Помощь студентам в учебе
Разработка и исследование нанослоистых твердых электролитов
|
Введение 3
1. Обзор литературы 4
1.1 Суперионная кубическая модификация йодида серебра и попытки ее стабилизации при низких температурах 4
1.2 Многослойные наноразмерные твердые электролиты и их получение методом лазерной абляции 9
1.3 Высокотемпературная модификация селенида серебра 13
1.4 Получение тонких пленок селенида серебра 14
1.5 Цель и задачи работы 16
2. Экспериментальная часть 18
2.1 Синтез исходных соединений: оксидных и халькогенидных стекол, бинарных солей серебра 18
2.2 Методика получения тонких пленок с помощью лазерной абляции 19
2.3 Физико-химические методы исследования образцов, использованные в работе 21
3. Обсуждение результатов 23
3.1 Проверка «гипотезы слепка» путем получения и исследования многослойных твердых электролитов с оксидным стеклом 23
3.2Получение стехиометрической и ориентированной тонкой пленки Ag2Se 28
3.3Получение и исследование тонких пленок халькогенидного стекла0,75(0,5GeSe2-0,25Sb2Se3-0,25As2Se3)-0,25Ag2Se 37
3.4Исследование нанослоистых твердых электролитов, состоящих из чередующихся слоев Ag2Se и халькогенидного стекла 42
Основные результаты 49
Благодарности 51
Список цитированной литературы 52
Приложение 1
1. Обзор литературы 4
1.1 Суперионная кубическая модификация йодида серебра и попытки ее стабилизации при низких температурах 4
1.2 Многослойные наноразмерные твердые электролиты и их получение методом лазерной абляции 9
1.3 Высокотемпературная модификация селенида серебра 13
1.4 Получение тонких пленок селенида серебра 14
1.5 Цель и задачи работы 16
2. Экспериментальная часть 18
2.1 Синтез исходных соединений: оксидных и халькогенидных стекол, бинарных солей серебра 18
2.2 Методика получения тонких пленок с помощью лазерной абляции 19
2.3 Физико-химические методы исследования образцов, использованные в работе 21
3. Обсуждение результатов 23
3.1 Проверка «гипотезы слепка» путем получения и исследования многослойных твердых электролитов с оксидным стеклом 23
3.2Получение стехиометрической и ориентированной тонкой пленки Ag2Se 28
3.3Получение и исследование тонких пленок халькогенидного стекла0,75(0,5GeSe2-0,25Sb2Se3-0,25As2Se3)-0,25Ag2Se 37
3.4Исследование нанослоистых твердых электролитов, состоящих из чередующихся слоев Ag2Se и халькогенидного стекла 42
Основные результаты 49
Благодарности 51
Список цитированной литературы 52
Приложение 1
Необходимость производства новых миниатюрных высокоемких источников тока обуславливает повышенный интерес к ионике твердого тела в настоящее время, причем все более пристальное внимание уделяется исследованию композитных твердых электролитов. Широкие возможности целенаправленного контроля свойств композитных электролитов путем варьирования качественного и количественного состава образующих фаз делает их перспективными для практического использования в реальных электрохимических системах
Значительное количество исследований в данном направлении базируется на использовании стабильных при температурах выше 130 C кубических фаз бинарных солей серебра, так как они обладают наивысшей ионной проводимостью среди известных на сегодняшний день твердых электролитов, что, в свою очередь, обуславливает интерес к изучению возможности стабилизации данной модификации при температуре, близкой к комнатной.
В более ранней работе нашей научной группы [1] была продемонстрирована принципиальная возможность переохлаждения фазового перехода в нанослоях йодида серебра на 100 Cпри их контакте с фазой халькогенидного стекла. Целью данной работы было более подробное изучение многослойных твердых электролитов на основе солей серебра и различных стеклообразных материалов, причем первичной задачей была проверка выдвинутой в [1] гипотезы о том, что при нагревании выше температуры размягчения и последующем охлаждении стеклообразный материал «запоминает» структуру высокотемпературной модификации и «замораживает» ее при охлаждении образца ниже температуры фазового перехода.
