ВВЕДЕНИЕ 6
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 12
1.1. Структура и свойства оксида и гидроксида цинка 12
1.2. Методы получения тонких пленок оксида цинка 15
1.3. Метод химического осаждения из растворов 18
1.4. Механизм зарождения и роста пленок гидроксидов металлов
при химическом осаждении из водных растворов 21
1.5. Осадители, применяемые в химическом осаждении 24
1.5.1. Общая характеристика используемых в работе
органических осадителей 25
1.5.2. Реакции веществ - осадителей в водных растворах 27
1.6. Получение пленок оксида цинка и сложных композиций на
его основе из водных растворов 31
1.6.1. Химическое осаждение пленок индивидуального и
легированного алюминием оксида цинка из растворов 32
1.6.2. Взаимодействие в системе 2пО-А12О3 35
1.6.3. Гидролиз солей цинка и алюминия в щелочных растворах 36
1.7. Применение пленок оксида цинка 39
Выводы 42
Глава 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ... 44
2.1 Используемые реактивы и материалы 44
2.2 Методика получения осадков из водных растворов 45
2.3. Методика химического осаждения пленок из водных растворов 45
2.4. Методика термического отжига пленок 47
2.5. Методика кинетических исследований осаждения гидроксидов цинка и
алюминия 48
2.6. Исследование структуры, фазового, элементного состава и
морфологии пленок 48
2.7. Исследование электропроводности и оптических свойств пленок оксида
цинка 49
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ГИДРОКСИДОВ ЦИНКА И АЛЮМИНИЯ 51
3.1. Расчет условий осаждения гидроксидов цинка и алюминия в водных
растворах 51
3.1.1. Расчет ионных равновесий в системе катион цинка - гидроксид цинка 52
3.1.2. Расчет ионных равновесий в системе катион алюминия - гидроксид
алюминия 63
3.2. Расчет ионных равновесий в системе /п(АГ)"' - Н2О - осадитель 65
Выводы 72
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ОСАЖДЕНИЯ ГИДРОКСИДОВ ЦИНКА И АЛЮМИНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОРГАНИЧЕСКИХ ОСАДИТЕЛЕЙ 73
4.1. Изучение кинетических характеристик процесса осаждения гидроксида
цинка с использованием диметилформамида 73
4.2. Изучение кинетических характеристик процесса осаждения гидроксида
алюминия с использованием этилацетата 89
4.3. Некоторые кинетические закономерности роста пленок гидроксида
цинка 97
Выводы 99
Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА, МИКРОСТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОЛУЧЕНЫХ ОБРАЗЦОВ ПЛЕНОК И ОСАДКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА 100
5.1. Исследование образцов осадков гидроксида цинка,
осажденных с использованием различных осадителей 100
5.1.1. Микроструктура и фазовый состав осадков, полученных
в системе Zn2+-OH--H2O 101
5.1.2. Микроструктура и фазовый состав осадков, полученных
в системе Zn2+-OH--ДМФА-H2O 103
5.1.3. Микроструктура и фазовый состав осадков, полученных
в системе Zn2+-NH3-ТМ-H2O 105
5.1.4. Структура и состав осадков, полученных
в системе Zn2+-Al3+-NH3-ТМ-H2O 108
5.1.5. ИК - спектроскопия осадков гидроксидов цинка и алюминия 111
5.2. Исследование морфологии и структуры пленок
гидроксида цинка 113
5.2.1. Влияние осадителя на морфологию пленок
гидроксида цинка 114
5.2.2. Влияние количества слоев на толщину и микроструктуру
пленок гидроксида цинка 118
5.2.3. Влияние температуры и режима термообработки на
структуру пленок оксида цинка 122
5.3. Исследование оптических свойств и электропроводности пленок ZnO 127
5.3.1. Оптические свойства пленок оксида цинка 127
5.3.2. Электропроводность пленок оксида цинка 129
5.3.3. Газовая чувствительность пленок оксида цинка 134
5.4. Исследование структуры и свойств пленок совместно
осажденного с алюминием оксида цинка 137
Выводы 144
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 146
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ 149
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 150
Актуальность работы. Тонкопленочные покрытия из оксидов металлов являются обширной группой наиболее востребованных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Среди них оксид цинка и сложные композиции на его основе, благодаря своим электрическим, оптическим и газочувствительным свойствам, являются одними из самых перспективных и многофункциональных материалов. Низкоомные пленки /пО используются для нанесения прозрачных токопроводящих контактов, необходимых для изготовления различных оптоэлектронных устройств. Покрытия, обладающие высоким сопротивлением, применяются для изготовления газовых сенсоров и пьезопреобразователей, резисторов.
