Тип работы:
 Предмет:
 Язык работы:


ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛИМОРФНЫХ СТРУКТУР ОКСИДА ГАЛЛИЯ

Работа №192257

Тип работы

Магистерская диссертация

Предмет

физика

Объем работы68
Год сдачи2022
Стоимость4845 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
5
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


ВВЕДЕНИЕ 3
1.1 Структурные и полупроводниковые свойства метастабильных а- и е(к)-фаз оксида галлия7
1.2 Газовая чувствительность полиморфных фаз оксида галлия 10
1.3 Влияние полиморфизма на газочувствительные свойства металлооксидных
полупроводников 13
ВЫВОДЫ ПО ЛИТЕРАТУРНОМУ ОБЗОРУ 18
2.1 Метод получения полиморфных фаз оксида галлия 19
2.2. Методики исследования структурных, электрофизических и газочувствительных свойств структур на основе метастабильных а- и е(к)-фаз Ga2Os 21
3 Электрические и газочувствительные свойств a-Ga2Os 23
3.1 Влияние концентрации примеси олова на газочувствительные свойства МПМ структур а-Ga2Os 23
4 Газочувствительные свойства e(K)-Ga2Os 33
4.1 Влияние концентрации легирующей примеси на газочувствительные свойства e(K)-Ga2Os ..33
4.2 Влияние облучения ионами Si+на электрические и газочувствительные свойства структурe (K)-Ga2Os 37
5 Электрические и газочувствительные свойств структур a-Ga2Os/e(K)-Ga2O3 45
5.1 Исследование газочувствительных свойств структур a-Ga2O3/e(K)-Ga2O3 при воздействии водорода 45
5.2 Влияние кислорода на электрические и газочувствительные свойства структур a-Ga2O3/e(K)-Ga2O3 46
5.3 Исследование газочувствительных свойств структур a-Ga2O3/e(K)-Ga2O3 с островками каталитически активной платины на поверхности 52
5.4 Влияние металла контактов на газочувствительные свойства структур a-Ga2O3/ e(K)-Ga2O3 .55
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 57
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 59


Актуальность темы исследований. В настоящее время отмечается повышенный интерес к метастабильным а- и в(к)- фазам широкозонного полупроводника ОазОз. Достигнут значительный прогресс в росте их эпитаксиальных плёнок. Корундообразная a-фаза обладает среди всех политипов оксида галлия наибольшей шириной запрещенной зоны Eg,не менее 5.3 эВ, и при легировании Sn или Si имеет высокую донорную проводимость. В тоже время в-фаза с Egблизкой к 4.9 эВ является второй после р-СтазОз по температурной стабильности. в-ОазОз интересна тем, что обладает спонтанной поляризацией. Оба указанных политипа оксида галлия уже сейчас опробованы для ряда применений в области электронных приборов и сенсоров, а именно: прототипы диодов с барьером Шоттки; полевые транзисторы; УФ-детекторы; HEMT-транзисторы. Так же известно, что использование разных полиморфов сказываются на газовой чувствительности структур металлооксидных полупроводников (МО1111) на основе W, Mo, Ti и In. В зависимости от выбранного МО1111 и его фазы можно получать сенсоры различных газов. Это говорит о важности выбора полиморфов и исследование их без включения других фаз для разработки селективных датчиков разных газов на основе ОазОз. Иодобные исследования для структур на основе ОазОз на данный момент не проводились. Вмести с этим Р-Оа?Оз достаточно хорошо исследована и на ее основе уже изготавливают коммерческие варианты сенсоров, что говорит о перспективности использования данного материала в качестве газовых сенсоров.
Степень разработанности исследований.Исследования газочувствительных свойств Р-ОазОз ведутся еще с конца 80-х годов прошлого века, проведено множество исследований и даже есть коммерческие варианты исполнения сенсоров на основе этой фазы. Исследования газочувствительных свойств а- и в(к)- фаз ОазОз начались несколько лет назад и находятся еще на начальном этапе развития, но даже по первым результатам можно сделать выводы, что сенсоры на основе метастабильных фаз превосходят по некоторым параметрам сенсоры на основе Р-Оа?Оз и другие материалы, используемые в газовой сенсорике.