Селенид серебра имеет более широкий спектр возможных практических применений, по сравнению с йодидом, за счет полупроводниковых свойств. В связи с этим, к числу задач данной работы также были отнесены разработка методики получения тонких кристаллических слоев Ag2Se методом лазерной абляции и изучение электрических свойств композитных твердых электролитов на его основе.
Значительное количество исследований в данном направлении базируется на использовании стабильных при температурах выше 130 C кубических фаз бинарных солей серебра, так как они обладают наивысшей ионной проводимостью среди известных на сегодняшний день твердых электролитов, что, в свою очередь, обуславливает интерес к изучению возможности стабилизации данной модификации при температуре, близкой к комнатной.
В более ранней работе нашей научной группы [1] была продемонстрирована принципиальная возможность переохлаждения фазового перехода в нанослоях йодида серебра на 100 Cпри их контакте с фазой халькогенидного стекла. Целью данной работы было более подробное изучение многослойных твердых электролитов на основе солей серебра и различных стеклообразных материалов, причем первичной задачей была проверка выдвинутой в [1] гипотезы о том, что при нагревании выше температуры размягчения и последующем охлаждении стеклообразный материал «запоминает» структуру высокотемпературной модификации и «замораживает» ее при охлаждении образца ниже температуры фазового перехода.
Селенид серебра имеет более широкий спектр возможных практических применений, по сравнению с йодидом, за счет полупроводниковых свойств. В связи с этим, к числу задач данной работы также были отнесены разработка методики получения тонких кристаллических слоев Ag2Se методом лазерной абляции и изучение электрических свойств композитных твердых электролитов на его основе.
Возникли сложности?
Нужна помощь преподавателя?
Помощь в написании работ!
В ходе выполнения данной работы был освоен ряд современных физико-химических методик исследований вещества, в том числе получение тонких пленок импульсным лазерным напылением, рентгенофазовый анализ, температурная импедансометрия, рамановская спектроскопия, электронная микроскопия.
Был получен ряд важных научных результатов, существенно расширяющих имеющиеся представления о многослойных наноструктурах и получении тонких пленок халькогенидов лазерной абляцией, а именно:
1. Подтверждена выдвинутая в работе [1] модель, согласно которой размягченное стекло способно «снять отпечаток» кристаллической структуры контактирующей с ней фазы, путем получения и исследования многослойных образцов на основе йодида серебра и оксидного стекла (V2O5*GeO2).
2. Впервые получен композит, в котором вся фаза AgI при комнатной температуре находится в высокотемпературной суперионной альфа-модификации. Кристаллы альфа-фазы имеют размеры более 100 нм.
3. Изучены причины, приводящие к отклонению состава тонких пленок селенида серебра, получаемых лазерной абляцией, от стехиометрического. Предложена и проверена модель, согласно которой в процессе полета аблированных частиц с размером порядка 102 нм с их нагретой поверхности происходит испарение селена, что и приводит к обогащению получаемой пленки серебром.
4. Разработана методика получения стехиометрических и строго ориентированных тонких пленок селенида серебра методом лазерной абляцией.
5. Получены многослойные структуры на основе селенида серебра и разработанного халькогенидного стекла. Показано, что образцы не кристаллизуются. Впервые показано получение рентгеноаморфных слоев селенида серебра с удельной ионной электропроводностью на уровне 1 (Ом*см)-1.
6. Разработана методика, позволяющая из экспериментальных данных рассчитать ионный и электронно-дырочный вклады в электропроводность композитного образца, а также рассчитать емкость приэлектродного поляризационного.
Перечисленные фундаментальные результаты могут быть основой для дальнейших исследований в направлении получения твердых электролитов на основе кубических суперионных модификаций солей серебра и получении тонких пленок индивидуального Ag2Se.
Был получен ряд важных научных результатов, существенно расширяющих имеющиеся представления о многослойных наноструктурах и получении тонких пленок халькогенидов лазерной абляцией, а именно:
1. Подтверждена выдвинутая в работе [1] модель, согласно которой размягченное стекло способно «снять отпечаток» кристаллической структуры контактирующей с ней фазы, путем получения и исследования многослойных образцов на основе йодида серебра и оксидного стекла (V2O5*GeO2).
