📄Работа №187052
Тема: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ТИТАНОМ
Тип работы
Бакалаврская работа
Предмет
физика
Объем:
42 листов
Год:
2023
Просмотров:
45
4420
руб.
🛒 Купить работу
Не подходит эта работа?
Закажите новую по вашим требованиям
Узнать цену на написание
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
Настоящий учебно-методический информационный материал размещён в ознакомительных и исследовательских целях и представляет собой пример учебного исследования. Не является готовым научным трудом и требует самостоятельной переработки.
📋 Содержание
РЕФЕРАТ 3
ВВЕДЕНИЕ 6
1 Физико-химические свойства оксида галлия 7
1.1 Полиморфизм Ga2O3 7
1.2 Легирование Р-ОазОз 9
1. 3 Методы выращивания и осаждения 15
1.3.1 Химический синтез 15
1.3.2 Термическое испарение и сублимация 16
1.3.3 Молекулярная лучевая эпитаксия 16
1.3.4 Рост из расплава 17
1.3.5 Высокочастотное магнетронное напыление 19
1.4 Влияние подложки на проводимость 22
1.5 Применение тонких пленок Оа2Оз 26
1.6 Фотоэлектрические и электрические характеристики 27
2 Методика эксперимента 29
3 Экспериментальные данные и их обсуждение 33
3.1 Фотоэлектрические характеристики детекторов УФ-излучения 33
3.2 Временные характеристики детекторов УФ-излучения 39
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 40
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 41
ВВЕДЕНИЕ 6
1 Физико-химические свойства оксида галлия 7
1.1 Полиморфизм Ga2O3 7
1.2 Легирование Р-ОазОз 9
1. 3 Методы выращивания и осаждения 15
1.3.1 Химический синтез 15
1.3.2 Термическое испарение и сублимация 16
1.3.3 Молекулярная лучевая эпитаксия 16
1.3.4 Рост из расплава 17
1.3.5 Высокочастотное магнетронное напыление 19
1.4 Влияние подложки на проводимость 22
1.5 Применение тонких пленок Оа2Оз 26
1.6 Фотоэлектрические и электрические характеристики 27
2 Методика эксперимента 29
3 Экспериментальные данные и их обсуждение 33
3.1 Фотоэлектрические характеристики детекторов УФ-излучения 33
3.2 Временные характеристики детекторов УФ-излучения 39
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 40
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 41
📖 Введение
Оксид галлия (СтазОз) - бинарное полупроводниковое соединение, которое может кристаллизоваться в пяти модификациях: а-, Р-, у-, 6-, в-.
На сегодняшний день наиболее изученным является Р-Оа?Оз, имеющий ширину запрещенной зоны Eg = 4,8 эВ, что объясняется его высокой термической и химической стабильностью. Р-политип оксида галлия имеет моноклинную решетку, кристаллографические характеристики которой отличны от большинства традиционных полупроводниковых подложек, таких как: сапфир, кремний, карбид кремния и др. Это осложняет выращивание (в том числе эпитаксиальными методами) высококачественных слоев Р-ОазОз. Политип а-ОазОз имеет структуру корунда и небольшую разницу в постоянных кристаллической решетки с сапфиром: 3,3% (c) и 4,5% (а). При этом а-ОазОз обладает одной из самых больших шириной запрещенной зоны: Eg = (5,1-5,3) эВ, что позволяет рассматривать его в качестве перспективного материала для создания солнечно-слепых детекторов в диапазоне глубокого ультрафиолета.
Благодаря своим физико-химическим свойствам этот широкозонный полупроводник представляет практический интерес для создания солнечно-слепых детекторов ультрафиолетового диапазона, высоковольтных приборов, газовых сенсоров, прозрачных электродов и т. д.