Целью диссертационной работыявляется исследование газочувствительных свойств метастабильных фаз оксида галлия.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
1. Исследовать электрофизические и газочувствительные свойства гомофазных а- и е(к)-фаз Ga2O3 и гетерофазных структур на их основе, при разных температурах нагрева и воздействии различных газов.
2. Установить влияние фазы, вида легирующей примеси и ее концентрации на газочувствительные свойства структур.
3. Разработать механизмы чувствительности для гомофазных а- и е(к)-фаз Ga2O3 и гетерофазных структур на их основе.
Научная новизна:
1. Показана зависимость газочувствительных свойств, отклика, быстродействия и диапазона рабочих температур от концентрации легирующей примеси для образцов на основе а- и е(к)-фаз Ga2O3.
2. Разработаны механизмы сенсорного эффекта для образцов на основе а- и е(к)-фаз Ga2O3.
Теоретическая и практическая значимость работызаключается в исследовании газовой чувствительности метастабильных гомофазных и полиморфных структур на основе а- и е(к)-фаз Ga2O3. Установлено влияние концентрации и вида легирующей примеси на газочувствительные свойства структур на основе а- и е(к)-фаз Ga2O3 и описание сенсорного эффекта для этих структур. На основе а- и е(к)-фаз Ga2O3 можно разрабатывать сенсоры низких концентраций водорода с высоким быстродействием и величиной отклика, данные сенсоры отличаются широким диапазоном чувствительности от единиц ppm до десятков тысяч. Так же можно получить низкотемпературные сенсоры кислорода с рабочим диапазоном от 150 до 250 °C.
Методология и методы исследования.Рентгеноструктурный анализ для определения фазового состава исследуемых структур, был проведен при помощи дифрактометров высокого разрешения Bruker D8 DISCOVER. Для исследования особенностей рельефа поверхности образцов использовался сканирующий электронный микроскоп Tescan MIRA 3 LMU. Сканирование выполнялось при ускоряющих напряжениях 15 и 20 кВ. Кроме этого, микрорельеф поверхности части образцов исследовался при помощи сканирующей электронной микроскопии (SEM). Толщины контактов, определялись при помощи профилометра.
В работе исследовались электрофизические и газочувствительные характеристики структур на основе а- и е(к)-фаз Ga2O3. Проводилось измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) и временных зависимостей тока в атмосфере чистого сухого воздуха и при воздействии различными газами (CO, CO2, O2, NO, NO2, H2, CH4, NH3), измерения при воздействии кислорода проводились в атмосфере азота. Нужная атмосфера в камере задавалась с помощью генератора газовых смесей Микрогаз Ф-06 фирмы Интера с регуляторами массового расхода газа Bronkhorst с точностью задания газовой смеси ± 0.5 %. Измерения ВАХ и временных зависимостей тока проводились при помощи источника - измерителя Keithley 2636A, позволяющего проводить измерения малых токов, вплоть до 10-11 - 10-12 А с точностью ± 0.02 %. Процесс измерения характеристик образцов проводился с помощью программы, разработанной в среде Lab View.
Расчеты газочувствительных характеристик проводились по общепринятым формулах, используемым в литературе.
Положения, выносимые на защиту:
1. Механизм газовой чувствительности структур на основе монокристаллических пленок ц-ОазОз, полученных методом HVPE и толщиной 2 мкм, заключается в образовании дипольного слоя на границе раздела контакта Pt и ц-ОазОз и описывается Ленгмюровской адсорбцией H2 для структур на основе контакта каталитически активной Pt и полупроводника.
2. Механизм газовой чувствительности структур на основе е(к)-Оа?Оз полученных методом HVPE и толщиной 0.5 мкм заключается в хемосорбции на поверхности е(к)-Оа2Оз атомарного кислорода из воздуха, который захватывает электроны из зоны проводимости полупроводника и приводит к образованию области пространственного заряда в приповерхностной части образцов.
