ВВЕДЕНИЕ 3
1 Модели роста нитевидных нанокристаллов AxBi.xD 5
1.1 Полупроводниковые тройные соединения AxB1-xD и их свойства 5
1.2 Термодинамические и кинетические модели роста нитевидных нанокристаллов 6
1.3 Модель формирования ННК AxB1-xD в режиме роста, ограниченном нуклеацией 7
1.4 Модель необратимого роста трёхкомпонентных ННК AxB1-xD 9
1.5 Кооперативные эффекты при встраивании атомов в излом - статистика проб и ошибок
(теория А.А. Чернова) 12
2 Модель встраивания атомов в излом при росте соединений AxB1-xD 17
2.1 Общая формулировка модели 17
2.2 Рост в условиях равновесия 19
2.3 Рост при сильных отклонениях от равновесия. Частные случаи 23
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 31
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 33
Вертикально-ориентированными нитевидными нанокристаллами (ННК) называют квазиодномерные наноструктуры, перпендикулярные поверхности подложки. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы обычно выращиваются на предварительно подготовленных поверхностях. В большинстве случаев используется активация поверхности металлическими каплями - катализаторами роста. Нитевидные нанокристаллы, выращенные с использованием частиц такого металлического катализатора, интересны с фундаментальной точки зрения и представляют большой потенциал для использования в качестве функциональных элементов современной наноэлектроники и нанофотоники [1-4]. На основе ННК можно создавать полевые и гетеробиполярные транзисторы, светоизлучающие устройства со сверхнизким энергопотреблением, различные типы сенсоров, зонды для атомно-силовых микроскопов, туннельные диоды, однофотонные излучатели и т. д. Кроме того, ННК могут применяться в создании термоэлектрических и пьезоэлектрических устройств. Синтез тройных нитевидных нанокристаллов на основе соединений III-V с переменным составом (соединения типа Ах В 1 _х D) предоставляет возможность получать ННК с заданной шириной запрещенной зоны. Однако контроль состава становится очень сложной задачей, когда ННК выращивается не непосредственно из пара, а из нестехиометрического четвертичного жидкого сплава, например, в случае Au- каталитического роста ННК 1пх Ga 1 _xAs из четверного раствора Au-In-Ga-As. Помимо многокомпонентности, данная система обладает большой инерционностью, выражающейся в невозможности резкого изменения состава при изменении величины потоков атомов кристаллизующегося вещества, поступающих на поверхность капли-катализатора из газовой фазы. Аналогичная проблема возникает при легировании бинарных ННК III-V [5].
Обычно при описании роста тройных ННК Ах В 1 _ х D используется модель [2], которая способна рассчитать стационарную скорость роста и состав ННК растущих из четвертного раствора в зависимости от условий роста. С помощью модели исследуются общие особенности сложного процесса роста и выясняются причины, из-за которых состав нитевидного нанокристалла отличается от состава пара. Состав твердого раствора рассматривается в зависимости от состава пара, радиуса нитевидного нанокристалла и соотношения потоков атомов групп V/III в различных режимах, для тройных соединений как на основе III группы, так и на основе V группы. Показано, что можно получить ННК заданного состава путем варьирования потока группы V и других параметров роста.
Указанная модель предполагает простоту анализа и небольшое число параметров. Но она так же имеет ряд недостатков, таких как необратимое формирование пар атомов и то, что их формирование происходит независимо друг от друга. Поэтому в работе предлагается к рассмотрению модель встраивания атомов в изломы на ступенях, учитывающая возможность как присоединения атома к излому, так и отрыва от него. Встраивание (необратимое присоединение) атома в общем случае рассматривается как результат многочисленных элементарных актов присоединения и отрыва (результат проб и ошибок). Кроме того, учитывается тот факт, что исходы отдельных актов встраивания не являются независимыми, из-за наличия кооперативных эффектов при встраивании в излом частиц разных сортов (исход встраивания частицы данного сорта зависит от сорта предыдущей частицы в изломе). Такой подход развит А.А. Черновым в отношении роста цепей сополимеров и кристаллизации с участием примеси [6].
Проведенный в работе обзор имеющихся моделей роста нитевидных нанокристаллов тройных полупроводниковых соединений трёхкомпонентных ННК АХВ1_XD показывает, что при теоретическом описании данного процесса, в основном, используются два подхода. Первый (термодинамический) подход предполагает, что состав ННК соответствует составу критического зародыша, образующегося на границе твердой и жидкой фаз (на верхней грани ННК под каплей-катализатором) и определялся на основе анализа зависимости энергии Гиббса образования такого зародыша от числа пар AD и BD в зародыше. Второй (кинетический) подход основан на использовании уравнений материального баланса атомов A, B и D в объеме капли-катализатора, формулируемых в виде соотношений между потоками атомов, поступающих в каплю из газовой фазы, испаряющихся из капли в газовую фазу и переходящих в твердую фазу в результате встраивания пар AD и BD в растущий монослой на границе раздела капля-верхняя грань ННК.
