Современное развитие технологий в области материаловедения и радиационной физики создает новые возможности для разработки и улучшения детекторов рентгеновского излучения. Такие детекторы находят широкое применение в медицине, промышленности, безопасности и научных исследованиях, требуя высокой чувствительности, стабильности и долговечности. Одним из перспективных материалов для создания таких детекторов является карбид кремния - полупроводник с уникальными физико-химическими свойствами: температуростойкостью, радиационной стойкостью и химической инертностью.
Таким образом, исследование чувствительности объемного нелегированного карбида кремния к рентгеновскому излучению представляет интерес. Данная работа направлена на моделирование чувствительности объемного нелегированного карбида кремния, что позволит понять механизмы взаимодействия рентгеновского излучения с данным материалом и определить его эффективность в качестве детектора. В процессе исследования использованы как экспериментальные данные, так и теоретическая модель, они позволяют провести анализ поведения объемного нелегированного карбида кремния под воздействием рентгеновского излучения.
В ходе проделанной работы были исследованы зависимости фототока сенсоров на основе объемного нелегированного карбида кремния от интенсивности рентгеновского излучения в диапазоне энергий от 10 до 60 кэВ. Проведено моделирование фототока от рентгеновского излучения с учетом эффективности сбора заряда. Анализируя полученные результаты, можно сделать следующие выводы:
1) Оценены времена жизни неравновесных носителей заряда, они составили: для электронов тп = 0.4 нс и для дырок тр = 0.2 нс.
2) Рассчитана эффективность сбора заряда без учета поляризации, она достигает 24% при напряжении смещения сенсоров 1000 В.
3) Разработана модель для расчета фототока в диапазоне энергий квантов от 10-60 кэВ интенсивностей потока от 2,169*107-1,085*108 (квантов/с*см2).
Результаты работы с публикацией сборника докладов были представлены на 10-ой Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы радиофизики» (АПР) - 2023. Также результаты будут представлены на Международной конференции “Синхротронное излучение и лазеры на свободных электронах” (СИ и ЛСЭ) - 2024 и 9-ом Международном конгрессе по энергетическим потокам и радиационным эффектам (EFRE) - 2024.
1. Основы физики ионизирующих излучений: учебное пособие/ М.Г Петрушанский. - Оренбург: ГОУ ОГУ, 2008.- 129с.
2. Кое-что о рентгеноструктурном анализе, электромагнитном излучении, рентгеновских лучах, их свойствах и дифракции [Электронный ресурс] //ChemNet: Портал фундаментального химического образования России. URL: https://www.chem.msu.su/ (дата обращения: 25.05.2024).
3. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике/ Ю.К. Акимов, О.В. Игнатьев, А.И. Калини. В. Ф. Кушнирук. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - 344 с. - ISBN 5-283¬02944-1
4. G. F. Knoll: "Radiation detection and measurements", (3rd edn), Wiley, New York, 2007.
5. Грибос П. Front-end Electronics for Multichannel Semiconductor Detector Systems. EuCARD Editorial Series on Accelerator Science and Technology. Vol.08. Краков, Польша: AGH- UST, 2012. EuCARD-BOO-2010-004.
6. Толбанов О.П. Детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия // Вестник Томского государственного университета. Серия "Физика". 2005. № 285.С. 155-163.
7. К.В.Шалимова Физика полупроводников. - 4-е изд. - САНКТ-
ПЕТЕРБУРГ*МОСКВА*КРАСНОДАР: Лань, 2010
8. Даргис, А.Ю. Измерение дрейфовой скорости в твердых телах / А.Ю. Даргис. — Вильнюс: Мокслас, 1987. — 203 с.
9. Ду Я., ЛеБлан Дж. У., Поссин Г. Е. Temporal response of CZT detectors under intense irradiation // Nuclear Science Symposium Conference Record, 2002 IEEE. — 2002. — Т. 1. — DOI: 10.1109/NSSMIC.2002.1239359.
10. Stephen E. Saddow, Anant Agarwal. Advances in Silicon Carbide Processing/ Saddow, Stephen E. Agarwal, Anant //Artech House semiconductor materials and devices library. - 2004. -P. 1-218.
11. Карбид кремния // Википедия: свободная энциклопедия. - [Б. м.], 2023. - URL https://ru.wikipedia.org/wiki/Карбид_кремния (дата обращения: 09.05.2024).
12. SiC detectors: A review on the use of silicon carbide as radiation detection material
13. M. Rogalla, K. Runge and A. Soldner-Rembold, Particle detectors based on semi-insulating silicon carbide, Nucl. Phys. Proc. Suppl. B 78 (1999) 516.
14. W. Cunningham et al., Performance of bulk SiC radiation detectors, Nucl. Instrum. Meth. A 487 (2002)33.
15. CERN RD50 collaboration, W. Cunningham et al., Performance of irradiated bulk SiC detectors, Nucl. Instrum. Meth. A 509 (2003) 127...20