3. Увеличение концентрации легирующей примеси в структурах на основе е(к)-Оа2Оз приводит к возрастанию плотности хемосорбированного на поверхности кислорода, что вызывает увеличение отклика на восстановительные газы и приводит к сдвигу рабочих температур в низкотемпературную область.
Степень достоверности результатов исследований.
Достоверность полученных результатов подтверждается при помощи неоднократно проведенных экспериментов при использовании самого современного измерительного оборудования, сопрягаемого с ПК, и специально разработанных программ.
Апробация результатов исследований. Результаты исследований были представлены на следующих конференциях и конкурсах:
1. Всероссийский инженерный конкурс «ВИК-2019» (Симферополь, 2019).
2. Семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества
«СПФКС-21» (Екатеринбург, 2021).
3. VIII Всероссийский с международным участием Молодежный научный форум «Open Science 2021» (Гатчина, 2021)
Помимо этого, было написано 8 статей по результатам исследований, опубликованных в журналах, цитируемых WoS, Scopus и перечнем ВАК, которые активно цитируются российскими и зарубежными авторами:
1. Almaev A.V., Chernikov E.V., Kushnarev B.O., Yakovlev N.N. Effect of oxygen on the properties of Ga2O3:Si thin films. Journal of Physics: Conference Series. 2019, 1410(1), 012201.
2. Almaev A.V., Yakovlev N.N., Kalygina V.M., Kopyev V.V., Chernikov E.V., [et al.]. Hydrogen influence on electrical properties of Pt-contacted a-GaiOrc-GazCO structures grown on patterned sapphire substrates. Journal of physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 41. P. 414004(9pp).
3. Yakovlev N.N., Nikolaev V.I., Stepanov S.I., Almaev A.V., Pechnikov A.I., Chernikov E.V., Kushnarev B.O. Effect of oxygen on the electrical conductivity of Pt-contacted a-Ga2O3/;:(i<)-Ga2O3 MSM structures on patterned sapphire substrates. IEEE Sensors Journal. 2021. Vol. 21, № 13. P. 14636-14644.
4. Almaev A.V., Nikolaev V.I., Butenko P.N., Yakovlev N.N., Sinyugin I.M., Shapenkov
5. V., [et al.]. Gas sensors based on pseudo - hexagonal phase of gallium oxide. Physica Status Solidi B: Basic Research. 2022. Vol. 258, № 9. P. 2100306.
5. Almaev A.V., Chernikov E.V., Novikov V.A., Kushnarev B.O., Yakovlev N.N., Chupriakova E.V., Oleinik V.L., Lozinskaya A.D., [et al.]. Impact of Cr2O3 additives on the gas-sensitive properties of P-Ga2O3 thin films to oxygen, hydrogen, carbon monoxide and toluene vapors //Journal of vacuum science & technology A: Vacuum, surfaces, and films. 2021. Vol. 39, № 2. P. 023405.
6. Almaev A.V., Yakovlev N.N., Chernikov E.V., Kushnarev B.O., [et al.]. Effect of Ambient Humidity on the Electrical Conductivity of Polymorphic Ga2O3 Structures //Semiconductors. 2021. Vol. 55, № 4. P. 346-353.
7. Almaev A.V., Nikolaev V.I., Yakovlev N.N., Chernikov E.V., [et al.]. Hydrogen sensors based on Pt/a-Ga2O3:Sn/Pt structures. Sensors and Actuators B: Chemical 2022. 364, 131904.
8. Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Черников Е.В., Кушнарёв Б.О., и др. Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga2Oз-структур. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276.


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!