2. Впервые получен композит, в котором вся фаза AgI при комнатной температуре находится в высокотемпературной суперионной альфа-модификации. Кристаллы альфа-фазы имеют размеры более 100 нм.
3. Изучены причины, приводящие к отклонению состава тонких пленок селенида серебра, получаемых лазерной абляцией, от стехиометрического. Предложена и проверена модель, согласно которой в процессе полета аблированных частиц с размером порядка 102 нм с их нагретой поверхности происходит испарение селена, что и приводит к обогащению получаемой пленки серебром.
4. Разработана методика получения стехиометрических и строго ориентированных тонких пленок селенида серебра методом лазерной абляцией.
5. Получены многослойные структуры на основе селенида серебра и разработанного халькогенидного стекла. Показано, что образцы не кристаллизуются. Впервые показано получение рентгеноаморфных слоев селенида серебра с удельной ионной электропроводностью на уровне 1 (Ом*см)-1.
6. Разработана методика, позволяющая из экспериментальных данных рассчитать ионный и электронно-дырочный вклады в электропроводность композитного образца, а также рассчитать емкость приэлектродного поляризационного.
Перечисленные фундаментальные результаты могут быть основой для дальнейших исследований в направлении получения твердых электролитов на основе кубических суперионных модификаций солей серебра и получении тонких пленок индивидуального Ag2Se.
1.Tveryanovich, Y.;Bandura, A.;Fokina, S.;Borisov, E.; EvarestovR. Nanolayeredsolidelectrolyte (GeSe2)30(Sb2Se3)30(AgI)40/AgI: AnewhypothesisfortheconductivitymechanisminlayeredAgI.Solid State Ionics.2016,294, 82–89.
2. Allnatt,A.R.;Pantelis, P. Anomalous high temperature electrical conductance of NaCl.Solid State Comm. 1968, 6, 309-312.
3. Tubandt, C.; Lorenz, E.Z. Phys. Chem.1914, 87, 513.
4. Strock, L.W.Z. Phys. Chem.1934, 25, 411.
5. Cava, R.J.; Reidinger, F.;Wuensch, B.J. Single-crystal neutron-diffraction study of AgI between 23° and 300°C. Solid State Comm.1977, 24, 411-416.
6. Wright, A.F.; Fender, B.E.F. The structure of superionic compounds by powder neutron diffraction. I. Cation distribution in α-AgI.J. Phys. C: Solid. St. Phys.1977, 10, 2261.
7. Popov, A. S.; Kostandinov, I. Z.; Mateev, M. D.; Alexandrov, A. P.; Regel, Liia L. Phase analysis of RbAg4I5 crystals grown in microgravity. Microgravity Science and Technology.1990, 3, 41–43.
8. Hull, S.; Keen, D.A.; Sivia, D.S.; Berastegui, P. Crystal Structures and Ionic Conductivities of Ternary Derivatives of the Silver and Copper Monohalides – I. Superionic Phases of Stoichiometry MAg4I5: RbAg4I5, KAg4I5, and KCu4I5. J.Solid State Chemistry. 2002, 165, 363–371.
9. Tatsumisago, M.;Shinkuma, Y.; Minami, T. Stabilization of superionic α-Agl at room temperature in a glass matrix. Nature.1991, 354, 217–218.
10. Grabowski, P.;Nowinski, J.;Garbarczyk, J.; Wasiucionek, M. Mechanosynthesized and ultra-fast quenched AgI–Ag2O–B2O3 materials with high AgI contents.Solid State Ionics.2013, 251, 55-58.
11. Makiura, R.;Yonemura, T.; Yamada, T.; Yamauchi, M.; Ikeda, R.; Kitagawa, H.; Kato, K.;Takata, M.Size-controlled stabilization of the superionic phase to room temperature in polymer-coated AgI nanoparticles.Nat. Mater.2009, 8, 476-480.