В настоящее время делаются попытки расширить область применения пленок оксида цинка путем легирования их различными элементами III группы, в том числе алюминием. Широкий научный интерес вызывает допированный алюминием оксид цинка, являющийся электропроводным материалом с проводимостью р-типа.
Для получения пленок оксида цинка используют, как правило, высокотемпературные и вакуумные технологии. По сравнению с ними метод гомогенного химического осаждения из водных растворов имеет ряд преимуществ - он прост в реализации, дает возможность гибкого управления составом реакционной смеси в ходе синтеза и получения покрытий с требуемой толщиной, структурой и физическими свойствами . Прекурсорами для получения /пО из водных растворов являются гидроксид цинка и сложные гидроксосоединения, среди которых наиболее известны основные соли - нитраты, карбонаты и др. Но в современной научной литературе практически отсутствует теоретическая база для метода химического осаждения, подбор компонентов ведется эмпирическим путем .
Целью диссертационной работы являлось установление физико-химических закономерностей гомогенного осаждения пленок и осадков на основе оксида цинка, а также установление влияния используемых осадителей на структуру и свойства полученных продуктов.
Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи:
1. Провести расчет области индивидуального и совместного осаждения гидроксидов цинка и алюминия, изучить влияние слабых бренстедовских оснований на ионные равновесия в растворе и осуществить научно обоснованный выбор осадителя.
2. Выполнить кинетические исследования осаждения гидроксидов цинка и алюминия слабыми основаниями, изучить влияние компонентов раствора на процесс формирования твердой фазы.
3. Методом химического осаждения из водных растворов получить пленки и осадки на основе оксида цинка.
4. Определить состав, структуру и свойства полученных продуктов, установить их зависимость от природы, свойств используемого осадителя и условий протекания процесса.
5. Исследовать влияние добавки катиона Л13+ на морфологию, микроструктуру, оптические свойства и электропроводность пленок оксида цинка, определить возможные направления практического применения полученных материалов.
Научная новизна
1. Впервые с учетом образования гидроксокомплексов определены условия получения гидроксидов цинка и алюминия из водных растворов, а также найдена область совместного осаждения данных соединений.
2. Предложена методика подбора необходимого осадителя на основании анализа ионных равновесий в системах «катион цинка (алюминия) - слабое основание - вода».
3. Изучены кинетические закономерности зарождения и роста частиц твердой фазы гидроксидов цинка и алюминия при химическом осаждении из водных растворов с помощью органических осадителей - диметилформамида и этилацетата. Установлена зависимость процесса зародышеобразования твердой фазы от накапливающихся в растворе продуктов гидролиза осадителя.
4. Определено влияние природы используемых осадителей: щелочи, диметилформамида, аммиака - на состав и микроструктуру осадков гидроксида цинка.
5. Установлена микроструктура и морфология пленок гидроксида цинка при использовании диметилформамида и тиомочевины в качестве осадителей.
6. Изучено влияние добавки хлорида алюминия в исходный раствор на оптические свойства и электропроводность пленок оксида цинка.
Теоретическая и практическая значимость работы
1. Предложена методика, позволяющая целенаправленно подбирать осадитель для получения продуктов с требуемым набором физических свойств.
2. Найдены условия получения тонкопленочных покрытий оксида цинка, полученных методом химического осаждения из водных растворов с последующей термообработкой.
3. Установлено влияние условий синтеза и используемых осадителей на состав, микроструктуру и морфологию полученных осадков и пленок.