ДИПЛОМНЫЕ МАГИСТЕРСКИЕ ДИССЕРТАЦИИ
КУРСОВЫЕ СТАТЬИ ВКР

1. Для структур Pt/a-Ga2O3:Sn, толщиной 2 мкм ключевую роль в чувствительности структур к Н2 играет контакт Pt/a-Ga2O3. Чувствительность исследованных структур а- Ga2O3:Sn к водороду объясняется изменением высоты потенциального барьера на границе Pt/a-Ga2O3:Sn. Наибольшая чувствительность к H2 наблюдалась в интервале температур от 150 до 500 °С для структур с концентрацией Sn 1.7-1018 см-3. Отклик на 104 ppm H2при 350 °C достигал 80. Структуры практически не реагировали на O2 и NO и слабо реагировали на CO, CH4 и NH3. Скорость отклика структур Pt/a-Ga2O3:Sn на H2 была низкой и составляла от десятков до сотен секунд. Однако предварительная обработка образцов в газовой смеси чистый воздух + NO снижала времена отклика до < 10 с.
2. Пленки e(x)-Ga2O3 имели зернистую структуру, представленную кристаллитами c размерами 200-600 нм. ВАХ образцов e(x)-Ga2O3 сохраняли линейность во всем диапазоне температур даже при воздействии газов. Омическое поведение контактов было вызвано высокими рабочими температурами. Оценки показали, что полупроводниковая проводимость имеет место в поликристаллическом e(x)-Ga2O3 при высоких температурах. Сенсорный эффект заключается в хемосорбции на поверхности e(K)-Ga2O3 атомарного кислорода из воздуха, который захватывает электроны из зоны проводимости полупроводника и приводит к образованию области пространственного заряда в приповерхностной части образцов. Легирование e(x)-Ga2O3 позволяет значительно повысить чувствительность полупроводника к H2 и сместить диапазон чувствительности в низкотемпературную область.
3. Ионная имплантация является перспективным способом легирования полиморфных структур оксида галлия. Путем введения различных доз ионов Si+в Ga2O3, можно управлять чувствительностью МПМ структур на основе е(к)- фаз Ga2O3 к ряду газов. Все образцы e(K)-Ga2O3, кроме контрольных без отжига, проявляли чувствительность к NH3 И СО. Наибольший отклик на водород проявляли образцы с D = 8*1015 ион/см2, отклик на 5-103ppm H2 при 150 °C составлял 1205.97 %. Образцы с D = 8*1012 ион/см2 имеют отклик на СО2. Образцы с D = 8*1013 ион/см2 имеют отклик на СН4.
4. Полиморфные структуры a-Ga2O3/e(K)-Ga2O3 характеризуются низкими температурами максимального отклика на H2. Варьируя концентрацию легирующей примеси и содержание фаз можно управлять чувствительностью образцов. Так образцы с Nd~ 1017 см-3, проявляют чувствительность к Н2 при TMAX= 125 °C. Образцы с Nd~1016 см-3 проявляют чувствительность к О2 с TMAX= 200 C.
5. Нанесение островковых слоев каталитически активной платины на поверхность образцов между контактами приводит к возрастанию отклика образцов на воздействии Н2 и уменьшения TMAXдо 100 °C. Отклик возрастает в результате уменьшения сопротивления полупроводника в результате скопления атомов водорода на островках платины. Атомы водорода отдают электроны в объем полупроводника что приводит к большему изменению тока при воздействии Н2 по сравнению с образцами без островков Pt.
6. Использование Au контактов для образцов а-Оа2Оз/е(к)-Оа2Оз проводит к появлению чувствительности при воздействии NO, так как Au является катализатором для этого газа. Образцов а-Оа2Оз/е(к)-Оа2Оз c Pd контактами проявляют высокий отклик на воздействие водорода за счет лучших условий диффузии атомов водорода в Pd по сравнению с Pt.


1. Stepanov S. I., Nikolaev V. I., Bougrov V. E., Romanov A. E. 2016 Rev. Adv. Mater. Sci. 44. 63.
2. Pearton S. J., Yang J., Cary P. H., Ren F., Kim J., Tadjer M. J., Mastro M. A. 2018 Appl. Phys. Rev. 5 011301
3. Lee S. D., Ito Y., Kaneko K., Fujita S.. Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping. Japanese Journal of Applied Physics 54, 030301 (2015).
