Введение 3 стр.
2. Обзор литературы.
2.1 Атомная решетка графита 5 стр.
2.2 Атомное разрешение СТМ на поверхности графита 7 стр.
2.3 Дефекты на поверхности графита 10 стр.
2.4 История создания сканирующего туннельного микроскопа 12 стр.
2.5. Конструкция и принцип работы прибора СТМ 14 стр.
2.6. Формирование изображения поверхности 17 стр.
2.7. Факторы, влияющие на качество изображения СТМ 18 стр.
2.8. Подготовка и установка наконечника СТМ 20 стр.
3. Экспериментальная часть.
3.1 Постановка задачи 22 стр.
3.2 Описание установки 22 стр.
3.3 Эксперимент 24 стр.
3.4 Результаты и обсуждение 27 стр.
3.5 Заключение 30 стр.
4. Литература 31 стр.

Купить

В настоящее время важной задачей в физике является исследование проводящих свойств поверхностей. Не случайно физика поверхностных явлений становится одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки. Благодаря фундаментальным исследованиям в данной области физики наблюдаются значительные успехи в современной микро и наноэлектронике, производятся исследования разнообразных электронных, атомных и молекулярных процессов, происходящих на поверхности твердых тел. Само собой, остается актуальным заветное желание ученых на протяжении последних тридцати лет - непосредственно понаблюдать за поведением отдельных атомов на поверхности твердого тела, а также изучить процессы с участием одиночных или небольших групп атомов.
Все это стало доступным благодаря изобретенному в 1982 году Г. Биннигом и Г.Рорером сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), который не накладывает ограничений на размеры образцов. Изобретение СТМ реально открыло двери для изучения нового микроскопического мира.
Методами сканирующей туннельной микроскопии стали пользоваться практически недавно, с начала 1990-х годов, но эти методы представляются достаточно перспективными в связи с процессом миниатюризации электронных схем и переходом к размерам элементов нанометрового масштаба. В связи с этим, исследование графита представляется важным, поскольку графит одна из самых распространенных подложек для изучения нанообъектов и очень часто используется в туннельной микроскопии. Также важными факторами в пользу графита являются его дешевизна, стабильность в нормальных условиях, обладание хорошей проводимостью и на нем можно легко получить атомно-гладкие участки поверхности большой площади. На основе графита возможно создание наноустройств, таких как полевые транзисторы, конденсаторы, ионисторы и т.д.
Важным этапом на пути внедрения графита в микроэлектронную промышленность является установление зависимостей между дефектами его поверхности и соответствующей локальной проводимостью, так как создание бездефектных участков графита определенного размера пригодного для использования является главным препятствием на пути создания углеродной электроники. Таким образом, объектом исследования в моей выпускной квалификационной работе является тонкая поверхность графита, а целью исследования является исследование рельефа поверхности графита.
Для правильной интерпретации поставленной задачи удобными являются методы сканирующей туннельной микроскопии, поскольку эти методы по сравнению с другими, к примеру, электронной микроскопии, позволяют получить информацию о материале и его поверхности без разрушения или какой-либо модификации.
В соответствии с целью были выдвинуты следующие задачи:
1) Изучение основ сканирующей туннельной микроскопии;
2) Изучение конструкции и принципов работы прибора СТМ “Nanosurf Easyscan 2”;
3) Получение изображений рельефа поверхности графита и дальнейшее исследование его структуры.
4) Сравнить изображения исследуемого образца с изображением поверхности графита, полученного другими исследователями;
5) Сделать заключение о проделанной работе.

Купить