4. Методом химического осаждения из водных растворов с последующей термообработкой изготовлены экспериментальные образцы тонкопленочных покрытий оксида цинка, имеющих перспективу использования в качестве материалов пленочных газовых сенсоров.
Методология и методы исследования
Теоретико-методологической основой диссертационной работы являются научные труды, посвященные проблемам химического осаждения малорастворимых соединений из водных растворов. Расчет устанавливающихся в растворе ионных равновесий проводили с учетом процессов комплексообразования и влияния слабых бренстедовских оснований. Для разработки расчетной методики изучалась научная литература, посвященная вопросам взаимодействия слабых оснований в водных растворах. Изменения концентрации веществ в ходе протекания химической реакции исследовали с помощью метода комплексонометрического титрования.
Изучение структуры и свойств полученных продуктов осуществляли методами эллипсометрии, ИК-спектроскопии, электронной и атомно-силовой микроскопии, термического, спектрального и рентгеноструктурного анализа. Для определения полного электрического сопротивления использовался метод импедансной спектроскопии.
Положения диссертации, выносимые на защиту
1. Результаты расчета областей осаждения гидроксидов цинка и алюминия с учетом образования гидроксокомплексов в щелочной и аммиачной системах.
2. Методика расчета влияния осадителей различной природы на ионные равновесия и образование твердой фазы в системах «катион цинка - осадитель - вода» и «катион алюминия - осадитель - вода».
3. Кинетические закономерности гомогенного химического осаждения гидроксидов цинка и алюминия диметилформамидом и этилацетатом. Определение влияния концентрации осадителя, соли металла и температуры на ход процесса.
4. Результаты исследования микроструктуры, морфологии и состава полученных продуктов в зависимости от выбранного осадителя.
5. Влияние добавки соли алюминия на электропроводность и оптические свойства полученных после термообработки тонкопленочных покрытий оксида цинка. Перспектива использования данных пленок в современных полупроводниковых приборах.
1. На основании теоретического расчета ионных равновесий в системах Mn+ - R - H2O, где Mn+- катионы цинка и алюминия, R - тиомочевина (ТМ), карбамид, гидразин, гексаметилентетрамин (ГМТА), триэтаноламин (ТЭА), моноэтаноламин (МЭА), для получения осадков гидроксидов цинка и алюминия рекомендованы бренстедовские основания с Kb>10-7 (гидразин, МЭА и ТЭА), а для осаждения пленок - акцепторы протонов с 10 ’10
2. Определены условия индивидуального и совместного осаждения гидроксидов цинка и алюминия на твердые подложки с учетом процесса комплексообразования в растворе.
3. Установлено, что продолжительность стадии зародышеобразования процессов осаждения гидроксида цинка диметилформамидом (ДМФА) и гидроксида алюминия этилацетатом определяется гидролизом используемого осадителя. Впервые определены значения кажущейся энергии активации процесса, которые составляют 41.7±3.5 кДж/моль в случае осаждения Zn(OH)2 и 19.2±3.5 кДж/моль для Al(OH)3.
4. Экспериментально установлено влияние природы осадителя на структуру и состав осадков гидроксида и оксида цинка, выражающееся в различиях фазового состава и огранки кристаллов полученных продуктов.
5. Методом гомогенного химического осаждения синтезированы пленки гидроксида цинка различной структуры: из щелочного раствора с ДМФА получены матовые покрытия толщиной до 1000 нм, из аммиачного раствора с тиомочевиной - прозрачные пленки толщиной до 200 нм, сформированные из наностержней длиной около 30 нм.
6. Установлено влияние используемых осадителей на физические свойства пленок оксида цинка, полученных из аммиачного и щелочного раствора с последующей термообработкой при 500 0С. Минимальная величина удельного сопротивления пленок, осажденных из аммиачного раствора тиомочевиной, составила 7 Ом-см, а светопропускание в видимой и ближней ИК-области спектра - 85%. Покрытия, образующиеся в щелочном растворе с ДМФА, имели значение удельной электропроводности порядка 0.02-0.03 Ом-см, но были непрозрачными.