4. Mezzadri F., Calestani G., Boschi F., Delmonte D., Bosi M., Fornari R. Inorganic Chemistry. 2016. DOI: 10.1021/acs.inorgchem.6b02244
5. He H., Orlando R., Blanco M. A., Pandey R.. First-principles study of the structural, electronic, and optical properties of Ga2O3 in its monoclinic and hexagonal phases. Physical review B 74, 195123. 2006.
6. 2018 Ground breaking work on gallium oxide (Ga2O3) normally-off transistor Flosfia.
7. Lu Y.M. [et al.]. Preparation of Ga2O3 thin film solar-blind photodetectors based on mixed-phase structure by pulsed laser deposition. - 2019. - V 28. 018504.
8. Zi-Chang Zhang, Ye Wu, Shaikh Ahmed. First-principles calculation of electronic structure and polarization in r.-GazO; within GGA and GGA+U frameworks. Mater. Res. Express 6 (2019) 125904.
9. Mezzadri F., Calestani G., Boschi F., Delmonte D., Bosi M., Fornari R. Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ;'.-Ga:O3 Films Grown on (0001)-Sapphire. Inorg. Chem. 2016, 55, 22, 12079-12084. https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b02244.
10. Nikolaev V. I., Stepanov S. I., Pechnikov A. I., Shapenkov S.V., Scheglov M. P., Chikiryaka A.V., Vyvenko O. F.. HVPE Growth and Characterization of ;'.-Ga:O3 Films on Various Substrates. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2020. 9. 045014 DOI: 10.1149/2162- 8777/ab8b4c.
11. Yao Y., Lyle L.A.M., Rokholt J.A., Okur S., Tompa G.S., Salagaj T., Sbrockey N., Davis R.F., Porter L.M. Growth and Characterization of a-, P-, and ;'.-Ga:O3 Epitaxial Layers on Sapphire. ECS Transactions, 80 (7) 191-196 (2017).
12. Bardeleben H. J., Cantin J. L., Parisini A., Bosio A., Fornari R. Conduction mechanism and shallow donor properties in silicon-doped ;'.-Ga:O3 thin films: An electron paramagnetic resonance study. Physical review materials 2019. 3, 084601.
13. Leone S., et al. Epitaxial growth of GaN/Ga2O3 and Ga2Os/GaN heterostructures for novel high electron mobility transistors. J. Cryst. Growth. 2020. 534, 125511 https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125511.
14. Liu Z., et al. Fabrication of ;'.-Ga:O3 solar-blind photodetector with symmetric interdigital Schottky contacts responding to low intensity light signal J. Phys. D: Appl. Phys. 2020. 53(29) 295109 DOI: 10.1088/1361-6463/ab86e5.
15. Ahmadi E., Oshima Y. Materials issues and devices of a- and P-Ga2Os. Cite as: J. Appl. Phys. 2019. 126, 160901.
16. Kaneko K., Suzuki K., Ito Y., Fujita S. Growth characteristics of corundum-structured a-(AlxGa1-x)2Os/Ga2O3 heterostructures on sapphire substrates. J. Cryst. Growth. 2016. 436, 150-154.
17. Dong L., [et al.]. Effects of oxygen vacancies on the structural and optical properties of P-Ga2O3. Scientific Reports. 2017. 7:40160, DOI: 10.1038/srep40160.
18. Polyakov A. Y., [et al.]. Deep trap spectra of Sn-doped-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy onsapphire. Cite as: APL Mater. 2019. 7, 051103.
19. Liu Z., [et al.]. Fabrication and characterization of Mg-doped ;'.-Ga:O3 solar-blind photodetector. Vacuum. 2020. 177, 109425.
20. Parisini A. [et al.]. Si and Sn doping of ;'.-Ga:O3 layers. Cite as: APL Mater. 2019. 7, 031114.
21. Pavesi M. [et al.]. ;'.-Ga:O3 epilayers as a material for solar-blind UV photodetectors. Materials Chemistry and Physics. 2018. 205 502-507.
