Реферат 3
ВВЕДЕНИЕ 5
1. Светодиоды и их характеристики 6
1.1 Излучательная и безызлучательная рекомбинация 6
1.2 Электрические характеристики светодиодов 14
2. Методика эксперимента 31
3. Результаты эксперимента и обсуждение 32
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 37
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 38
Структуры на основе гетеропереходов из твердых растворов AlGalnP применяются для изготовления светодиодов красного и желтого свечения, которые используются в устройствах индикации, подсветки и освещения с использованием технологии RGB (Red Green Blue). Современные светодиоды на основе растворов AlGalnP имеют сложную структуру и включают множественные квантовые ямы в активной области и распределённое зеркало Брэгга.
Следует отметить, что недостаточно изучены механизмы протекания тока в данных светодиодах. В литературе отсутствуют однозначные экспериментальные данные по вольт-амперным характеристикам, а анализ экспериментальных данных в работах по исследованию транспорта носителей проводится с позиций наиболее простой модели - электроннодырочного гомоперехода. В связи с этим актуальной задачей является детальное исследование электрических характеристик данных структур при различных температурах и плотностях тока.
Целью настоящей работы является экспериментальное исследование влияния температуры на работу светодиодов на основе AlGalnP и изменение прямых вольт-амперных характеристик в широком интервале температур.
Таким образом, в результате проделанной работы освоена методика измерения статических вольт-амперных характеристик, измерено 2 светодиода на основе широкозонных полупроводников AlGaInP в широкой области температур. В итоге проведенных исследований можно сделать следующие выводы:
1. Прямую ветвь ВАХ при температурах Т = 150-300 К для светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе AlGaInP можно описать при помощи трех участков, два из которых описываются экспоненциальной зависимостью, а третий - линейной.
2. Механизм протекания тока при температурах Т = 150-300 К для
светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе AlInGaP связан с безызлучательной рекомбинацией (первый участок), излучательной рекомбинацией и диффузией носителей в активной области (второй участок), ограничением тока последовательным сопротивлением контактов (третий участок).
3. С увеличением концентрации Al в твердом растворе AlInGaP приводит к "сдвигу" вольт-амперной характеристики в область больших напряжений, что согласуется с описанными механизмами протекания