12. Liu, L.F.; Lee, S.W.; Li, J.B.;Alexe, M.; Rao, G.H.; Zhou, W.Y.; Lee, J.J.; Lee, W.;Gösele, U. Enhanced ionic conductivity of AgI nanowires/AAO composites fabricated by a simple approach.Nanotechnology.2008, 19, 495706.
13. Sata, N.;Jin-Phillipp, N. Y.;Eberl, K.;Majer J. Enhanced ionic conductivity and mesoscopic size effects in hetero-structures of BaF2 and CaF2.Solid State Ionics.2002,154-155, 497-502.
14.Sheldon, B.W.; Mandowara, S.; Rankin, J. Grain boundary induced compositional stress in nanocrystalline ceria films. Solid State Ionics.2013, 233, 38–46.
15.Kasamatsu, S.; Tada, T.; Watanabe, S. Parallel-sheets model analysis of space charge layer formation at metal/ionic conductor interfaces.Solid State Ionics. 2012, 226, 62–70.
16. Tveryanovich, Y.S.; Fokina, S.V.; Borisov, E.N.; Labzovskaya, M. Preparation of AgI thin films by means of UV laser ablation. Surface Modification Technologies XXVIII,Sudarshan, T.S.; Vuoristo, P.; Koivuluoto, H.India: Valardocs.2015, 247–253.
17. Tveryanovich, Yu.S.; Fokina, S.V.; Borisov, E.N.; Tomaev, V.V. Preparation of films of vitreous solid electrolyte (GeSe2)30(Sb2Se3)30(AgI)40 using laser ablation method.Glass Phys. Chem.2015, 41, 440–442.
18. Schoen, D.T.; Xie, C.; Cui, Y. Electrical Switching and Phase Transformation in Silver Selenide NanowiresJ. Am. Chem. Soc.2007, 129, 4116–4117.
19. Junod, P.;Hediger, H.;Kilchor, B.;Wullschleger, J.Metal-non-metaltransition in silverchalcogenides. Phil.Mag.1977,36, 941–958.
20. Sahu, A.;Khare, A.; Deng, D.; Norris, D. Quantum confinement in silverselenidesemiconductornanocrystals. Chem. Commun.2012, 48, 5458–5460.
21. Wang, J.; Fan, W.; Yang, J.; Da, Z.; Yang, X., Chen, K.; Yu, H.; Cheng, X. Tetragonal–Orthorhombic–Cubic Phase Transitions in Ag2Se Nanocrystals.Chem.Mat.2014, 26, 5647-5653.
22. Hu, T.; Wittenberg, J.S.; Lindenberg, A.M. Room-temperature stabilization of nanoscale superionic Ag2Se. Nanotechnology.2014, 25, 415705.
23. Agostini, M.; Aihara, Y.; Yamada, T.; Scrosati, B.; Hassoun, J. A lithium–sulfur battery using a solid, glass-type P2S5–Li2S electrolyte. Solid State Ionics. 2013, 244, 48–51.
24.Chen, R.; Xu, D.; Guo, G.; Tang, Y. Electrodeposition of silver selenide thin films from aqueous solutions.J. Mater. Chem.2002, 12, 1431-1441.
25.Wuttig, M. Phase-change materials: Towards a universal memory?Nat. Mater.2005, 4, 265-266.
26.Boolchand, P.;Bresser, W.J. Mobile silver ions and glass formation in solid electrolytes.Nature. 2001, 410, 1070-1073.
27.Lakshmikumar, S.T.; Rastogi, A.C.Selenization of Cu and In thin films for the preparation of selenide photo-absorber layers in solar cells using Se vapour source.Sol. Energy Mater. Sol. Cells1994, 32, 7-19.
28. Xue, M.Z.; Cheng, S.C.; Yao, J.; Fu, Z.W. Fabrication and lithium electrochemistry of Ag2Se thin film anode.Electrochim. Acta. 2006, 51, 3287–3291.