22. Almaev A. V., [et al.]. Hydrogen influence on electrical properties of Pt-contacted a-GazOvc-GazO; structures grown on patterned sapphire substrates. J. Phys. D: Appl. Phys. 2020. 53 414004 (9pp).
23. Marko J. Tadjer [et al.]. Editors' Choice-Review-Theory and Characterization of Doping and Defects in P-Ga2O3. l ECS J. Solid State Sci. Technol. 2019. 8 Q3187.
24. Wang Z. [et al.]. Deep-level defects in gallium oxide. J. Phys. D: Appl. Phys. 2021. 54 043002.
25. Lyons J.L. Electronic properties of Ga2O3 polymorphs. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2019. 8 Q3226.
26. Von Bardeleben H.J., [et al.]. Conduction mechanism and shallow donor properties in silicon-doped ;'.-Ga:O3 thin films: An electron paramagnetic resonance study, Phys. Rev. Mat. 2019. 3, 084601.
27. Afzal A. Р-ОазОз nanowires and thin films for metal oxide semiconductor gas sensors: Sensing mechanisms and performance enhancement strategies. Journal of Materiomics. 2019. V 4. 70126.
28. Ogita M., [et al.]. Presumption and improvement for gallium oxide thin film of high
temperature oxygen sensors. Appl. Surf. Sci. 2003. 212-213, 397-401.
https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00122-3.
29. Bartic M., Ogita M., Isai M., Baban C.L., Suzuki H. Oxygen sensing properties at high temperatures of P-Ga2O3 thin films deposited by the chemical solution deposition method. J. Appl. Phys. 2007. 102, 023709. https:ZZdoi.org/10.1063Z1.2756085.
30. Bartic M., Toyoda Y., Baban C.L. Ogita M. Oxygen sensitivity in gallium oxide thin films and single crystals at high temperatures. Jap. J. Appl. Phys. 2006. 45, 5186. https://doi.org/10.1143/JJAP.45.5186.
31. Liu Z., Yamazaki T., Shen Y., Kikuta T., Nakatani N., Li Y. O2 and CO sensing of Ga2O3
multiple nanowire gas sensors. Sens. Actuators B Chem. 2008. 129, 666-670.
https://doi.org/10.1016/j.snb.2007.09.055.
32. Cuong N.D., Park Y.W., Yoon S.G. Microstructural and electrical properties of Ga2O3 nanowires grown at various temperatures by vapor-liquid-solid technique. Sens. Actuators B Chem. 2009 140, 240-244. https://doi.org/10.1016/j.snb.2009.04.020.
33. Kim H., Jin C., An S., Lee C. Fabrication and CO gas-sensing properties of Pt
functionalized Ga2O3 nanowires. Ceram. Int. 2012. 38, 3563-3567.
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2011.12.072.
34. Li Y., Trinchi A., Wlodarski W., Galatsis K., Kalantar-zadeh K. Investigation of the oxygen gas sensing performance of Ga2O3 thin films with different dopants. Sens. Actuators B Chem. 2003. 93, 431-434. https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00171-0.
35. Pandeeswari R., Jeyaprakash B.G. High sensing response of P-Ga2O3 thin film towards ammonia vapours: influencing factors at room temperature. Sens. Actuators B Chem. 2014. 195, 206-214. https://doi.org/10.1016/j.snb.2014.01.025.
36. Almaev A.V., Chernikov E.V., Davletkildeev N.A., Sokolov D.V. Oxygen sensors based on gallium oxide thin films with addition of chromium. Superlattice Microst. 2020. 139, 106392. https://doi .org/10.1016/i. spmi .2020.106392
37. Vorobyeva N.A., [et al.]. Ga2O3(Sn) Oxides for High-Temperature Gas Sensors. Nanomaterials. 2021. 11, 11, 2938-2959. DOI: 10.3390/nano11112938
38. Mohammadi M.R., Fray D.J. Semiconductor TiO2-Ga2O3 thin film gas sensors derived
from particulate sol-gel route. Acta Mater. 2007. 55, 4455-4466.
