T.M., Ohmer M.C., Goldstein J.T., Stevens K.T., Halliburton L. E., and Giles N.C.,“Characterization of defect-related optical absorption inZnGeP2,”J. Appl. Phys. 86, 6677-6681 (1999).
62. Gribenyukov A.I., Verozubova G.A., Trofimov A.Yu., Vere A.W., Flynn C. J. Native Point Defect Interactions in ZGP Crystals under Influence of e-Beam Irradiation Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 744 © 2003 Materials Research Society
63. Gribenykov A.I., Verozubova G.A., Trofimov A., Yunda N.T., Vere A.W., Flyun C.J. in Proceedings of 6 International Conf. on Modification of Material with Particle Beams and Plasma Flows (Tomsk, 2002, p. 315)
64. Воеводин В.Г. Элементы оптической электроники на основе соединений A2B4C5 2: получение, свойства и применение: Дис. ... докт. наук. Томск, 2003. 395 с.
65. Воеводин В.Г., Чалдышев В.А. Исследование тройных полупроводников A2B4C52 // Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 63-73
66. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaja S.A., etal.Annealing of some II-IV-V2 crystals in the vapor of volatile constituents // MRS Proceedings. 2002. V. 692. P. 265 - 274.
67. Воеводин В.Г., Степанов В.Е. // Изв. вузов. Физика. 1994. № 11. С. 3 - 9.
68. Случинская А.И. Основы материаловедения и полупроводников. Москва (2002) С.376.
69. Verozubova, G.A.; Gribenyukov, A.I.; Korotkova, V.V.; Vere, A.W.; Flinn, C.J. ZnGeP2 growth: Melt non stoichiometry and defect substructure. J. Cryst. Growth 2002, 237-239, 2000-2004. 21.
70. Верозубова Г.А., Окунев А.О., Стащенко В.А. Выращивание нелинейно-оптического материала ZnGeP? и его дефектная // Вестник Новгородского Государственного Университета №3(86) Ч.2.2015
71. Окунев А.О., Верозубова Г.А., Труханов Е.М., Дзюба И.В. Идентификация дефектов структуры монокристаллов моделированием «зашумляющих» факторов // Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия): Сб. мат. Четвертого междунар. науч. семинара.
B. Новгород, 2008. С.153-156.
72. Verozubova G.A., Okunev A.O. Growth of ZnGeP2 Nonlinear Optical Crystals and Their Study by X-Ray Topography // Advanced Science Letters. 2013. V.19. №3. P.967-971(5).
73. Lei Z., Okunev A.O., Zhu C., Verozubova G.A., Yang C. Imaging of microdefects in ZnGeP2 single crystals by X-ray topography, 534, 125487, (2020).
74. Данилюк Л.Н., Окунев А.О., Ткаль В.А. Рентгеновская дифракционная топография дефектов структуры в кристаллах на основе эффекта. В.Новгород: НовГУ, 2006. 493 s.
75. Соколовская М.П. Кристаллография. М.: Высш.Школа., 1984. 376 s.
76. Creeden D., McCarthy J.C., Ketteridge P.A., Southward T., Schunemann P.G., Komiak J.J., Dove W., Chicklis E.P. Compact fiber-pumped terahertz source based on difference frequency mixing in ZGP // IEEE J. Sel. Top. Quantum. Electron. 2007. V. 13, N 3.P. 732-736.
77. Sirotkin A.A., Yudin N.N., Dyomin V.V., Gribenyukov A.I. Tunable THz-radiation in a ZnGeP2 single crystal pumped by dual-wavelength degenerate optical parametric oscillator// Laser Phys. Lett.2020, V.17, P. 035402 (5pp).
78. Юдин Н.Н., Дёмин В.В., Солдатов А.Н., Шумейко А.С., Юдин Н.А. О возможности генерации ТГц- излучения на разностной частоте в монокристалле ZnGeP2 при накачке излучением лазера на парах стронция // Оптика атмосферы и океана. 2020. Т.33. №3,
C. 192-198.
79. Bulgakova V., Ushakov A., Chizhov P., Yudin N., Zinovev M., Podzyvalov S., Dolmatov T., Bukin V., Garnov S. Terahertz generation by means of ZnGeP2 large aperture photoconductive antenna // Optical Engineering. 2021. V.60, N8. P.082015-1 - 082015-6.
80. Chuchupal S.V., Komandin G.A. Zhukova E.S., Porodinkov O.E., Spektor I.E., Gribenyukov A.I. Effect of electron irradiation of ZnGeP2 single crystals on terahertz losses in a wide temperature range// Physics of the Solid State. 2015. V. 57. №. 8. P. 1607-1612.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ
.