29.Chen, J.; Lv, Y.; Dobeli, M.; Li, Y.; Shi, X.; Chen, L. Composition control of pulsed laser deposited copper (I) chalcogenide thin films via plasma/Ar interactions.Sci. China Mater.2015, 58, 263-267.
30.Zhou, K.; Chen, J.; Zheng, R.K.;Ke, X.; Zhang, T.; Shi, X.; Chen, L. Non-epitaxial pulsed laser deposition of Ag2Se thermoelectric thin films for near room-temperature applications.Ceram. Int.2016, 42, 12490–12495.
31.Mogwitz, B.; Korte, C.; Janek, J.; Kreutzbruck, M.V.; Kienle, L. Preparation and magnetoresistance of Ag2+xSe thin films deposited via pulsed laser deposition.J. Appl. Phys.2007,101, 043510.
32.Kienle, L.; Duppel, V.; Mogwitz, B.; Janek, J.; Kreutzbruck, M.V.;Leineweber, A.; Simon, A. Synthesis, Real Structure, Property: The Showcase of Silver-Rich Ag2Se.Cryst. Growth Des.2011, 11, 2412–2421.
33. Tverjanovich, A.; Borisov, E.N.; Vasilieva, E.S.; Tolochko,O.V.; Vahhi, I.E.; Bereznev, S.; Tveryanovich, Yu.S. CuInSe2 thin films deposited by UV laser ablation.Sol. Energy Mater. Sol. Cells2006, 90, 3624-3632.
34. Yilmaz, D. Thermal properties and microstructural characterization of non-doped and erbium doped binary GeO2-V2O5 Glasses. M.Sc. Thesis. Istanbul Technical University, 2010.
35. Mukherjee, S.;Maiti, A.; Ghosh, U.S.; Basu, C. Ultrasonic investigation of V2O5- GeO2 glass. Philos. Mag. B. 1993, 67, 823-831.
36. Patterson, A.L. The Scherrer Formula for X-Ray Particle Size Determination. Phys. Rev.1939, 56, 978–982.
37.Tada, H.; Kumpel, A.E.; Lathrop, R.E.; Slanina, J.B. Thermal expansion coefficient of polycrystalline silicon and silicon dioxide thin films at high temperatures. J. Appl. Phys.2000, 87, 4189-4193.
38.Dubiel, M.; Brunsch, S.; Tröger, L. Temperature dependence of thermal expansion coefficient of silver nanoparticles and of bulk material determined by EXAFS.J. Synchrotron Rad.2001, 8, 539-541.
39.Freyland, W.; Goltzene, A.; Grosse, P.; Harbeke, G.; Lehmann, H.; Madelung, O.; Richter, W.; Schwab, C.; Weiser, G.; Werheit, H.;Zdanowicz, W. Physics of Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. 1983, 160.
40.Tverjanovich, A.S.;Tereshchenko, E.V. Structural investigation of glasses in the x(0.16GaCh2 • 0.84GeCh2) • (1 − x)(SbCh1.5) (Ch = S, Se) system. Glass Phys Chem. 2009, 35, 475.
41.Kozicki, M.N.; Mitkova, M.; Zhu, J.; Park, M.Nanoscalephaseseparation in Ag–Ge–Se glasses. Microelectronic Engineering. 2002, 63, 155–159.
42.Frumar, M.; Polak, Z.; Vlcek, M.; Cernosek, Z. Photoinduced changes of the reactivity of amorphous chalcogenide layers.J. Non-Cryst.Sol. 1997, 221, 27-33.
43.Viens, J.;Meneghini, C.; Villeneuve, A.; Galstian,T.V.; Knystautas,E.J.; Duguay,M.A.; Richardson,K.A.; Cardinal, T. Fabrication and characterization of integrated optical waveguides in sulfide chalcogenide glasses.J. Lightwave Technol. 1999, 17, 1184-1191.
44. Kovalskiy, A.; Jain, H.; Mitkova, M. Evolution of chemical structure during silver photodiffusion into chalcogenide glass thin films. J. Non-Cryst.Sol. 2009, 355, 1924-1929.
