Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


ВЛИЯНИЕ КИСЛОРОДА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ GazOa/SnOz

Работа №188857

Тип работы

Бакалаврская работа

Предмет

физика

Объем работы36
Год сдачи2024
Стоимость4360 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
14
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


АННОТАЦИЯ 3
ВВЕДЕНИЕ 4
1 ОазОз, SnO2 и гетероструктуры на их основе, как чувствительные элементы резистивных газовых сенсоров 6
1.1 Газовая чувствительность Оа2Оз 6
1.2 Газовая чувствительность SnO2 11
1.3 Газовые сенсоры на основе слоистых структур 11
ВЫВОДЫ ПО ЛИТЕРАТУРНОМУ ОБЗОРУ 15
2 Методика эксперимента 16
2.1 Методика изготовления образцов 16
2.2 Методика исследования структурных свойств образцов. СЭМ, ЭДС, спектры
пропускания 17
2.3 Методика исследования газовой чувствительности образцов 17
3 Структурные и газочувствительные исследования тонкоплёночных Ga2O3/SnO2/Ga2O3/SnO2/Ga2O3 структур 18
3.1 Структурные исследования 18
3.2 Исследование газовой чувствительности 22
3.2.1 Исследование температурной зависимости отклика при воздействии
фиксированной концентрации кислорода для образцов с межэлектродным расстоянием 200 мкм 22
3.2.2 Исследование температурной зависимости отклика при воздействии
фиксированной концентрации кислорода на образцы с межэлектродным расстоянием 1 мм 24
3.2.3 Исследование концентрационной зависимости на разные газы при фиксированной температуре 800 °С 27
3.3 Исследование образцов в атмосфере, приближённой к выхлопу бензинового ДВС при
фиксированной температуре 800 °С 27
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 30
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 31


Многослойные структуры на основе ОазОз/ЗпОз являются перспективным материалом для использования в качестве газовых сенсоров [1,2]. Температура отжига тонких плёнок, полученных методом магнетронного распыления, влияет на их газочувствительные свойства.
Актуальность работы состоит в том, что данные структуры можно использовать, например, в качестве сенсора для лямбда-зонда. Лямбда-зонд (1-зонд или датчик кислорода) — датчик уровня кислорода в газовой смеси или жидкости. Широко используется в автомобилестроении для определения относительного содержания кислорода в выхлопных газах выпускного коллектора двигателей внутреннего сгорания (ДВС). Высокая температура отжига получаемых образцов позволяет эксплуатировать их при достаточно высоких температурах, как, например, в системах выпуска отработанных газов ДВС автомобилей. Область применения этим не ограничивается и распространяется на следующие отрасли: медицина (обезболивающие инструменты, респираторы, кислородные обогатители, аппараты искусственной вентиляции лёгких); биотехнологии (кислородные инкубаторы, кислородные капсулы); пищевая промышленность (холодильники, теплицы); безопасность (кондиционеры, кислородные датчики, пожарные сигнализации).
В соответствии с целью изучения влияния кислорода на электрофизические характеристики многослойных структур на основе ОазОз/ЗпОз были поставлены следующие задачи:
- Провести исследования температурной зависимости отклика при воздействии фиксированной концентрации кислорода.
- Провести измерения концентрационной зависимости и стабильности при температуре максимального отклика.
- Провести исследование влияния других газов (CH4, NO, NO2 и тд.).
- Проведение структурных исследований (энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия (ЭДС), сканирующий электронный микроскоп (СЭМ), спектры пропускания)
Методами исследования будут служить измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ), временных зависимостей силы тока, ЭДС, СЭМ и спектров пропускания.
В данной выпускной квалификационной работе приводятся результаты структурных и газочувствительных исследований многослойных структур на основе Ga2O3/SnO2.


