Актуальность работы. Тонкопленочные покрытия из оксидов металлов являются обширной группой наиболее востребованных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Среди них оксид цинка и сложные композиции на его основе, благодаря своим электрическим, оптическим и газочувствительным свойствам, являются одними из самых перспективных и многофункциональных материалов. Низкоомные пленки /пО используются для нанесения прозрачных токопроводящих контактов, необходимых для изготовления различных оптоэлектронных устройств. Покрытия, обладающие высоким сопротивлением, применяются для изготовления газовых сенсоров и пьезопреобразователей, резисторов.
В настоящее время делаются попытки расширить область применения пленок оксида цинка путем легирования их различными элементами III группы, в том числе алюминием. Широкий научный интерес вызывает допированный алюминием оксид цинка, являющийся электропроводным материалом с проводимостью р-типа.
Для получения пленок оксида цинка используют, как правило, высокотемпературные и вакуумные технологии. По сравнению с ними метод гомогенного химического осаждения из водных растворов имеет ряд преимуществ - он прост в реализации, дает возможность гибкого управления составом реакционной смеси в ходе синтеза и получения покрытий с требуемой толщиной, структурой и физическими свойствами. Прекурсорами для получения /пО из водных растворов являются гидроксид цинка и сложные гидроксосоединения, среди которых наиболее известны основные соли - нитраты, карбонаты и др. Но в современной научной литературе практически отсутствует теоретическая база для метода химического осаждения, подбор компонентов ведется эмпирическим путем.
