Реферат 3
ВВЕДЕНИЕ 5
Глава 1. СВОБОДНЫЕ ЭКСИТОНЫ В БЕСПРИМЕСНОМ АЛМАЗЕ 6
1.1. Физические свойства беспримесного алмаза 6
1.2. Свободные экситоны 10
1.3. Свободные экситоны в спектре оптического поглощения алмаза 12
1.4. Свободные экситоны в спектрах люминесценции 13
Глава 2.СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ ВБЛИЗИ КРАЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ 16
2.1. Расчет спектра поглощения вблизи края фундаментального поглощения 16
2.2. Аппроксимация спектра фундаментального поглощения вблизи края
фундаментального края поглощения 21
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ 22
3.1. Описание образца С12 22
3.2. Описание эксперимента 22
Глава 4. ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ СВОБОДНЫХ ЭКСИТОНОВ В СПЕКТРЕ КАТОДОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ 25
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 27
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 28
Алмаз характеризуется прочной ковалентной связью и максимальной теплопроводностью, высокой радиационной стойкостью и химической инертностью. Данные свойства алмаза делают его перспективным полупроводником для электронных устройств, которым необходимо работать при высоких тепловых нагрузках и больших уровнях ионизирующих излучений в химически агрессивных средах.
Неравновесные электронно-дырочные пары в алмазе формируют свободные экситоны при температурах до ~ 650 К ввиду большой энергии связи (~80 мэВ). При комнатной температуре для алмаза характерна высокая вероятность излучательной рекомбинации свободных экситонов с максимумом полосы свечения на 235 нм.
Ввиду электронейтральности экситонов, алмазные устройства, излучающие в полосе их рекомбинации, должны работать не на основе электролюминесценции, т.е. не использовать дрейф носителей во внешнем электрическом поле. Алмазные катодолюминесцентные источники УФ излучения могли бы найти применение в устройствах обеззараживания воды в станциях водоподготовки и очистных сооружениях, для отверждения лаков и красителей при их нанесении на различные поверхности, в фотохимии и биотехнологических приложениях.
Изучали пропускание вблизи фундаментального края и излучательную рекомбинацию свободных экситонов в спектрах оптического поглощения и катодолюминесценции, соответственно.
Измеряли спектр оптического поглощения. Мы аппроксимировали стандартной формулой для перехода в экситонное состояние и межзонные переходы. При этом мы учитывали 4 фотонные моды TA-, LA-,TO-,LO-H тонкое расщепление на 4 подуровня на основе литературных данных. При этом наша аппроксимация не полностью соответствует измеренному спектру в диапазоне 5.25 - 5.35 эВ, 5.47 - 5.51 эВ, 5.54 - 5.56 эВ.
Таким образом, можем сделать вывод, что четырех подуровней свободных экситонов не достаточно для аппроксимации измеренного спектра поглощения алмаза С12.
Мы предполагаем, что тонкое расщепление свободных состояний расщеплено на большее количество подуровней.
Измеренный спектр катодолюминесценции не показал тонкого расщепления при комнатной температуре ввиду температурного уширения полос.
1. Липатов Е.И. Оптоэлектронное переключение в природном и синтетическом алмазе при управлении УФ излучением и электронными пучками : дис. ... к.ф.-м.н.с. / Е. И. Липатов. - Томск, 2011. - 159 с.
2. - P. 737-740. 5. Вечерин П.П., Журавлев В.В., Квасков В.Б. и др. Природные алмазы России. - М.: Полярон, 1997. - 304 с.
3. KohnE., AdamschikM., SchmidP. etal. Prospects of diamond devices // Journal of physics D: Applied physics. - 2001. - V. 34. - P. 77-85.
4. Алмаз в электронной технике / Под ред. В.Б. Кваскова. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 248 с.
5. Polyakov V.I., Rukovishnikov A.I., Rossukanyi N.M., et al. Photodetectors with CVD diamond films: electrical and photoelectrical properties photoconductive and photodiode structures // Diamond and related materials. - 1998. - V.7. - P.821-825.
6. Prasad R., Schein J., Gensler S.W., Krishnan M. Optically triggered diamond switch // Proceedings of the 12th IEEE Pulsed Power conference. - Monterey, CA, USA. - 1999. - P.142-145.
7. Koizumi S., Watanabe K., Hasegawa M. et al. Formation of diamond p-n junction and its optical emission characteristics // Diamond and related materials. - 2002. - V. 11. - P. 307-311.
8. Makino T., Kato H., Ogura M. et al. Electrical and optical characterizations of (001)oriented homoepitaxial diamond p-n junction // Diamond and related materials. - 2006. - V. 15, № 4-8. - P. 513-516.
9. Makino T., Tokuda N., Kato H. et al. Electrical and light-emitting properties of (001)oriented homoepitaxial diamond p-i-n junction // Diamond and related materials. - 2007. - V. 16, № 4-7. - P. 1025-1028.
10. Yoneda H., Ueda K.-i., Aikawa Y. et al. Photoconductive properties of chemical vapor deposited diamond switch under high electric field strength // Applied physics letters. - 1995. - V. 66, № 4. - Р. 460-462.
11. Aikawa Y., Baba K., Shohata N. et al. Photoconductive properties of polycrystalline diamond under high electric field strength // Diamond and related materials. - 1996. - V. 5. - P. 737-740.
12. Pan L.S., Kania D.R., Pianetta P., Landen O.L. Carrier density dependent photoconductivity in diamond // Applied physics letters. - 1990. - V.57. - №6. - P.623625.
13. Krishnan M., Xu X., Schein J. et al. Fast opening diamond switch for high voltage, high average power inductive energy store modulators // Proceedings of the 12th IEEE Pulsed Power conference. - Monterey, CA, USA, 1999. - P. 1222-1225.
17. Харькив А.Д., Квасница В.Н., Сафронов А.Ф., Зинчук Н.Н. Типоморфизм алмаза и его минералов-спутников из кимберлитов. - Киев: Наукова думка. - 1989. - 183 с.
15. Pan L.S., Kania D.R., Pianetta P., et al. Temperature dependent mobility in singlecrystal and chemical vapor-deposited diamond // Journal of applied physics. - 1993. - V.73. - №6. - P.2888-2894.
..22