Метод потенциала внедрения широко применяется в расчётах электронной структуры кристаллов. Очень важной областью его применения являются полупроводниковые материалы. Встаёт задача по построению потенциала внедрения для того или иного кристалла. Для его практического применения важно, чтобы он обладал свойством трансферабельности,
то есть допускал применение для кластеров различной формы.
В этой работе реализуется метод построения потенциала внедрения с помощью локализованных молекулярных орбиталей.
Целью настоящего исследования является построение трансферабельного потенциала внедрения для кристалла TiO2 рутил.
Для аппроксимации короткодействующей части потенциала внедрения необходимо задействовать специальный базис достаточно большого размера, при этом встаёт проблема линейной зависимости базиса. Возможно также, что та форма аппроксимирующего потенциала, которая использовалась в этой работе, плохо подходит для построения трансферабельного потенциала, и нужно искать другой подход к решению этой задачи.