Следует отметить, что обычно используемые кинетические модели роста трёхкомпонентных ННК АХВ1 _XD имеют следующие недостатки. Во-первых,
предполагается необратимое формирование пар атомов на границе раздела, а во-вторых, предполагается, что формирование пар происходит независимо друг от друга. Последнее предположение не учитывает наличия кооперативных эффектов при встраивании частиц разных сортов в излом на ступени (на крае двумерного островка, растущего на верхней грани ННК). Поэтому в работе проведен анализ кинетики встраивания атомов в излом при росте ННК АХВ 1 _XD с использованием подхода, позволяющего избежать указанных недостатков. Данный подход, предложенный А.А. Черновым, основан на статистике роста цепи сополимера (“статистика проб и ошибок”).
В случае роста ННК, проходящего вблизи равновесия, получено выражение, позволяющее связать равновесный состав твердой фазы с равновесным составом четверного жидкого раствора. В отличие от соответствующего выражения в стандартной кинетической модели, здесь присутствуют равновесные концентрации атомов, растворённых в капле катализатора, и константы КА и Кв выражены через константы скоростей элементарных реакций присоединения и отрыва.
В случае роста ННК при сильных отклонениях от равновесия, проведены аналитические расчёты для двух частных случаев. В первом случае (случай A), атомы группы III могут как присоединяться, так и отрываться от излома, а атомы группы V только присоединяться. Во втором случае (случай Б), атомы группы III присоединяются
необратимо, а атомы группы V могут, как присоединяться, так и отрываться от излома. В этих случаях получены аналитические выражения для потоков атомов в излом (потоков GA и GB) через элементарные частоты. Показано, что предполагаемые в стандартной модели соотношения GA~cAc D и GB~ cBcD выполняются лишь при достаточно больших частотах отрыва атомов из излома (отрыв атомов А и В в случае А и отрыв атомов D в случае Б). При необратимом присоединении атомов к излому выражения для потоков отличаются от стандартных. Но при этом выражения для концентраций атомов, встроившихся в излом, подобны выражениям для концентраций атомов в кристалле, полученным в стандартной модели.
1. Дубровский В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения/ Дубровский В. Г. Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. - 2009. - Т.43. - № 12. - С.1585-1628.
2. Dubrovskii V.G. Understanding the vapor-liquid-solid growth and composition of ternary III-V nanowires and nanowire heterostructures/ V.G. Dubrovskii// Journal of Physics D: Applied Physics. - 2017. - V.50. - P.453001.
3. Yang P. Semiconductor Nanowire: What’s Next?/ Yang P., Yan R., Fardy M.//Nano Lett. - 2010. - V. 10. - P.1529-1536.
4. Meyyappan M. Inorganic Nanowires: Applications, Properties and Characterization/ Meyyappan M., M. K. Sunkara// CRC Press, Boca Raton, FL. - 2009.
5. Dubrovskii V.G. Influence of the group V element on the chemical potential and crystal structure of Au-catalyzed III-V nanowires/ V.G. Dubrovskii// Appl. Phys. Lett. - 2014, 104, 053110.
6. Чернов А.А. Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов — статистика проб и ошибок/ А. А. Чернов// УФН. — 1970. — Т.100, N2. — С.277-328.
7. Leshchenko E.D. Nucleation-limited composition of Al1-xInxAs nanowires/ E.D. Leshchenko, V.G. Dubrovskii, J. Johansson// Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - T. 1199.
8. Dubrovskii V.G. Understanding the composition of ternary III-V nanowires and axial nanowire heterostructures in nucleation-limited regime/ V. G. Dubrovskii, A. A. Koryakin, N. V. Sibirev// Materials & Design. - 2017. - T. 132. - C. 400-408.
9. Dubrovskii V.G. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures/ V. G. Dubrovskii// NanoScience and Technology. - 2014. - T. 5. - C. 420-426.
10. Johansson J. Kinetically limited composition of ternary III-V nanowires/ J. Johansson, M. Ghasemi// Physical Review Materials. - 2017. - T. 1, № 4.
11. Johansson J. Effects of supersaturation on the crystal structure of gold seeded III-V nanowires/ J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson// Cryst. Growth & Design. - 2009. - V.9. - P.766.
12. Johansson J. Composition of gold alloy seeded InGaAs nanowires in the nucleation limited regime / J. Johansson, M. Ghasemi // Cryst. Growth Des. - 2017. - V.17. - №4. - P.1630¬1635.
13. Dubrovskii V.G. Understanding the vapor-liquid-solid growth and composition of ternary III-V nanowires and nanowire heterostructures/ V.G. Dubrovskii// Journal of Physics D: Applied Physics. - 2017. - V.50. - P.453001.
14. Dubrovskii V.G. Mono- and polynucleation, atomistic growth, and crystal phase of III-V nanowires under varying group V flow/ V. G. Dubrovskii//. J. Chem. Phys. - 2015, 142, 204702.
15. Dubrovskii V.G. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures/ V. G. Dubrovskii// Springer: Heidelberg, - 2014... 19