ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ 4
1.1 Пассивация пленками на основе SiNx и ZnS 4
1.2. Пассивирующее покрытие на основе ЛЕОЗ и SiO2/Si3N4 6
1.3. Пленки на СТТе 11
ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МДП-СТРУКТУР 13
2.1 Образцы и методы их исследования 13
2.2 Экспериментальные исследования образцов состава х~0,4 15
2.3. Экспериментальные исследования образцов состава х-0,3 20
2.4 Экспериментальные исследования образцов состава х~0,2 24
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 30
ЛИТЕРАТУРА:
Область ИК спектра наравне с видимым диапазоном оптического излучения дает значительную часть информации об окружающем нас мире. Излучение ИК диапазона широко используется как в приборах, применяемых в военной и космической отрасли, так и в устройствах бытового назначения. Важнейшее место среди материалов, используемых для изготовления высокочувствительных инфракрасных матриц фотодиодов и фоторезисторов для спектральных диапазонов окон прозрачности атмосферы 3-5(излучение тел, нагретых до нескольких сотен градусов Цельсия) и 8-12 мкм (излучение тел с температурами около нуля градусов Цельсия) занимает трёхкомпонентный полупроводник HgxCd1-xTe. [1]
Цель работы исследование влияния дополнительного защитного слоя CdTe на характеристики границы раздела между эпитаксиальными пленками HgxCd1-xTe с приповерхностными варизонными слоями и пассирующими пленками ЛЕОЗ.
В качестве объектов исследования были выбраны МДП структуры на основе МЛЭ(Молекулярная лучевая эпитаксия) HgxCd1-xTe с варизонными слоями и пассирующими пленками ЛЕОЗ. Часть исследуемых образцов содержала дополнительный защитный слой CdTe.
Теллурид кадмия ртути остается основным материалом для создания высокочувствительных матричных фотоприемных устройств для среднего и дальнего инфракрасного диапазонов. Несмотря на значительное число работ, посвященных исследованию свойств эпитаксиальных пленок КРТ, продолжаются исследования, направленные на оптимизацию параметров пленок и пассивирующих слоев.
При температуре 9 К были проведены экспериментальные исследования электрофизических характеристик МДП-структур, созданных на основе эпитаксиальных пленок n-Hg1-xCdxTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Были исследованы образцы п- типа проводимости, в качестве диэлектрического пассивирующего покрытия использовались пленки ЛБОЗ нанесенные методом плазмохимического осаждения. В результате исследований были установлены характерные особенности характеристик свойственные исследованным структурам.
Наличие дополнительного защитного слоя CdTe на поверхности эпитаксиальных пленок Hgi-xCdxTe с варизонными слоями электронного типа проводимости независимо от содержания CdTe в рабочем слое пленки приводит к значительному снижению гистерезиса ВФХ МДП-структур изготовленных на основе данных эпитаксиальных пленок, а также снижению эффективной плотности заряда на границе раздела более чем на порядок. Проводя анализ значений эффективной плотности заряда на границе раздела можно заметить, что при уменьшении содержания CdTe в рабочем слое Hgi- xCdxTe ее значение снижается как при наличии дополнительного защитного слоя CdTe, так и в случае его отсутствия.