7. Показано, что пленки /пО, осажденные из аммиачного раствора тиомочевиной и термообработанные при 5000С, обладают газовой чувствительностью в аммиачно-воздушных смесях и могут быть рекомендованы для изготовления газовых тонкопленочных сенсоров. При изменении парциального давления аммиака от 1 до 5 кПа поверхностное сопротивление пленок уменьшается в 2-15 раз.
8. Установлено, что при совместном осаждении гидроксидов цинка и алюминия образуется двухфазная пленка, состоящая из 2п6А12(ОН)16СО3-4Н2О и оксида цинка. Светопропускание данных покрытий в видимой области спектра составляет 75%, а величина удельного сопротивления-15 Ом-см.
1. Альберс, В. Физика и химия соединений А2В6 / В. Альберс // М.: Мир. - 1970. - 624 с.
2. Кузьмина, И.П. Окись цинка. Получение и оптические свойства / И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко // М.: Наука. - 1984. - 166 с.
3. Morkog, H. Zinc Oxide. Fundamentals, Materials and device Technology / H. Morkog, Ü. Uzgür // Wiley-Vch Verkag GmbH & Co. - Weinheim
- 2009. - p. 447.
4. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киттель // М.: Наука. - 1978. - 790 с.
5. Кнунянц, И.Л. Краткая химическая энциклопедия / И.Л. Кнунянц // М.: Сов.энцикл. - 1967. - Т. 5. - 1184 с.
6. Костов, И. Минералогия / И. Костов // М.: Мир. - 1971. - 261 с.
7. Нарои-Сабо, Н. Неорганическая кристаллохимия / Н. Нарои - Сабо // Будапешт: АН Венгрии. - 1969. - С. 259 - 274.
8. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер // М.: Мир. - 1969. - 654 с.
9. Коффедат, П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводность в простых окислах металлов / П. Коффедат // М.: Мир. -
1995. - 199 с.
10. Георгибиани, А.Н. Широкозонные полупроводники А2В6 и
кристаллы их применения / А.Н. Георгибиани // УФН. - 1974. - Т. 113. - С. 129
- 155.
11. Живописцев, В.П. Аналитическая химия цинка / В.П. Живописцев, Е.А. Селезнева // М.: Наука. - 1975. - 200 с.
12. Чалый, В.П. Гидроокиси металлов / В.П. Чалый // Киев: Наукова думка. - 1972. - 153 с.
13. Schnering, H.G. Zur Konstitution des - Zn(OH)2 / H.G. Schnering // Zeits.Anorg.Allgem.Chem. - 1964. - V. 330. - P. 170 - 178.
14. Chopra, K.L. Transparent conductors - a status review / K.L. Chopra, S. Major, D.K. Pandya // Thin Solid Films. - 1983. - V. 102. - P. 1 - 46.
15. Purica, M. Optical and structural investigation of ZnO thin films prepared by chemical vapor deposition (CVD) / M. Purica, E.Budianu, E.Rusu, M.Danila, R.Gavrila // Thin Solid Films. - 2002. - V. 403. - P. 485 - 488.
16. Deng, H. Microstructure control of ZnO thin films prepared by single source chemical vapor deposition // H. Deng, J.J. Russell, R.N. Lamb, B. Jiang // Thin Solid Films. - 2004. - V. 458. - № 1. - P. 43 - 46.
17. Подрезова, Л.В. Рост наностержней оксида цинка, полученных методом гидротермального синтеза и химического парового осаждения / Л. В. Подрезова // Вестник КазНТУ. - 2013. - № 2, вып. 96. - C. 247 - 256.
18. Shinagawa, T. Electroless deposition of transparent conducting and (0001)-oriented ZnO films from aqueous solutions // T. Shinagawa, S. Otomo, J. -I. Katayama // Electrochemica Acta. - 2007. - V. 53. - P. 1170 - 1174.
19. Gao, Y.-F. Electrochemical deposition of ZnO film and its photoluminescence properties / Y.-F. Gao, M. Nagai, Y. Masuda, F. Sato, K. Koumoto // J. of Crystal Growth. - 2006. - V. 286. - P. 445 - 450.