45. Bychkov, E.A.; Tver’yanovich, Yu.S.; Vlasov. Yu.G. Ion Conductivity and Sensors, in “Semiconductors and Semimetals”.Semiconducting Chalcogenide Glasses III.2004, 80, 103-168.
46. Борисова, З.У.; Бычков, Е.А.; Тверьянович, Ю.С. Взаимодействие металлов схалькогенидными стеклами. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та.1991, 252.
47. Борисова, З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та. 1983, 344.
48. Казакова, Л.П.; Лебедев, Э.А.; Сморгонская, Э.А. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб. «Наука». 1996, 486.
49. Daikhin, L.; Kornyshev, A.; Urbakh, M. Double-layer capacitance on a rough metal surface. Phys. Rew. E.1996, 53, 6192-6199.
50. Bobylev,Yu.V.;Murin, I.V.; Tveryanovich,Yu.S. Electrical conductivity of glasses in the Ag-As-Se-Te system. Glass phys. chem. 2005, 31, 165-167.
2. Allnatt,A.R.;Pantelis, P. Anomalous high temperature electrical conductance of NaCl.Solid State Comm. 1968, 6, 309-312.
3. Tubandt, C.; Lorenz, E.Z. Phys. Chem.1914, 87, 513.
4. Strock, L.W.Z. Phys. Chem.1934, 25, 411.
5. Cava, R.J.; Reidinger, F.;Wuensch, B.J. Single-crystal neutron-diffraction study of AgI between 23° and 300°C. Solid State Comm.1977, 24, 411-416.
6. Wright, A.F.; Fender, B.E.F. The structure of superionic compounds by powder neutron diffraction. I. Cation distribution in α-AgI.J. Phys. C: Solid. St. Phys.1977, 10, 2261.
7. Popov, A. S.; Kostandinov, I. Z.; Mateev, M. D.; Alexandrov, A. P.; Regel, Liia L. Phase analysis of RbAg4I5 crystals grown in microgravity. Microgravity Science and Technology.1990, 3, 41–43.
8. Hull, S.; Keen, D.A.; Sivia, D.S.; Berastegui, P. Crystal Structures and Ionic Conductivities of Ternary Derivatives of the Silver and Copper Monohalides – I. Superionic Phases of Stoichiometry MAg4I5: RbAg4I5, KAg4I5, and KCu4I5. J.Solid State Chemistry. 2002, 165, 363–371.
9. Tatsumisago, M.;Shinkuma, Y.; Minami, T. Stabilization of superionic α-Agl at room temperature in a glass matrix. Nature.1991, 354, 217–218.
10. Grabowski, P.;Nowinski, J.;Garbarczyk, J.; Wasiucionek, M. Mechanosynthesized and ultra-fast quenched AgI–Ag2O–B2O3 materials with high AgI contents.Solid State Ionics.2013, 251, 55-58.
11. Makiura, R.;Yonemura, T.; Yamada, T.; Yamauchi, M.; Ikeda, R.; Kitagawa, H.; Kato, K.;Takata, M.Size-controlled stabilization of the superionic phase to room temperature in polymer-coated AgI nanoparticles.Nat. Mater.2009, 8, 476-480.
12. Liu, L.F.; Lee, S.W.; Li, J.B.;Alexe, M.; Rao, G.H.; Zhou, W.Y.; Lee, J.J.; Lee, W.;Gösele, U. Enhanced ionic conductivity of AgI nanowires/AAO composites fabricated by a simple approach.Nanotechnology.2008, 19, 495706.
13. Sata, N.;Jin-Phillipp, N. Y.;Eberl, K.;Majer J. Enhanced ionic conductivity and mesoscopic size effects in hetero-structures of BaF2 and CaF2.Solid State Ionics.2002,154-155, 497-502.
14.Sheldon, B.W.; Mandowara, S.; Rankin, J. Grain boundary induced compositional stress in nanocrystalline ceria films. Solid State Ionics.2013, 233, 38–46.
15.Kasamatsu, S.; Tada, T.; Watanabe, S. Parallel-sheets model analysis of space charge layer formation at metal/ionic conductor interfaces.Solid State Ionics. 2012, 226, 62–70.
