Тип работы:
Предмет:
Язык работы:


АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО

Работа №152197

Тип работы

Бакалаврская работа

Предмет

автоматизация технологических процессов

Объем работы69
Год сдачи2021
Стоимость4220 руб.
ПУБЛИКУЕТСЯ ВПЕРВЫЕ
Просмотрено
32
Не подходит работа?

Узнай цену на написание


Введение 3
1 Описание технологического процесса автоматизации выращивания
монокристаллов кремния 4
1.1 Общие сведения о материалах микроэлектроники 4
1.2 Классификация материалов микроэлектроники 5
1.3 Требования к полупроводникам материалам 6
1.3.1 Германий 8
1.3.2 Кремний 9
1.4 Полупроводниковые соединения 11
1.5 Материалы для легирования полупроводников и изготовления
электродных выводов 13
1.5.1 Акцепторные элементы 13
1.5.2 Донорные элементы 16
1.6 Метод направленной кристаллизации из расплавов 18
1.7 Описание вакуумной системы откачки воздуха 29
2 Решение задач автоматизации технологического процесса 32
2.2 Описание системы автоматизированного управления установкой
выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского 32
2.3 Перечень контролируемы и управляемых параметров АСУ 35
2.4 Структурная схема АСУ установкой выращивания монокристаллов
кремния 42
2.5 Методика расчета основных параметров процесса направленной
кристаллизации расплава 43
3 Экспериментальные исследования предложенных средств автоматизации
процесса 50
3.1 Примеры реализации процедуры расчета основных параметров
технического процесса выращивания легированных монокристаллов 50
3.2 Результаты программирования процесса кристаллизации 59
Заключение 65
Список использованных источников 66


Автоматизированные системы управления технологическими процессами (АСУ ТП) предназначены для выработки и реализации управляющих воздействий на технологический объект управления и представляют собой человеко-машинные системы, обеспечивающие автоматизированный сбор и обработку информации для оптимизации управления технологическим объектом в соответствии с принятыми критериями.
На данном этапе стремительного развития промышленной отрасли, металлургии проводников, нельзя обойтись без производства монокристаллов кремния. Он используется в производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов. Производство такого незаменимого вещества будет нужно в больших масштабах ещё долгое время, но это будет невозможно без систем автоматики. Благодаря им возможно ускорить производство, уменьшить количество ошибок от человеческого фактора, увеличить количество отпускаемой продукции, и соответственно увеличить количество прибыли производства.
Цель данной работы заключается в обеспечение управления процессом выращивания монокристаллов в автоматизированном режиме с использованием программного имитатора технологического процесса. Задача сформирована следующим образом: необходимо разработать имитационную модель системы автоматизированной печи выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского, математическая модель которого будет приближена к реальной системе. Также необходимо обеспечить связь модели и ЗСАШ-системы с помощью OPC-сервера.


Возникли сложности?

Нужна помощь преподавателя?

Помощь в написании работ!


В результате выпускной квалификационной работы создана имитационная модель системы управления установкой выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского, разработано автоматизированное рабочее место оператора и выполнена интеграция разработанных компонентов в единый программный комплекс с использованием протокола OPC.
В качестве среды моделирования выбран программный комплекс MATLAB,включающий инструмент визуального моделирования Simulink, средство обеспечения связи с OPCсервером OPC Toolbox.Рассматриваемая SCADA-система - Proficy iFIX.
Выполнены все поставленные цели и задачи, а именно:
1) проведен анализ технологического процесса;
2) осуществлена разработка структурной и функциональной схемы автоматизации технологического процесса;
3) разработана имитационная модель;
4) разработан графический интерфейс оператора;
5) установлена связь через OPC-сервер между математической моделью и интерфейсом оператора;
6) проведён модельный эксперимент с подтверждением соответствия предложенных технических решений.
В качестве доказательств предоставлены графики сравнений MATLAB Simulinkи Proficy iFIX.



1 Волчкевич, Л. И. Автоматизация производственных процессов / Л. И. Волчкевич. - Москва : Машиностроение, 2007. - 380 с.
2 Крапухин, В. В. Технология материалов электронной техники / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. - Москва : МИСИС, 1995. - 754с.
3 Кузнецов, М. М. Автоматизация производственных процессов / М. М. Кузнецов, Л. И. Волчкевич, Ю. П. Замчалов. - Москва : Высшая школа, 1976. - 431 с.
4 Мильвидский, М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. - Москва : Наука, 1986. - 114с.
5 Нашельский, А. Я. Расчёты процессов выращивания легированных монокристаллов / А. Я. Нашельский, С. В. Гнилов. - Москва : Металлургия, 1981. - 92 с.
6 Нашельский, А. Я. Технология полупроводниковых материалов / А. Я. Нашельский. - Москва : Металлургия, 1981. - 336с.
7 Пасынков, В. В. Материалы электронной техники: учебники для вузов / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. - Санкт-Петербург : Лань, 2003. - 368 с.
8 Порохов, А. М. Физический энциклопедический словарь / А.М. Порохов. - Москва : Советская энциклопедия, 1983. - 944с.
9 Романенко, В. Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов / В. Н. Романенко. - Москва : Металлургия, 1966. - 182 с.
10 Саханский, С. П. Основные математические соотношения контактного метода управления выращиванием монокристаллов по способу Чохральского / С. П. Саханский // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева. 2005. - Выл. 7. - С. 85-88.
11 Саханский, С. П. Новый «контактный метод» управления площадью выращиваемых монокристаллов по способу Чохральского / С. П. Саханский // НТИ-2002 г.: материалы региональной научной конференции (5-8 декабря 2002 г, Новосибирск) ; НГТУ. - Новосибирск : 2002. - 80-85 с.
12 Саханский, С. П. Определение величины коррекции сигнала управления по диаметру, от изменения высоты столбика мениска кристалла, при контактном методе управления выращиванием монокристаллов способом Чохральского / С. П. Саханский, B. Д. Лантенок // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева. 2005. - Вып. 7. - С. 89-90.
13 Саханский, С. П. Определение величины колебания расплава и чувствительности при контактном методе управления выращиванием монокристаллов но способу Чохральского / С. П. Саханский // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева. 2006. - Вып. 1(8). - С. 103-104.
14 Саханский, С. П. Выращивание монокристаллов в закрытой тепловой оснастке по способу Чохральского на основе контактного метода управления диаметром кристалла / С. П. Саханский // Автоматизация и современные технологии. - 2007. - № 1. - 38 - 41 с.
15 Случинская И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников / И. А. Случинская. - Москва : Изд-во Мир, 2002. - 376 с.
16 Таиров, Ю. М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. Учебник для вузов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. - Санкт- Петербург : Изд-во Лань, 2003. - 424с.
17 Таиров, Ю. М. Технология получения полупроводниковых и диэлектрических материалов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. - Москва : Высшая школа, 1990. - 423с.


Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.




©2025 Cервис помощи студентам в выполнении работ