Тема: Расчет амплитудного спектра микрополоскового сенсора рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 6
1 Полупроводниковые сенсоры ионизирующего излучения 7
1.1 Взаимодействие ионизирующего излучения с сенсором 7
1.2 Требования к материалу полупроводника для сенсора 7
1.3 Поглощение рентгеновского излучения в веществе 8
1.4 Наведенный ток 11
1.5 Эффективность сбора зарядов 12
1.6 Амплитудный спектр 13
1.7 Энергетическое разрешение 16
1.8 Выводы к литературному обзору 19
2 Экспериментальная часть 20
2.1 Алгоритм расчета амплитудного спектра 20
2.2 Результаты эксперимента и их обсуждение 22
25
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 25
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 26
27
ПРИЛОЖЕНИЕ А 27
📖 Введение
Получение необходимой информации о составе и характеристиках радиации, происходит чаще всего с помощью соответствующих приборов в электрические сигналы, которые затем измеряют, сортируют и регистрируют радиометрической аппаратурой. Радиометрические приборы состоят из сенсоров, в которых происходит преобразование энергии излучения в электрическую или др. сигналы, и регистрирующих устройств.
Метод измерения излучений ионизационными сенсорами заключается в счёте числа импульсов, вырабатываемых соответствующим сенсором под действием излучения. Этот метод намного более чувствителен. Кроме того, рабочий сигнал импульсных камер, пропорциональных и сцинтилляционных счётчиков содержит информацию двух видов: число импульсов говорит об интенсивности радиации, амплитуда импульсов - об энергии частиц. Амплитуда импульсов измеряется посредством многоканальных анализаторов. Развитие импульсных ускорителей частиц привело к разработке специальных быстродействующих счётных установок. Необходимость детального изучения ядерных процессов потребовало создание микрополосковых сенсоров.
Количественный и качественный анализ ионизирующих излучений необходим в различных областях науки и техники: в технологиях ядерно- топливного цикла, технике радиоактивных индикаторов, радиационном материаловедении, ядерной физике, физике элементарных частиц, радиохимии, геологии, радиационной химии, дефектоскопии в сельском хозяйстве, медицине, экологии, атомной энергетике, дозиметрии и радиационной безопасности, в практике обитаемых космических полётов и т. д. и т.п. Поэтому методы измерения ядерных излучений постоянно и весьма активно развиваются.
В данной работе проводится расчет амплитудного спектра в зависимости от параметров, что позволит создавать сенсоры с улучшенными характеристиками.
✅ Заключение
- рассмотрены физические процессы, определяющие вид амплитудного спектра и зависимость эффективности сбора заряда от напряжения, электрофизических характеристик материала сенсора и места поглощения гамма-квантов в сенсоре;
- разработан алгоритм и написана программа для расчета эффективности сбора заряда и амплитудного спектра в микрополосковом сенсоре на основе GaAs:Cr;
- выполнен расчет эффективности сбора заряда и амплитудного спектра в микрополосковом сенсоре на основе GaAs:Cr при воздействии гамма- квантов с энергией 60 кэВ и различном напряжении на сенсоре;
- показано, что вид амплитудного спектра микрополоскового GaAs:Cr сенсора при воздействии гамма-квантов с энергией 60 кэВ не имеет выделенного максимума и близок к спектру GaAs:Cr сенсоров с «плоской» геометрией.