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2007.04.011.
39. Bagheri M., Khodadadi A.A., Mahjoub A.R., Mortazavi Y. Strong effects of Gallia on structure and selective responses of Ga2O3-In2O3 nanocomposite sensors to either ethanol, CO or CH4. Sens. Actuators B Chem. 2015. 220, 590-599.https://doi.org/10.1016/j.snb.2015.06.007.
40. Lin K., Chen H., Chuang H., Chen C., Lu C., Cheng C., Liu W. Characteristics of
Pd/InGaP Schottky diodes hydrogen sensors. IEEE Sensors J. 2004. 4, 72, 9.
https://doi.org/10.1109/JSEN.2003.820320.
41. Kim C., Lee J., Lee Y., Cho N., Kim D., Kang W. Hydrogen sensing characteristics of Pd-SiC schottky diode operating at high temperature. J Eletcron Mater. 1999. 28, 02, 5. https://doi.org/10.1007/s11664-999-0014-1.
42. Ruths P., Ashok S., Fonash S., Ruths J. A study of Pd/Si MIS Schottky barrier diode hydrogen detector. IEEE Trans. Electron Devices. 1981. 28, 1003-9. https://doi.org/10.1109/T- ED.1981.20475.
43. Jang S., Jung S., Baik K. Hydrogen sensing performance of ZnO Schottky diodes in
humid ambient conditions with PMMA membrane layer. Sensors. 2020. 20, 835.
https://doi.org/10.3390/s20030835.
44. Szilagyi I. M. [et al.]. Gas sensing selectivity of hexagonal and monoclinic WO3 to H2S. Solid State Sciences. 2010. 12, 1857-1860.
45. Wang G. [et al.]. Fabrication and Characterization of Polycrystalline WO3 Nanofibers and Their Application for Ammonia Sensing. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 23777-23782.
46. Wang L. [et al.]. Materials and Manufacturing Processes. Materials and Manufacturing Processes. 2007, 22, 773-776.
47. Prasad A. K., Gouma P. I.. MoO3 and WO3 based thin film conductimetric sensors for automotive applications. Journal of materials science. 2003, 38, 4347 - 4352.
48. Beck D.D., White J.M., Rateliffe C.X. Catalytic reduction of CO with hydrogen sulfide.
2. Adsorption of H20 and H2S on anatase and mtile, J. Phys. Chem. 1986. 90 3123.
49. Bliznakov G., Peshev P., Leyacovska L. On the preparation of tungsten disulphide by salphidizing tungsten tricxide with hydrogen sulfide, Izv. OralKhim. Nauki. 1970. 3, 343.
50. Okamnto Y., Tomioka H., Katoh Y., Imanaka T., Teranishi S. Surface state and catalytic activity of MoO3/Al2O3 catalyst in the hydrodesulfurization of thiophene studied with X-RAY photoelectron spectroscopy, J. Phys. Chem. 1980. 84, 1833.
51. Ponzoni A. [et al.]. Ultrasensitive and highly selective gas sensors using three-dimensional tungsten oxide nanowire networks. Appl. Phys. Lett. 2006, 88.
52. Ponzoni A. [et al.]. Nanostructured WO3 Deposited by Modified Thermal Evaporation for Gas-Sensing Applications. Thin Solid Films 2005, 490, 81-85.
53. Gouma P. I., Prasad A. K., Iyer K. K. Selective nanoprobes for ‘signalling gases’. Nanotechnology. 2006, 17, S48-S53.
54. Guntner A. T., Righettoni M., Pratsinis S. E. Selective sensing of NH3 by Si-doped a-MoO3 for breath analysis. Sensors and Actuators B: Chemical. 2015, 223.