20. Fathy, N. Electrochemical deposition of ZnO thin films from acidic solutions / N. Fathy, Ichimura M // J. of Crystal Growth. - 2006. - V. 294. - P. 191 - 196.
21. Heo, Y.W. Origin of green luminescence in ZnO thin film grown by molecular-beam epitaxy / Y.W. Heo, D.P.Norton, S.J.Pearton // J.Appl.Phys. - 2005. - V. 98. - P. 73 - 81.
22. Ko, H.-J. A challenge in molecular beam epitaxy of ZnO: control of material properties by interface engineering / H.-J. Ko, S.-K. Hong, Y. Chen, T. Yao // Thin Solid Films. - 2002. - V. 409. - P. 153 - 160.
23. Yang, X. Glancing- incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/Zn-MgO heterostructures grown by laser-MBE / X.Yang, J.Zhang, Z.Bi, Y.He, Q.Xu, H.Wang, W.Zhang // J. Cryst. Growth. - 2005. - V. 284. - P. 123 -128.
24. Liu, T.Q. Preparation of spherical fine ZnO particles by the spray pyrolysis method using ultrasonic atomization techniques / T.Q. Liu, O. Sakurai, N. Mizutani, M. Kato // J. Mater Science - 1986. - V. 21. № 10. - P. 3698 - 3702.
25. Бураков, В.С. Морфология и оптические свойства наноструктур оксида цинка, синтезированных методами термического и электроразрядного распыления / В.С. Бураков, Н.В. Тарасенко, Е.А. Невар, М.И. Неделько // Ж. техн. физики. - 2011. Т. 81. - № 2. - С. 89 - 97.
26. Несветаев, Д.Г. Импульсное лазерное напыление ZnO наноструктур / Д.Г. Несветаев, Е.М. Кайдашев, А. С. Пузиков // Инженерный вестник Дона. - 2013. - №4.
27. Sun, Y.W. Dense and porous ZnO thin films produced by pulsed laser deposition / Y.W. Sun, J. Gospodyn, P. Kursa // Applied Surface Science. - 2005. - V. 248. P. 392 - 396.
28. Zhao, J.-L. Structural, optical and electrical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition (PLD) / J.-L.Zhao, X.-M.Li, J.-M.Bian // J. of Crystal Growth. - 2005. - V. 276. - P. 507 - 512.
29. Лянгузов, Н.В. Использование различных катализаторов роста для лазерного напыления микро- и наностержней ZnO / Н.В. Лянгузов, Е.М. Кайдашев, Захарченко И.Н, Куприна Ю.А // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82. - № 4. - с. 108-116.
30. Лянгузов, Н.В. Исследование роста наностержней ZnO в методике карботермического синтеза на тонкопленочных подслоях ZnO:Ga / Н.В. Лянгузов // Инженерный вестник Дона. - 2012. - №1. - Режим доступа: http: //www.ivdon.ru/magazine/archive/n 1y2012/683
31. Лянгузов, Н.В. Получение и исследование морфологии массивов микро- и наностержней ZnO на подложках Si с пленочным подслоем ZnO / Н.В. Лянгузов, Е.М. Кайдашев, Дрюков А.Г. // Инженерный вестник Дона. - 2011. - №4. - Режим доступа: http://www.ivdon.ru/ru/magazine/archive/n4v2011/522
32. Жилин, Д.А. УФ фотоприемник на основе наностержней и пленок
оксида цинка / Д.А. Жилин, Н.В. Лянгузов, Е.М. Кайдашев // Инженерный вестник Дона. - 2013. - №4. - Режим доступа:
http : //www.ivdon.ru/ru/magazine/archive/n4v2013/1883
33. Работкин, С.В. Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе оксида цинка методом магнетронного распыления. ... дис. канд. техн. наук / С.В. Работкин // Томск - 2009. - 146 с.
