РЕФЕРАТ 2
ВЕДЕНИЕ 4
Глава 1. Обзор литературы 5
1.1 Электрические свойства органических полупроводниковых кристаллов
5
1.2 Оптические свойства органических полупроводниковых кристаллов 9
1.3 Применение органических полупроводниковых кристаллов в
электронике. 16
1.4. Вертикальные полевые транзисторы 20
1.4 Модели роста кристаллов 24
1.4.1 Гомогенное, гетерогенное образование зародышей 24
1.4.2 Источники слоев и скорость роста граней. 27
1.4.3 Устойчивые формы роста 31
1.4.4 Рост с использованием физической конденсации 32
1.5 Методы выращивания объемных органических полупроводниковых
кристаллов 36
1.5.1 Рост из раствора 36
1.5.2 Рост из расплава. 43
1.5.3 Кристаллизация из газовой (паровой) фазы 46
Глава 2. Практическая часть 52
2.1 Описание эксперимента 52
2.2 Результаты 57
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 65
Почти весь 20-й век исследования электрических свойств органических твердых веществ проводились только из академического интереса. Поскольку было мнение о том, что молекулярные материалы не смогут конкурировать с «обычными» металлами и полупроводниковыми материалами, что справедливо в случае сопряженных полимеров.
В настоящее же время технологии, основанные на органических полупроводниках, успешно развиваются. Это связанно с развитием прикладных и фундаментальных аспектов науки и техники в области современной электроники, с открытием новых методов синтеза в химии и химической технологии, а также с совершенствованием производственно-технологической базы.
В начале систематических исследований органических полупроводников (в период с 70-х годов прошлого века) наиболее изучаемыми материалами являлись короткие линейные алкены, а основным материалом для изучения стал кристалл антрацена (Ac). В настоящее время интерес переместился в область более длинных алкенов (в частности, пентацен (Pc)). Это связано с величиной запрещенной зоны (8д) которая делает материал более подходящим к применению в органической электронике.
В последнее время у исследователей растет интерес к олигомерам простых сопряженных полимеров [1]. Это вызвано тем, что при достаточной длине сопряжения они могут использоваться как полупроводники. Так же, материалы легко очищаются, а приборы на их основе достаточно дешевы в производстве.
В результате проведенных исследований было установлено, что внешнее УФ- излучение приводит к существенному изменению поверхностных процессов при отжиге кристаллов антрацена. В отсутствие внешнего освещения наблюдается послойноостровковых механизм растворения кристаллов антрацена. В течение 700 часов исследования поверхности наблюдается увеличение ширины террас. Не наблюдается формирование центров торможения ступеней. Совместный анализ динамики изменения морфологии поверхности, спектров поглощения и ИК-спектров показали, что образование центров торможения вызвано образованием труднодесорбируемых димеров антрацена на поверхности и объеме кристаллов. Таким образом, центры торможения - это островки, состоящие из димеров антрацена. Во время отжига кристаллов антрацена при естественном освещении присутствуют оба поверхностных процесса. Вначале преобладает послойно-островковый механизм растворения, а затем основную роль играет процесс образования центров торможения.
