📄Работа №191521
Тема: ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР ИЗ РАСТВОРОВ AlGalnP НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ НА ИХ ОСНОВЕ
Тип работы
Бакалаврская работа
Предмет
физика
Объем:
39 листов
Год:
2019
Просмотров:
46
4210
руб.
🛒 Купить работу
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 5
1 Свойства светодиодных гетероструктур (обзор литературы) 6
1.1 Преимущества светодиодов 6
1.3 Квантовые ямы 7
1.4 Распределение носителей в р-и-гетеропереходах 8
1.5 Особенности светодиодной структуры AlGalnP 8
1.6 Перенос носителей заряда в гетероструктурах на основе AlGalnP 11
1.7 Внутренний квантовый выход и вывод излучения из диода 13
1.8 Вывод к литературному обзору 15
2.1 Экспериментальные образцы 17
2.2 Моделирование электрических характеристик светодиодов в среде SYNOPSYS
TCAD 19
3 Результаты и их обсуждение 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 33
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
1 Свойства светодиодных гетероструктур (обзор литературы) 6
1.1 Преимущества светодиодов 6
1.3 Квантовые ямы 7
1.4 Распределение носителей в р-и-гетеропереходах 8
1.5 Особенности светодиодной структуры AlGalnP 8
1.6 Перенос носителей заряда в гетероструктурах на основе AlGalnP 11
1.7 Внутренний квантовый выход и вывод излучения из диода 13
1.8 Вывод к литературному обзору 15
2.1 Экспериментальные образцы 17
2.2 Моделирование электрических характеристик светодиодов в среде SYNOPSYS
TCAD 19
3 Результаты и их обсуждение 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 33
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
📖 Введение
Сегодня все больше внимания уделяется поиску альтернативных эффективных источников света для замены существующих ламп накаливания. За последние несколько лет промышленное производство светодиодов стало важным сегментом рынка полупроводниковых приборов.
Светодиоды (СД) на основе полупроводниковых соединений AlGaInP находят широкое применение в спектральной области от зелено-желтого до красного цветов, в частности в системах сигнализации, отображения информации и т.п.
Целью данной работы является выявление влияния параметров гетероструктур из растворов AlGaInP на вольт-амперные характеристики светодиодов на их основе.
Работа направлена на исследование процессов переноса носителей заряда в многослойных структурах из твёрдого раствора AlGaInP.
Для достижения данной цели необходимо:
• изучить основные способы описания переноса заряда в полупроводниках,
• в рамках диффузионно-дрейфового подхода провести моделирование профилей потенциальной энергии, напряженности электрического поля и плотности заряда в гетероструктурах,
• рассчитать вольт-амперные характеристики структур с квантовыми ямами GaInP/AlGaInP.
В настоящем отчёте с использованием литературных данных рассмотрены свойства светодиодных гетероструктур на основе твёрдых растворов.
Светодиоды (СД) на основе полупроводниковых соединений AlGaInP находят широкое применение в спектральной области от зелено-желтого до красного цветов, в частности в системах сигнализации, отображения информации и т.п.
Целью данной работы является выявление влияния параметров гетероструктур из растворов AlGaInP на вольт-амперные характеристики светодиодов на их основе.
Работа направлена на исследование процессов переноса носителей заряда в многослойных структурах из твёрдого раствора AlGaInP.
Для достижения данной цели необходимо:
• изучить основные способы описания переноса заряда в полупроводниках,
• в рамках диффузионно-дрейфового подхода провести моделирование профилей потенциальной энергии, напряженности электрического поля и плотности заряда в гетероструктурах,
• рассчитать вольт-амперные характеристики структур с квантовыми ямами GaInP/AlGaInP.
В настоящем отчёте с использованием литературных данных рассмотрены свойства светодиодных гетероструктур на основе твёрдых растворов.
✅ Заключение
В ходе работы изучены базовые принципы моделирования полупроводниковых приборов с использованием среды проектирования Sentaurus TCAD. Проведено моделирование, рассчитаны профили распределения потенциальной энергии, напряженности электрического поля и заряда в различных светодиодных гомо- и гетероструктурах на основе твердых растворов AlGalnP; рассчитаны вольт-амперные характеристики. На основе полученных результатов можно сделать следующие выводы:
1. При выборе большого времени жизни неосновных носителей заряда распределение их концентрации вдоль структуры не описывается при помощи теории выпрямления в диодах с длинной базой, что связано с большим значением диффузионной длины, которая сопоставима с толщиной пассивных областей светодиода.
2. Увеличение времени жизни на 3 порядка приводит к снижению рекомбинационного тока по отношению к диффузионному, так что полный ток через структуру в основном определяется последним.
3. При доминировании диффузионных токов для светодиодных структур на основе твердого раствора AlGalnP вольт-амперная характеристика определяется процессами переноса носителей заряда в пассивных областях, но не в активной области, что определяет одинаковый вид зависимости тока от напряжения для различных светодиодов.
1. При выборе большого времени жизни неосновных носителей заряда распределение их концентрации вдоль структуры не описывается при помощи теории выпрямления в диодах с длинной базой, что связано с большим значением диффузионной длины, которая сопоставима с толщиной пассивных областей светодиода.
2. Увеличение времени жизни на 3 порядка приводит к снижению рекомбинационного тока по отношению к диффузионному, так что полный ток через структуру в основном определяется последним.
3. При доминировании диффузионных токов для светодиодных структур на основе твердого раствора AlGalnP вольт-амперная характеристика определяется процессами переноса носителей заряда в пассивных областях, но не в активной области, что определяет одинаковый вид зависимости тока от напряжения для различных светодиодов.
ИЛИ
Поиск аналога
📕 Список литературы
🛒 Оформить заказ
⚡ Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.