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


1. Слоистые структуры Ga?O3/SnO2 полученные методом ВЧ магнетронного распыления отличаются высокой однородностью согласно исследованиям, FESEM и ЭДС. Атомы Ga и Sn равномерно распределены по поверхности пленки. Отношение атомов Ga и Sn 5/1, что соотносится с толщинами слоев ОазОз и SnO? соответственно.
2. Сенсоры GO900 обладают высокой чувствительностью к О2, имеют высокую рабочую температуру 800 °C. Концентрационная зависимость отклика аппроксимируется степенной функцией с показателем степени 0,3, что указывает что механизм газовой чувствительности основан на взаимодействии с вакансиями кислорода.
3. Сенсоры GO900 в силу высокой рабочей температуры не отличаются высокими откликами на воздействие других газов, таких как CH4, CO, CO2, H2, NO.
4. Сенсоры GO900 могут регистрировать изменение кислорода на уровне 1% в атмосфере, приближенной к выхлопным газам ДВС.



1. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., BougrovV.E., Romanov A.E. Gallium oxide properties and application - A review. Reviews on Advanced Materials Science. 2016.V. 44. P. 63-86.
2. Pearton S.J., Yang J., Cary P.H. et al. A review of Ga?Os materials, processing, and devices. Applied Physics Reviews. 2018. V. 5. 011301 (56 pp).
3. Ueda N, Hosono H, Waseda R, Kawazoe H. Synthesis and control of conductivity of ultraviolet transmitting P-Ga?O3 single crystals. Appl Phys Lett. -1997. - V 70. - P 3561-3563.
4. Rafique S, Han L, Zorman CA, Zhao H. Synthesis of wide bandgap P-Ga?O3 rods on 3C- SiC on Si. Cryst Growth Des. - 2015. - V 16. - P 511-517.
5. Varley JB, Weber JR, Janotti A, Van de Walle CG. Oxygen vacancies and donor impurities in P-Ga?O3. Appl Phys Lett -2010. - V 97. 142106.
6. Wang Z. [et al.]. Deep-level defects in gallium oxide. J. Phys. D: Appl. Phys. 54 (2021) 043002 (31pp).
7. Zacherle T, Schmidt PC, Martin M. Ab initio calculations on the defect structure of P- Ga2O3. Phys Rev B -2013. - V 87. 235206.
8. Chang L-W, Li C-F, Hsieh Y-T, Liu C-M, Cheng Y-T, Yeh J-W, et al. Ultrahighdensity P-Ga2O3 / N -doped P-Ga2O3 Schottky and p-n nanowire junctions: synthesis and electrical transport properties. J Electrochem Soc -2011. - 158. - P 136-142.
9. Akaiwa K, Kaneko K, Ichino K, Fujita S. Conductivity control of Sn-doped a-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates. Jpn J Appl Phys. - 2016. - V 55. 1202BA.
10. Villora EG, Shimamura K, Yoshikawa Y, Ujiie T, Aoki K. Electrical conductivity and carrier concentration control in b-Ga2O3 by Si doping. Appl Phys Lett. -2008. - V 92. 202120.
11. Parisini A. [et al.]. Si and Sn doping of s-Ga2O3 layers. Cite as: APL Mater. 2019. 7, 031114.
12. Pavesi M. [et al.]. s-Ga2O3 epilayers as a material for solar-blind UV photodetectors. Materials Chemistry and Physics. 2018. 205 502-507.
13. Almaev A. V., [et al.]. Hydrogen influence on electrical properties of Pt-contacted a-Ga2O3/s-Ga2O3 structures grown on patterned sapphire substrates. J. Phys. D: Appl. Phys. 2020. 53 414004 (9pp).
14. Malik, R.; Tomer, V.K.; Mishra, Y.K.; Lin, L. Functional gas sensing nanomaterials: A panoramic view. Appl. Phys. Rev. 2020, 7, 021301.
15. Fleischer M., Meixner H., Gallium oxide thin films: a new material for high-temperature oxygen sensors, Sensors and Actuators B 4 1991 437-441.
...5


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