16. Tveryanovich, Y.S.; Fokina, S.V.; Borisov, E.N.; Labzovskaya, M. Preparation of AgI thin films by means of UV laser ablation. Surface Modification Technologies XXVIII,Sudarshan, T.S.; Vuoristo, P.; Koivuluoto, H.India: Valardocs.2015, 247–253.
17. Tveryanovich, Yu.S.; Fokina, S.V.; Borisov, E.N.; Tomaev, V.V. Preparation of films of vitreous solid electrolyte (GeSe2)30(Sb2Se3)30(AgI)40 using laser ablation method.Glass Phys. Chem.2015, 41, 440–442.
18. Schoen, D.T.; Xie, C.; Cui, Y. Electrical Switching and Phase Transformation in Silver Selenide NanowiresJ. Am. Chem. Soc.2007, 129, 4116–4117.
19. Junod, P.;Hediger, H.;Kilchor, B.;Wullschleger, J.Metal-non-metaltransition in silverchalcogenides. Phil.Mag.1977,36, 941–958.
20. Sahu, A.;Khare, A.; Deng, D.; Norris, D. Quantum confinement in silverselenidesemiconductornanocrystals. Chem. Commun.2012, 48, 5458–5460.
21. Wang, J.; Fan, W.; Yang, J.; Da, Z.; Yang, X., Chen, K.; Yu, H.; Cheng, X. Tetragonal–Orthorhombic–Cubic Phase Transitions in Ag2Se Nanocrystals.Chem.Mat.2014, 26, 5647-5653.
22. Hu, T.; Wittenberg, J.S.; Lindenberg, A.M. Room-temperature stabilization of nanoscale superionic Ag2Se. Nanotechnology.2014, 25, 415705.
23. Agostini, M.; Aihara, Y.; Yamada, T.; Scrosati, B.; Hassoun, J. A lithium–sulfur battery using a solid, glass-type P2S5–Li2S electrolyte. Solid State Ionics. 2013, 244, 48–51.
24.Chen, R.; Xu, D.; Guo, G.; Tang, Y. Electrodeposition of silver selenide thin films from aqueous solutions.J. Mater. Chem.2002, 12, 1431-1441.
25.Wuttig, M. Phase-change materials: Towards a universal memory?Nat. Mater.2005, 4, 265-266.
26.Boolchand, P.;Bresser, W.J. Mobile silver ions and glass formation in solid electrolytes.Nature. 2001, 410, 1070-1073.
27.Lakshmikumar, S.T.; Rastogi, A.C.Selenization of Cu and In thin films for the preparation of selenide photo-absorber layers in solar cells using Se vapour source.Sol. Energy Mater. Sol. Cells1994, 32, 7-19.
28. Xue, M.Z.; Cheng, S.C.; Yao, J.; Fu, Z.W. Fabrication and lithium electrochemistry of Ag2Se thin film anode.Electrochim. Acta. 2006, 51, 3287–3291.
29.Chen, J.; Lv, Y.; Dobeli, M.; Li, Y.; Shi, X.; Chen, L. Composition control of pulsed laser deposited copper (I) chalcogenide thin films via plasma/Ar interactions.Sci. China Mater.2015, 58, 263-267.
30.Zhou, K.; Chen, J.; Zheng, R.K.;Ke, X.; Zhang, T.; Shi, X.; Chen, L. Non-epitaxial pulsed laser deposition of Ag2Se thermoelectric thin films for near room-temperature applications.Ceram. Int.2016, 42, 12490–12495.
31.Mogwitz, B.; Korte, C.; Janek, J.; Kreutzbruck, M.V.; Kienle, L. Preparation and magnetoresistance of Ag2+xSe thin films deposited via pulsed laser deposition.J. Appl. Phys.2007,101, 043510.
32.Kienle, L.; Duppel, V.; Mogwitz, B.; Janek, J.; Kreutzbruck, M.V.;Leineweber, A.; Simon, A. Synthesis, Real Structure, Property: The Showcase of Silver-Rich Ag2Se.Cryst. Growth Des.2011, 11, 2412–2421.
