Кристалл GaSe является слоистым полупроводниковым материалом группы A3B6 обладает выраженной анизотропией структурных, механических и оптических свойств и имеет широкое применение в оптоэлектронике в качестве нелинейных элементов для преобразования ИК и терагерцового излучения. Нелинейные свойства GaSe позволят генерировать напряженности электрических полей терагерцовых импульсов. Так же GaSe обладает высоким двулучепреломлением, что позволяет реализовать фазосогласование и обладает высоким порогом оптического повреждения.
Многие уникальные свойства нелинейных кристаллов GaSe обусловлены его слоистой структурой. Каждый слой этого вещества имеет толщину в 4 атомных плоскости, соединённых в последовательности Se-Ga- Ga-Se. Сильная ковалентная связь между моноатомными слоями и слабая ван-дер-ваальсовая между тетрослоями делает кристалл квазидвухмерным и сильно анизотропным.
Так, как поверхность GaSe легко окисляется, что приводит к изменению свойств оптических элементов. В связи с этим становится актуальной разработка просветляющих покрытий для кристаллов GaSe. В данной работе будут использованы и исследованы просветляющие покрытия S1O2 и S13N4. Просветляющая поверхность должна обладать высокой лучевой стойкостью, оптической однородностью и широкой областью прозрачности. Будут исследоваться нанесения тонких пленок на поверхность кристалла, и исследоваться спектров пропускания и оптические свойства полученных структур
Целью данной работы является измерение спектров пропускания структур SiO2-GaSe, SisN4-GaSe в ИК диапазоне частот, под разными углами. До настоящего времени не разработана технология получения просветляющих покрытий на кристаллы GaSe. При проверке эффективности нелинейно-оптических кристаллов с просветляющими покрытиями важной задачей является исследование наклонного падения ИК излучения на кристалл, так как в реальных спектрометрических схемах, для реализации преобразования частот кристалл устанавливается под углом к лучу накачки.
Проведены измерения спектров пропускания кристаллов GaSe c покрытиями S1O2 и S13N4 в ИК диапазоне. Для образцов GaSe с двусторонним просветляющим покрытием SiO2 наблюдается увеличение пропускания до 93% на длине волны 1698 нм при падении луча ортогонально к образцу. Для GaSe с просветляющим покрытием Si3N4 наблюдается увеличение до 82% на длине волны 2600 нм. Для всех образцов с покрытиями наблюдается увеличение пропускания в сравнении с GaSe без покрытий, что подтверждает возможность использования SiO2 и Si3N4 в качестве просветляющих покрытий для кристаллов GaSe.