Актуальность исследования оксида галлия обусловлена возможным применением детекторов УФ-излучения на основе Оа?Оз:Т1 в космической и военной технике, научных исследованиях, медицине и т.д. Существующие на сегодняшний день детекторы УФ- излучения не удовлетворяют полному набору требований и обладают рядом недостатков. Приборы обладают большими временами отклика и восстановления. Необходимо решить проблему с временами отклика и восстановления. Отсутствуют данные по влиянию легирования титаном на времена релаксации. Предполагается, что внедрение титана в оксид галлия должно улучшить их значения. Таким образом, исследование детекторов УФ- излучения на основе тонких пленок оксида галлия, легированных титаном, является актуальным.
На сегодняшний день наиболее изученным является Р-Оа?Оз, имеющий ширину запрещенной зоны Eg = 4,8 эВ, что объясняется его высокой термической и химической стабильностью. Р-политип оксида галлия имеет моноклинную решетку, кристаллографические характеристики которой отличны от большинства традиционных полупроводниковых подложек, таких как: сапфир, кремний, карбид кремния и др. Это осложняет выращивание (в том числе эпитаксиальными методами) высококачественных слоев Р-ОазОз. Политип а-ОазОз имеет структуру корунда и небольшую разницу в постоянных кристаллической решетки с сапфиром: 3,3% (c) и 4,5% (а). При этом а-ОазОз обладает одной из самых больших шириной запрещенной зоны: Eg = (5,1-5,3) эВ, что позволяет рассматривать его в качестве перспективного материала для создания солнечно-слепых детекторов в диапазоне глубокого ультрафиолета.
Благодаря своим физико-химическим свойствам этот широкозонный полупроводник представляет практический интерес для создания солнечно-слепых детекторов ультрафиолетового диапазона, высоковольтных приборов, газовых сенсоров, прозрачных электродов и т. д.
Актуальность исследования оксида галлия обусловлена возможным применением детекторов УФ-излучения на основе Оа?Оз:Т1 в космической и военной технике, научных исследованиях, медицине и т.д. Существующие на сегодняшний день детекторы УФ- излучения не удовлетворяют полному набору требований и обладают рядом недостатков. Приборы обладают большими временами отклика и восстановления. Необходимо решить проблему с временами отклика и восстановления. Отсутствуют данные по влиянию легирования титаном на времена релаксации. Предполагается, что внедрение титана в оксид галлия должно улучшить их значения. Таким образом, исследование детекторов УФ- излучения на основе тонких пленок оксида галлия, легированных титаном, является актуальным.
✅ Заключение
Исследованы фотоэлектрические и временные характеристики детекторов ультрафиолетового излучения и проведен их анализ. Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы:
1) С уменьшением межэлектродного расстояния чувствительность детекторов всех типов к ультрафиолетовому излучению возрастает
2) Высокотемпературный отжиг структур на основе Ga2Os:Ti на сапфировой подложке увеличивает значение чувствительности структур
3) Введение титана в пленки оксида галлия помогает уменьшить времена восстановления до 0,1 с
4) Исследованные структуры на основе Ga2O3:Ti на подложке из арсенида галлия имеют высокую чувствительность, низкие времена отклика и восстановления, но у данных структур наблюдаются большие шумы
5) Структуры на основе Ga2O3:Ti на сапфировой подложке из арсенида галлия обладают высоким быстродействием и имеют высокую чувствительность к УФ излучению
1) С уменьшением межэлектродного расстояния чувствительность детекторов всех типов к ультрафиолетовому излучению возрастает
2) Высокотемпературный отжиг структур на основе Ga2Os:Ti на сапфировой подложке увеличивает значение чувствительности структур
3) Введение титана в пленки оксида галлия помогает уменьшить времена восстановления до 0,1 с
4) Исследованные структуры на основе Ga2O3:Ti на подложке из арсенида галлия имеют высокую чувствительность, низкие времена отклика и восстановления, но у данных структур наблюдаются большие шумы
5) Структуры на основе Ga2O3:Ti на сапфировой подложке из арсенида галлия обладают высоким быстродействием и имеют высокую чувствительность к УФ излучению
ИЛИ
Поиск аналога
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
🛒 Оформить заказ
⚡ Работу высылаем в течении 5 минут после оплаты.