34. Nomoto, J.I. Effect of inserting a buffer layer on the characteristics of transparent conducting impurity-doped ZnO thin films prepared by dc magnetron sputtering / J.I. Nomoto, J.I.Oda, T. Miyata, Т. Minami // Thin Solid Films. - 2010. - V. 519. - № 5. - P. 1587 - 1593.
35. Besleaga, S. Double layer structure of ZnO thin films deposited by RF- magnetron sputtering on glass substrate / S. Besleaga, G.E. Stan, A.C. Galka, L. Ion,
S. Antohe// Applied Surface Science. - 2012. - V. 258. - № 22. - P. 8819 - 8824.
36. Xu, Z.Q. Characteristics of Al-doped c-axis orientation ZnO thin films prepared by the sol-gel method / Z.Q. Xu, H. Deng, Y. Li, Q.H. Guo // Materials Research Bulletin. - 2006. - V. 41. - № 2. - P. 354 - 358.
37. Musat, V. Al-doped ZnO thin films by sol-gel method / V. Musat, B. Teixeira, E. Fortunato, R.C.C. Monteiro // Surface and Coatings Technology. - 2004. - V. 180-181. - P. 659 - 662.
38. Fang, D. Influence of Al doping on structural and optical properties of Mg-Al co-doped ZnO thin films prepared by sol-gel method / D. Fang, Lin K, Xue
T, Cui C // J. of Alloys & Compounds. - 2014. - V. 589. - P. 346 - 352.
39. Minami, T. Transparent conducting impurity-co-doped ZnO:Al thin films prepared by magnetron sputtering / T. Minami, Suzuki S, Miyata T // Thin Solid Films. - 2001. - V. 398-399. - P. 53 - 58.
40. Zhang, Z. Influence of deposition temperature on the crystallinity of Al¬doped ZnO thin films at glass substrates prepared by RF magnetron sputtering method / Z. Zhang, C. Bao, Yao W, S. Ma // Superlattices and Microstructures. - 2011. - V. 49. -№ 6. - P. 644 - 653.
41. Kim, D. Fabrication of rough Al doped ZnO films deposited by low pressure chemical vapor deposition for high efficiency thin film solar cells / D. Kim, H. Kim, I. Yun // Current Applied Physics. - 2010. - V. 10. - P. 459 - 462.
42. Behera, D. Nano-star formation in Al-doped ZnO thin film deposited by dip-dry method and its characterization using atomic force microscopy, electron probe microscopy, photoluminescence and laser Raman spectroscopy / D. Behera, B.S. Acharya // J. of Luminescence. - 2008. - V. 128. - P. 1577 - 1586.
43. Ченг, Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Л. Ченг, К. Плог // М.: Мир. - 1989. - 584 с.
44. Борисенко, В.Е. Наноэлектроника / В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина // М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. - 2009. - 223 с.
45. Besleaga, C. Double layer structure of ZnO thin films deposited by RF- magnetron sputtering on glass substrate / C. Besleaga, G.E. Stan, A.C. Galca // Applied Surface Science. - 2012. - V. 258. - № 22. - P. 8819 - 8824.
46. Izaki, M. Characterization of transparent zinc oxide films prepared by electrochemical reaction / M. Izaki, T. Omi //J. of the Electrochemical Society. -
1996. - V. 143. - P. 53 - 55.
47. Gao, Y.-F. Electrochemical deposition of ZnO film and its photoluminescence properties / Y.-F.Gao, M. Nagai, Y. Masuda // J. of Crystal Growth. - 2006. - V. 286. - № 2. - P. 445 - 450.
48. Zi, M. ZnO photoanodes with different morphologies grown by electrochemical deposition and their dye-sensitized solar cell properties / M. Zi, M. Zhu, L. Chen, H. Wei // Ceramics International. - 2014. - V. 40. - № 6. - P. 7965 - 7970.
49. Wang, F. The optical properties of ZnO sheets electrodeposited on ITO glass / F. Wang, R. Liu, A, Pan, L. Cao // Materials Letters. - 2007. - V. 61. - P. 2000 - 2003.
50. Panigrahi, J. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor based ZnO thin film deposition on glass substrate: A novel approach towards antibacterial agent / J. Panigrahi, D. Behera, I. Mohanty, U. Subudhi // Applied Surface Science. - 2011. - V. 258. - № 1. - P. 304 - 311.