55. Kwak D. [et al.]. Molybdenum Trioxide (a-MoO3) Nanoribbons for Ultrasensitive Ammonia (NH3) Gas Detection: Integrated Experimental and Density Functional Theory Simulation Studies. ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019, 11, 11, 10697-10706.
56. Patil D.B. [et al.]. Facile synthesis of MoO3 nanoplates based NO2 gas sensor: Ultra selective and sensitive. Chemical Physics Letters 2021, 782, 139025.
57. Nagyne-Kovacs T. [et al.]. Hydrothermal Synthesis and Gas Sensing of Monoclinic MoO3 Nanosheets. Nanomaterials 2020, 10, 891; doi:10.3390/nano10050891.
58. Gouma P. I. Nanostructured polymorphic oxides for advanced chemosensors. Rev. Adv. Mater. Sci. 2003, 5, 147-154.
59. Oprea A., Gurlo A., Barsana N., Weimar U.. Transport and gas sensing properties of In2O3 nanocrystalline thick films:A Hall effect based approach. Sensors and Actuators B. 2009, 139, 322-328.
60. Bin Lu [et al.]. Morphology-Controllable Synthesis of Cubic-Structured In2O3 Particles with Enhanced NO2 Gas Sensitivity. Phys. Status Solidi A. 2018, 1800401
61. Song L. [et al.]. Sr-Doped Cubic In2Os/Rhombohedral In2O3 Homojunction Nanowires for Highly Sensitive and Selective Breath Ethanol Sensing: Experiment and DFT Simulation Studies. ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020, 12, 1270-1279.
62. Fang Chen [et al.]. Template-free synthesis of cubic-rhombohedral-In2O3 flower for ppb level acetone detection. Sensors and Actuators: B. Chemical. 2019, 290, 459-466.
63. Jiang H. [et al.]. Hierarchical rh-In2O3 crystals derived from InOOH counterparts and their sensitivity to ammonia gas. Cryst. Eng. Comm. 2013, 35.
64. Gurlo A., Riedel R.. Shape- Size- and Phase-Controlled Indium Oxide for Gas Sensing. IEEE Sensors. 2008, 1505-1508.
65. Elhadidy H., Sikula J., Franc J. Symmetrical current-voltage characteristic of a metal-semiconductor-metal structure of Schottky contacts and parameter retrieval of a CdTe structure. Semicond. Sci. Technol. 2012, 27, 015006 (6pp). doi:10.1088/0268-1242/27/1/015006.
66. Hubert T., Boon-Brett L., Black G., Banach U. Hydrogen sensors - A review. Sens Actuators B Chem. 2011, 157, 329, 52. https://doi.org/10.1016Zj.snb.2011.04.070.
67. Almaev A.V. [et al.]. Gas sensors based on pseudo - hexagonal phase of gallium oxide. Physica Status Solidi B: Basic Research. 2022. Vol. 258, № 9. P. 2100306.
68. Villora E. G., Shimamura K., Yoshikawa Y., Ujiie T., Aoki K. Electrical conductivity and carrier concentration control in P-Ga2Os by Si doping. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 202120. https:ZZdoi.org/10.1063Z1.2919728.
69. Uchida T., Kaneko K., Fujita S. Electrical characterization of Si-doped n-type a-Ga2O3 on sapphire substrates. MRS Advances. 2018, DOI: 13.1557/adv.2018.45.
70. Dong L., Yu J., Zhang Y., Jia R.. Elements (Si, Sn, and Mg) doped a-Ga2O3: First- principles investigations and predictions. Computational Materials Science. 2019, 156, 273-279.
71. Fahrenbruch A., Bube R.. Fundamentals Of Solar Cells Z New York 1983.
72. Liu H. [et al.]. Chemiresistive gas sensors employing solution-processed metal oxide quantum dot films. Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 163104. https://doi.org/10.1063Z1.4900405.
73. Yang S., Jiang C., Wei S. Gas sensing in 2D materials // Applied Physics Reviews. 2017, 4, 021304. https:ZZdoi.org/10.1063Z1.4983310.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.



Подобные работы


©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ
.