33. Tverjanovich, A.; Borisov, E.N.; Vasilieva, E.S.; Tolochko,O.V.; Vahhi, I.E.; Bereznev, S.; Tveryanovich, Yu.S. CuInSe2 thin films deposited by UV laser ablation.Sol. Energy Mater. Sol. Cells2006, 90, 3624-3632.
34. Yilmaz, D. Thermal properties and microstructural characterization of non-doped and erbium doped binary GeO2-V2O5 Glasses. M.Sc. Thesis. Istanbul Technical University, 2010.
35. Mukherjee, S.;Maiti, A.; Ghosh, U.S.; Basu, C. Ultrasonic investigation of V2O5- GeO2 glass. Philos. Mag. B. 1993, 67, 823-831.
36. Patterson, A.L. The Scherrer Formula for X-Ray Particle Size Determination. Phys. Rev.1939, 56, 978–982.
37.Tada, H.; Kumpel, A.E.; Lathrop, R.E.; Slanina, J.B. Thermal expansion coefficient of polycrystalline silicon and silicon dioxide thin films at high temperatures. J. Appl. Phys.2000, 87, 4189-4193.
38.Dubiel, M.; Brunsch, S.; Tröger, L. Temperature dependence of thermal expansion coefficient of silver nanoparticles and of bulk material determined by EXAFS.J. Synchrotron Rad.2001, 8, 539-541.
39.Freyland, W.; Goltzene, A.; Grosse, P.; Harbeke, G.; Lehmann, H.; Madelung, O.; Richter, W.; Schwab, C.; Weiser, G.; Werheit, H.;Zdanowicz, W. Physics of Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. 1983, 160.
40.Tverjanovich, A.S.;Tereshchenko, E.V. Structural investigation of glasses in the x(0.16GaCh2 • 0.84GeCh2) • (1 − x)(SbCh1.5) (Ch = S, Se) system. Glass Phys Chem. 2009, 35, 475.
41.Kozicki, M.N.; Mitkova, M.; Zhu, J.; Park, M.Nanoscalephaseseparation in Ag–Ge–Se glasses. Microelectronic Engineering. 2002, 63, 155–159.
42.Frumar, M.; Polak, Z.; Vlcek, M.; Cernosek, Z. Photoinduced changes of the reactivity of amorphous chalcogenide layers.J. Non-Cryst.Sol. 1997, 221, 27-33.
43.Viens, J.;Meneghini, C.; Villeneuve, A.; Galstian,T.V.; Knystautas,E.J.; Duguay,M.A.; Richardson,K.A.; Cardinal, T. Fabrication and characterization of integrated optical waveguides in sulfide chalcogenide glasses.J. Lightwave Technol. 1999, 17, 1184-1191.
44. Kovalskiy, A.; Jain, H.; Mitkova, M. Evolution of chemical structure during silver photodiffusion into chalcogenide glass thin films. J. Non-Cryst.Sol. 2009, 355, 1924-1929.
45. Bychkov, E.A.; Tver’yanovich, Yu.S.; Vlasov. Yu.G. Ion Conductivity and Sensors, in “Semiconductors and Semimetals”.Semiconducting Chalcogenide Glasses III.2004, 80, 103-168.
46. Борисова, З.У.; Бычков, Е.А.; Тверьянович, Ю.С. Взаимодействие металлов схалькогенидными стеклами. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та.1991, 252.
47. Борисова, З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та. 1983, 344.
48. Казакова, Л.П.; Лебедев, Э.А.; Сморгонская, Э.А. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб. «Наука». 1996, 486.
49. Daikhin, L.; Kornyshev, A.; Urbakh, M. Double-layer capacitance on a rough metal surface. Phys. Rew. E.1996, 53, 6192-6199.
50. Bobylev,Yu.V.;Murin, I.V.; Tveryanovich,Yu.S. Electrical conductivity of glasses in the Ag-As-Se-Te system. Glass phys. chem. 2005, 31, 165-167.
Работу высылаем на протяжении 30 минут после оплаты.