ВВЕДЕНИЕ 4
1 Рекомбинационное излучение экситонов в алмазе 6
1.1 Физические свойства беспримесного алмаза 6
1.2 Оптические свойства алмаза 8
1.3 Свободные и связанные экситоны 10
1.4 Свободные и связанные экситоны в спектрах люминесценции 12
2.Экспериментальные результаты 17
2.1 Образец 17
2.2. Экспериментальная установка и методика эксперимента 18
2.3 Экспериментальные данные и их обсуждение 20
Заключение 23
Литература 24
Алмаз обладает рядом уникальных свойств: Прочная ковалентная связь, максимальная теплопроводность, высокая радиационная стойкость, высокая электрическая прочность, химическая инертность, высокая подвижность носителей заряда при повышенных температурах и т.д.
Характерные оптические свойства алмаза вместе с его твердостью и обусловили те его качества как драгоценного камня, которые ценятся с давних пор и до настоящего времени.
Неравновесные электронно-дырочные пары в алмазе создают свободные экситоны при температурах до ~ 650 К ввиду большущий энергии связи (~80 мэВ собственно что соответствует температуре ~340 °C для тепловой ионизации свободного экситона в алмазе). При комнатной температуре для алмаза свойственна высочайшая возможность излучательной рекомбинации свободных экситонов с максимумом полосы свечения на 235 нм [1].
Ввиду электронейтральности экситонов, алмазные устройства, излучающие в полосе их рекомбинации, обязаны работать не на основе электролюминесценции, т.е. не использовать дрейф носителей во внешнем электрическом поле. Алмазные катодолюмпнесцентные источники УФ излучения могли бы найти применение в устройствах обеззараживания воды в станциях водоподготовки и очистных сооружениях, для отверждения лаков и красителей при их нанесении на различные поверхности, в фотохимии и биотехнологических приложениях.
Целью настоящей работы является исследование температурного поведения интенсивности экситонной катодолюминесценции номинально (беспримесного) образца синтетического алмаза в диапазоне 80-400К.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
изучить литературные данные по темам «Оптические явления в
полупроводниках» и «Свободные экситоны в полупроводниках»;
• подготовить литературный обзор по теме «Краевая люминесценция алмаза»;
• провести экспериментальные исследования температурной зависимости интенсивности катодолюминесценции алмаза в полосе излучательной рекомбинации свободных экситонов;
• проанализировать полученные экспериментальные результаты;
• написать отчет о проделанной работе, подготовить презентацию доклада.
При проведении данного исследования были рассмотрены физические, оптические свойства беспримесного алмаза, свободные и связанные экситоны, свободные и связанные экситоны в спектрах люминесценции.
Освоен экспериментальный комплекс по измерению спектров пропускания веществ в области излучений от мягкого ультрафиолета, до ближней ПК области в широком диапазоне температур. Измерен спектр оптического пропускания тестовых структур.
Основные результаты исследования: Исследованы перегибы на определенных длинах волн 225 нм, 230 нм, 235 нм , 240 нм.
С повышением температуры интенсивность пика свободного экситона в области 350 нм уменьшается и сдвигается в коротковолновую область.
1. Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. Москва : Издательство ИКАР. 2017.
2. Ivan Pelant, Jan Valenta. Luminescence Spectroscopy of Semiconductors. New York : Oxford University States Press Inc., 2012.
3. Дерягин Б.В., Федосеев Д.В. Алмазы делают химики. Москва : Педагогика, 1980. ББК 35.46.
4. Ed.Nebel.C.E., RisteinJ. Thin-Film Diamond I.//Semiconductors and Semimetals, б.м. : Elsevier, 2003. V.76.
5. Войцеховский А. В. Оптика полупроводников : учебное пособие / А. В. Войцеховский, А. С. Петров, Г. II. Потахова ; под ред. А. С. Петрова ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. - Томск : Издательство Томского университета, 1987.
6. Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. Москва-2017. 8-17.
7. Fundamental band edge absorption in normally undoped and doped 4H-S1C. Grivickas P., Grivickas V., Linnros J., Galeckas A. 12, б.м. : Journal of Applied Physics, 2007 г., T. 101. 123521.
8. Федорова B.H., Фаустов E.B. Медицинская и биологическая физика. Курс лекций с задачами: учебное пособие. [Электронный ресурс] Москва : ГЭОТАР-Медиа, 2010 г. ISBN 78-5-9704-1423-1.
9. Kanda Н.. Watanabe К. Change of cathodoluminescence spectra of natural diamond with HPHT treatment. Diamond, Related Materials. Elsevier B.V., 2004 г., T. 13,904-908.
10. Teofilova N., Sauer R., Thonke K., Koizumi S. Bound exciton luminescence related to phosphorus donors in CVD diamond. Physica B. ELSEVIER, 2003 г., T. 340-342, 100.
11. Kawarada H., Yokota Y., Hiraki A. Intrinsic and extrinsic recombination radiation from undoped and boron-doped diamonds formed by plasma CVD. American Institute of Physics. 57, 1990 r., 18.
12. Cathodoluminescence of Natural Diamonds from Jakutian Deposits. Zezin R.B., Saparin G.V., Smirnova E.P., Obyden S.K., Chukichev M.V. 326-333, Moskow : FAMS, INC., 1990 г., T. 12.
13. N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits, A.M. Zaitse. Cathodoluminescence of synthetic diamonds annealed at high temperature without.stabilizing pressure. Diamond and Related Materials, б.м. : Elsevier, 2017.
14. Kanda H., Watanabe K., Koizumi S. Change of cathodoluminescence spectra of diamond with continuous irradiation of low energy beam of 20 kV. Diamond, Related Materials. Elsevier B.V., 2005 г., T. 14, 561-565.
15. Kanda H., Watanabe K. Change of cathodoluminescence spectra of diamond with irradiation of low energy electron beam followed by annealing. Diamond & Related Materials. Elsevier B.V., 2006 r., 15.