51. Shishodia, P.K. Plasma enhanced chemical vapor deposition of ZnO thin films / P.K. Shishodia, H.J. Kim, A. Wakahara, A. Yoshida // J. of Non-Crystalline Solids. - 2006. - V. 352. - № 23. - P. 2343 - 2346.
52. Ito, Y. Study of plasma enhanced chemical vapor deposition of ZnO films by non-thermal plasma jet at atmospheric pressure / Y. Ito, O. Sakai, K. Tachibana // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - № 13. - P. 3513 - 3516.
53. Li, Z. Synthesis and optical properties of three-dimensional nanowall ZnO film prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition / Z. Li, Z. Hu,
L. Jiang, H. Huang, F. Liu // Applied Surface Science. -2012. - V. 258. - № 24. - P. 10175 - 10179.
54. Hsiao, J.-C. Highly textured ZnO:B films grown by low pressure chemical vapor deposition for efficiency enhancement of heterojunction silicon-based solar cells / J.-C. Hsiao, C.-H.Chen, H.-J.Yang, C.-L. Wu // J. of the Taiwan Institute of Chemical Engineers. - 2013. - V. 44. - № 5. - P. 758 - 761.
55. Jung, H. The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration / H. Jung, D. Kim, H. Kim // Applied Surface Science. - 2014. - V. 297. - P. 125 - 129.
56. Kim, D. Fabrication of rough Al doped ZnO films deposited by low pressure chemical vapor deposition for high efficiency thin film solar cells / D. Kim, I. Yung, H. Kim // Current Applied Physics. - 2010. - V. 10. - № 3. - P. 459 - 462.
57. Quinones-Galvan, J.G. Effect of precursor solution and annealing temperature on the physical properties of Sol-Gel-deposited ZnO thin films / J.G. Quinones-Galvan, I.M. Sandoval-Jimenez, H. Tototzintle-Huitle, L.A. Hernandez- Hernandez, F. de Moure-Flores // Results in Physics. - 2013. - V. 3. - P. 248 - 253.
58. Addonizio, M.L. Sol-gel synthesis of ZnO transparent conductive films: The role of pH M.L. Addonizio, A. Aronne, S. Daliento, O. Tari // Applied Surface Science. - 2014. - V. 305. - P. 194 - 202.
59. Максимов, А.И. Основы золь-гель-технологии нанокомпозитов / А. И. Максимов, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров, О.А. Шилова// СПб.: СПб ГЭТУ "ЛЭТИ". - 2007. - 255 с.
60. Карпова, С.С. Исследование газочувствительных оксидов металлов, полученных золь-гель методом / С.С. Карпова, А.А. Бобков // Молодой ученый. - 2012. - № 9. - С. 21-25.
61. Guo, D. Low-temperature preparation of (002)-oriented ZnO thin films by sol-gel method /D. Guo, K. Sato, S. Hibino, T. Takeuchi, H. Bessho // Thin Solid Films. - 2014. - V. 550. - P. 250 - 258.
62. Xu, L. Dependence of structural and optical properties of sol-gel derived ZnO thin films on sol concentration / L. Xu, G. Zheng, J. Miao, F. Xian // Applied Surface Science. - 2012. - V. 258. - № 19. - P. 7760 - 7765.
63. Chia, C.H. Preheating-temperature effect on structural and photoluminescent properties of sol-gel derived ZnO thin films / C.H. Chia, W.C. Tsai, W.C. Chou // J. of Luminescence. - 2014. - V. 148. - P. 111 - 115.
64. Li, W.W. Structure, optical, and room-temperature ferromagnetic properties of pure and transition-metal-(Cr, Mn, and Ni)-doped ZnO nanocrystalline films grown by the sol-gel method / W. W. Li, W. L. Yu, Y. J. Jiang, C. B. Jing, J. Y. Zhu // J. Phys. Chem. - 2010. - V. 114. - № 27. - P. 11951 - 11957.