Тема: МОДЕЛИРОВАНИЕ АМПЛИТУДНОГО СПЕКТРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО РАЗРЕШЕНИЯ МАТРИЧНЫХ HR GAAS:CR-CEHCOPOB РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Закажите новую по вашим требованиям
Представленный материал является образцом учебного исследования, примером структуры и содержания учебного исследования по заявленной теме. Размещён исключительно в информационных и ознакомительных целях.
Workspay.ru оказывает информационные услуги по сбору, обработке и структурированию материалов в соответствии с требованиями заказчика.
Размещение материала не означает публикацию произведения впервые и не предполагает передачу исключительных авторских прав третьим лицам.
Материал не предназначен для дословной сдачи в образовательные организации и требует самостоятельной переработки с соблюдением законодательства Российской Федерации об авторском праве и принципов академической добросовестности.
Авторские права на исходные материалы принадлежат их законным правообладателям. В случае возникновения вопросов, связанных с размещённым материалом, просим направить обращение через форму обратной связи.
📋 Содержание
ВВЕДЕНИЕ 4
1 Полупроводниковые сенсоры 5
1.1 Полупроводниковый сенсор и влияние топологии на его характеристики 5
. 1.2 Принцип действия детекторов 5
1.3 Генерация заряда в детекторе 6
1.4 Теорема Рамо 6
1.5 Эффективность сбора заряда 7
1.6 Амплитудный спектр 8
1.8. Энергетическое разрешение 8
2 Методика измерений 10
3 Результаты моделирования 14
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 18
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 19
📖 Введение
Для повышения энергетического разрешения HR GaAs:Cr сенсоров применяют матричную технологию изготовления сенсоров, так как в этом случае проявляется эффект малого пиксела. Для оптимизации их рабочих характеристик необходима разработка моделей, которые позволят предсказать и проанализировать амплитудный спектр и энергетическое разрешение сенсоров.
В данной дипломной работе представлено моделирование амплитудного спектра и энергетического разрешения матричных сенсоров HR GaAs:Cr. Цель работы заключается в верификации математической модели, которая позволит моделировать амплитудный спектр для разных линий энергий и разрешающую способность сенсоров для повышения качества рентгеновских систем визуализации. Для достижения поставленной цели были рассмотрен зависимость эффективности сбора заряда от координаты поглощения кванта.
✅ Заключение
Моделирование амплитудного спектра матричных HR GaAs.’Cr-сенсоров показало, что сенсоры с меньшим диаметром пикселов имеют лучшее энергетическое разрешение. Также при увеличении энергии кванта происходит снижение энергетического разрешения.
📕 Список литературы
🖼 Скриншоты
