Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlInGaP
Характеристики работы
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 5
1. Светодиоды и их характеристики 6
1.1 Излучательная и безызлучательная рекомбинация 6
1.2 Электрические характеристики светодиодов 14
2. Методика эксперимента 31
3. Результаты эксперимента и обсуждение 32
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 37
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 38
📖 Введение
Следует отметить, что недостаточно изучены механизмы протекания тока в данных светодиодах. В литературе отсутствуют однозначные экспериментальные данные по вольт-амперным характеристикам, а анализ экспериментальных данных в работах по исследованию транспорта носителей проводится с позиций наиболее простой модели - электроннодырочного гомоперехода. В связи с этим актуальной задачей является детальное исследование электрических характеристик данных структур при различных температурах и плотностях тока.
Целью настоящей работы является экспериментальное исследование влияния температуры на работу светодиодов на основе AlGalnP и изменение прямых вольт-амперных характеристик в широком интервале температур.
✅ Заключение
1. Прямую ветвь ВАХ при температурах Т = 150-300 К для светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе AlGaInP можно описать при помощи трех участков, два из которых описываются экспоненциальной зависимостью, а третий - линейной.
2. Механизм протекания тока при температурах Т = 150-300 К для
светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе AlInGaP связан с безызлучательной рекомбинацией (первый участок), излучательной рекомбинацией и диффузией носителей в активной области (второй участок), ограничением тока последовательным сопротивлением контактов (третий участок).
3. С увеличением концентрации Al в твердом растворе AlInGaP приводит к "сдвигу" вольт-амперной характеристики в область больших напряжений, что согласуется с описанными механизмами протекания
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
