📄Работа №190946

Тема: Расчет амплитудного спектра микрополоскового сенсора рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr

📝
Тип работы Дипломные работы, ВКР
📚
Предмет физика
📄
Объем: 32 листов
📅
Год: 2017
👁️
Просмотров: 44
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
ℹ️ Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.

📋 Содержание

Реферат 2
ВВЕДЕНИЕ 6
1 Полупроводниковые сенсоры ионизирующего излучения 7
1.1 Взаимодействие ионизирующего излучения с сенсором 7
1.2 Требования к материалу полупроводника для сенсора 7
1.3 Поглощение рентгеновского излучения в веществе 8
1.4 Наведенный ток 11
1.5 Эффективность сбора зарядов 12
1.6 Амплитудный спектр 13
1.7 Энергетическое разрешение 16
1.8 Выводы к литературному обзору 19
2 Экспериментальная часть 20
2.1 Алгоритм расчета амплитудного спектра 20
2.2 Результаты эксперимента и их обсуждение 22
25
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 25
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 26
27
ПРИЛОЖЕНИЕ А 27

📖 Введение

Для решения различных задач, в науке и техники, в диапазоне радиоактивных излучений (потоки электронов, позитронов, рентгеновское и у-квантов, а- и [3- частиц и др.) и изучения свойств излучения, используют сенсоры ионизирующего излучения. Работа сенсоров излучения основана на взаимодействии излучений с веществом сенсора. Энергия излучения, поглощённая непосредственно или с помощью специальных устройств, вызывает в цепи сенсора излучения электрический ток, прохождение которого регистрируется измерительными схемами.
Получение необходимой информации о составе и характеристиках радиации, происходит чаще всего с помощью соответствующих приборов в электрические сигналы, которые затем измеряют, сортируют и регистрируют радиометрической аппаратурой. Радиометрические приборы состоят из сенсоров, в которых происходит преобразование энергии излучения в электрическую или др. сигналы, и регистрирующих устройств.
Метод измерения излучений ионизационными сенсорами заключается в счёте числа импульсов, вырабатываемых соответствующим сенсором под действием излучения. Этот метод намного более чувствителен. Кроме того, рабочий сигнал импульсных камер, пропорциональных и сцинтилляционных счётчиков содержит информацию двух видов: число импульсов говорит об интенсивности радиации, амплитуда импульсов - об энергии частиц. Амплитуда импульсов измеряется посредством многоканальных анализаторов. Развитие импульсных ускорителей частиц привело к разработке специальных быстродействующих счётных установок. Необходимость детального изучения ядерных процессов потребовало создание микрополосковых сенсоров.
Количественный и качественный анализ ионизирующих излучений необходим в различных областях науки и техники: в технологиях ядерно- топливного цикла, технике радиоактивных индикаторов, радиационном материаловедении, ядерной физике, физике элементарных частиц, радиохимии, геологии, радиационной химии, дефектоскопии в сельском хозяйстве, медицине, экологии, атомной энергетике, дозиметрии и радиационной безопасности, в практике обитаемых космических полётов и т. д. и т.п. Поэтому методы измерения ядерных излучений постоянно и весьма активно развиваются.
В данной работе проводится расчет амплитудного спектра в зависимости от параметров, что позволит создавать сенсоры с улучшенными характеристиками.

Возникли сложности?

Нужна качественная помощь преподавателя?

👨‍🎓 Помощь в написании

✅ Заключение

В результате проведенной работы можно сделать следующие выводы:
- рассмотрены физические процессы, определяющие вид амплитудного спектра и зависимость эффективности сбора заряда от напряжения, электрофизических характеристик материала сенсора и места поглощения гамма-квантов в сенсоре;
- разработан алгоритм и написана программа для расчета эффективности сбора заряда и амплитудного спектра в микрополосковом сенсоре на основе GaAs:Cr;
- выполнен расчет эффективности сбора заряда и амплитудного спектра в микрополосковом сенсоре на основе GaAs:Cr при воздействии гамма- квантов с энергией 60 кэВ и различном напряжении на сенсоре;
- показано, что вид амплитудного спектра микрополоскового GaAs:Cr сенсора при воздействии гамма-квантов с энергией 60 кэВ не имеет выделенного максимума и близок к спектру GaAs:Cr сенсоров с «плоской» геометрией.

Нужна своя уникальная работа?
Срочная разработка под ваши требования
Рассчитать стоимость
ИЛИ

📕 Список литературы

1. Абрамов А. И. Основы экспериментальных методов ядерной физики / А. И. Абрамов, Ю. А. Казанский, Е. С. Матусевич. - М. : Атомиздат, 1977. - 524 с.
2. Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов / В. И. Гаман. - Томск : НТЛ, 2000. - 426 с
3. Толбанов О. П. Сенсоры ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия // Вестн. Том. Гос-ного ун-та. Серия «Физика». - 2005. - № 285. - С.155-163.
4. Giakos G.C., Guntupalli R., De Abreu-Garcia J.A. Intrinsic Sensitivity of Cd1- xZnxTe Semiconductors for Digital Radiographic Imaging.// IEEE TIM, -2003, V. 52, NO. 5. - P.1559-1565.
5. Ядерная физика в Интернете// Проект кафедры общей ядерной физики физического факультета МГУ. Дата обновления 11.05.16 URL:
http ://nuclphys. sinp .msu. ru/ihem/ihem03. htm
6. Юсупов А.Р. Кинетические явления в аморфных полупроводниках: учеб. пособие [Текст]. - Уфа 2013 - 57с
7. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. - М. : Мир, 1991.-632 с., ил.

🖼 Скриншоты

🛒 Оформить заказ

Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.

©2026 Cервис помощи студентам в выполнении работ